[發(fā)明專利]位移裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110558842.9
• 申請日: 2021-05-21
• 公開（公告）號: CN113098330B
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 龔威;胡兵;蔣赟
• 申請（專利權(quán)）人: 上海隱冠半導體技術(shù)有限公司
• 主分類號: H02N15/00
• 分類號: H02N15/00
• 代理公司: 上海上谷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31342
• 代理人: 蔡繼清

1.一種位移裝置，其特征在于，包括：

支撐體；

位移體；

第一導向組件及第二導向組件，設(shè)置于所述支撐體與所述位移體之間并分別位于所述位移體的相對兩側(cè)；所述第一導向組件包括第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分可沿X軸方向相對位移，所述第二導向組件包括第三部分和第四部分，所述第三部分和所述第四部分可沿X軸方向相對位移；所述第一導向組件的所述第一部分及所述第二導向組件的所述第三部分分別與所述位移體固定連接，所述第一導向組件的所述第二部分及所述第二導向組件的所述第四部分分別與所述支撐體固定連接；

所述第一導向組件，包括設(shè)于所述第一部分并沿X軸方向延伸的第一磁體分布結(jié)構(gòu)，及設(shè)于所述第二部分并沿X軸方向延伸的第二磁體分布結(jié)構(gòu)；所述第一磁體分布結(jié)構(gòu)與所述第二磁體分布結(jié)構(gòu)之間相對間隔設(shè)置，相互間產(chǎn)生沿Z軸方向排斥的磁浮力以形成第一磁浮間隙；

所述第二導向組件，包括設(shè)于所述第三部分并沿X軸方向延伸的第三磁體分布結(jié)構(gòu)，及設(shè)于所述第四部分并沿X軸方向延伸的第四磁體分布結(jié)構(gòu)；所述第三磁體分布結(jié)構(gòu)與所述第四磁體分布結(jié)構(gòu)之間相對間隔設(shè)置，相互間產(chǎn)生沿Z軸方向排斥的磁浮力以形成第二磁浮間隙，其中所述Z軸方向為所述位移體的重力方向；

至少一驅(qū)動組件，包括分別固定設(shè)于所述支撐體和所述位移體并沿X軸方向延伸的定子磁性單元和動子磁性單元；其中，所述定子磁性單元和動子磁性單元用于相互磁性作用，以提供對所述位移體的位移的驅(qū)動力；

所述第一磁體分布結(jié)構(gòu)包括至少一個第一磁體分布單元，所述第二磁體分布結(jié)構(gòu)包括至少一個第二磁體分布單元，且所述第一磁體分布單元與所述第二磁體分布單元數(shù)量相同；

所述第一磁體分布單元和所述第二磁體分布單元均包括三個橫置磁體，且所述第一磁體分布單元的所述三個橫置磁體和所述第二磁體分布單元的所述三個橫置磁體一一對應間隔布置在所述第一磁浮間隙的兩側(cè)組成三對橫置磁體，所述三對橫置磁體包括一對磁化方向相同的中部橫置磁體，以及兩對分別位于所述中部橫置磁體兩側(cè)的側(cè)端橫置磁體，每對所述側(cè)端橫置磁體的磁體磁化方向相反，兩對所述側(cè)端橫置磁體置于所述Z軸方向上的相同位置且與所述中部橫置磁體設(shè)于所述Z軸方向上的位置不同，且所述三對橫置磁體的每對磁體分別設(shè)在所述第一部分和所述第二部分的相對間隔設(shè)置的延伸表面上；

所述第一磁體分布單元還包括一個設(shè)于兩側(cè)所述側(cè)端橫置磁體間的H磁體且磁化方向為Y軸方向，所述第二磁體分布單元還包括分別設(shè)于所述中部橫置磁體和所述側(cè)端橫置磁體間，且在所述第二部分的延伸表面上的兩個斜向磁體，兩個所述斜向磁體的磁化方向分別為第一方向和第二方向，兩個所述斜向磁體與所述H磁體相互作用，提供所述位移體在Y軸方向大小相同且方向相反的磁浮力或磁浮力分量，以及在所述Z軸方向排斥的磁浮力或磁浮力分量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的位移裝置，其特征在于，所述第二磁體分布結(jié)構(gòu)和第一磁體分布結(jié)構(gòu)相互作用，向所述位移體提供在Y軸方向上大小相同且方向相反的至少一對磁浮力或磁浮力分量，所述第四磁體分布結(jié)構(gòu)向第三磁體分布結(jié)構(gòu)相互作用，向所述位移體提供在Y軸方向上大小相同且方向相反的至少一對磁浮力或磁浮力分量。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的位移裝置，其特征在于，所述第一磁體分布結(jié)構(gòu)的磁體分布及磁體的磁化方向關(guān)于所述Z軸方向呈鏡像關(guān)系；所述第二磁體分布結(jié)構(gòu)的磁體分布及磁體的磁化方向關(guān)于所述Z軸方向呈鏡像關(guān)系；所述第三磁體分布結(jié)構(gòu)的磁體分布及磁體的磁化方向關(guān)于所述Z軸方向呈鏡像關(guān)系；所述第四磁體分布結(jié)構(gòu)的磁體分布及磁體的磁化方向關(guān)于所述Z軸方向呈鏡像關(guān)系。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的位移裝置，其特征在于，所述第三磁體分布結(jié)構(gòu)包括至少一個第三磁體分布單元，所述第四磁體分布結(jié)構(gòu)包括至少一個第四磁體分布單元，且所述第三磁體分布單元與所述第四磁體分布單元數(shù)量相同；所述第三磁體分布單元與倒置的所述第一磁體分布單元的磁體分布相同，所述第四磁體分布單元與倒置的所述第二磁體分布單元的磁體分布相同。