[發明專利]一種存儲器陣列

在審

• 申請號: 202110559579.5
• 申請日: 2021-05-21
• 公開（公告）號: CN113345496A
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 孫作金;薛慶華;王海力
• 申請（專利權）人: 京微齊力（北京）科技有限公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C16/24;G11C8/14
• 代理公司: 北京億騰知識產權代理事務所(普通合伙) 11309
• 代理人: 陳霽

1.一種存儲器陣列，其特征在于，所述存儲器陣列中的每列存儲單元包括：

多個存儲單元，按照排列方向排成一列，每個所述存儲單元的第一邊緣區域設置有位線觸點和互補位線觸點，所述多個存儲單元包括按相鄰關系分為第一存儲單元和第二存儲單元構成的存儲單元對，所述第一存儲單元和第二存儲單元各自的第二邊緣區域連接以形成連接區域，所述連接區域位于所述第一存儲單元和第二存儲單元各自的第一邊緣區域之間；

兩條位線，分別與每個所述存儲單元對中的第一存儲單元和第二存儲單元各自的位線觸點一一對應連接；

兩條互補位線，分別與每個所述存儲單元對中的第一存儲單元和第二存儲單元各自的互補位線觸點一一對應連接；

其中，每個所述存儲單元連接一條字線，所述存儲單元對中的第一存儲單元和第二存儲單元共用一條字線。

2.根據權利要求1所述的存儲器陣列，其特征在于，所述多個存儲單元在排列方向上按照第一存儲單元、第二存儲單元、第二存儲單元和第一存儲單元的方式進行排成一列；

所述多個存儲單元中相鄰的兩個所述第一存儲單元各自的第一邊緣區域連接，以使相鄰的兩個所述第一存儲單元共用位線觸點和互補位線觸點；

所述多個存儲單元中相鄰的兩個所述第二存儲單元各自的第一邊緣區域連接，以使相鄰的兩個所述第二存儲單元共用位線觸點和互補位線觸點。

3.根據權利要求1所述的存儲器陣列，其特征在于，所述存儲單元包括：

多個晶體管，至少包括以目標中心線對稱設置的兩個傳輸晶體管、兩個下拉晶體管和兩個上拉晶體管，所述目標中心線為所述列存儲單元沿所述排列方向的中心線；

其中，所述連接區域至少包括所述兩個上拉晶體管和所述兩個下拉晶體管中多晶硅兩側有源區遠離所述傳輸晶體管一側的有源區；所述第一邊緣區域至少包括所述兩個傳輸晶體管中多晶硅兩側有源區遠離所述連接區域一側的有源區；所述第一邊緣區域中的一個傳輸晶體管的有源區設置位線觸點，另一個傳輸晶體管的有源區設置互補位線觸點。

4.根據權利要求3所述的存儲器陣列，其特征在于，所述存儲單元包括：

第1至第N金屬層，由下而上設置在所述多個晶體管上，所述第二金屬層設置有所述兩條位線和兩條互補位線，所述N為大于1的正整數；

第1至第N絕緣層，設置在所述多個晶體管與第一金屬層以及相鄰的兩個金屬層之間；

其中，所述第一邊緣區域的絕緣層設置有層間通孔，以使所述位線連接至位線觸點及所述互補位線連接至所述互補位線觸點。

5.根據權利要求4所述的存儲器陣列，其特征在于，所述連接區域中所述第一存儲單元和第二存儲單元各自的兩條位線、兩條互補位線分別連接；

所述兩條位線位于所述目標中心線的一側，所述兩條互補位線位于所述目標中心線的另一側。

6.根據權利要求4所述的存儲器陣列，其特征在于，所述目標中心線上方的上拉晶體管中的多晶硅通過第一金屬層連接至所述目標中心線下方的下拉晶體管中多晶硅兩側有源區靠近所述傳輸晶體管一側的有源區；

所述目標中心線下方的上拉晶體管中的多晶硅通過第二金屬層中的自鎖線連接至所述目標中心線上方的下拉晶體管中多晶硅兩側有源區靠近所述傳輸晶體管一側的有源區。

7.根據權利要求4所述的存儲器陣列，其特征在于，每個所述存儲單元的傳輸晶體管中遠離所述目標中心線的多晶硅設置有字線觸點；

所述存儲單元對中的第一存儲單元和第二存儲單元各自設置的字線觸點連接同一條字線。

8.根據權利要求4所述的存儲器陣列，其特征在于，每個所述存儲單元設置有地線觸點和電源線觸點；

所述列存儲單元包括：

地線，連接至每個所述存儲單元設置的地線觸點；

電源線，連接至每個所述存儲單元設置的電源線觸點；

其中，所述存儲單元對中的第一存儲單元和第二存儲單元共用所述連接區域的下拉晶體管的有源區設置的地線觸點和上拉晶體管的有源區設置的電源線觸點；所述連接區域的絕緣層設置有層間通孔，以使所述電源線連接至所述電源線觸點以及所述地線連接至所述地線觸點。