[發明專利]微發光二極管布局結構及其制作方法在審
| 申請號: | 202110558169.9 | 申請日: | 2021-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN115458521A | 公開(公告)日: | 2022-12-09 |
| 發明(設計)人: | 周志飆 | 申請(專利權)人: | 聯華電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L27/15;G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 布局 結構 及其 制作方法 | ||
本發明公開一種用于擴增實境與混合實境的微發光二極管布局結構及其制作方法,其中該用于擴增實境與混合實境的微發光二極管布局結構包含多個顯示單元在一透明基底排列成一單元陣列、多個微發光二極管設置在每個顯示單元的邊緣區域并裸露出被該邊緣區域所圍繞的透光區域、以及像素驅動電路設置在該些微發光二極管正下方的該邊緣區域上。
技術領域
本發明涉及一種微發光二極管(micro LED)的布局結構,更具體言之,其涉及一種用于擴增實境(Augmented Reality,AR)與混合實境(Mixed Reality,MR)的微發光二極管布局結構及其相關制作工藝。
背景技術
微發光二極管(micro LED)是近年發展興起的顯示器技術,其特征為微型化LED陣列結構,具有自發光顯示特性,每一像素都能單獨驅動,具有高亮度、高對比、低耗電、高分辨率及高色彩飽和度等特性。相較于同是自發光的有機發光二極管(OLED)顯示器,微發光二極管更具有效率高、壽命長、環境耐受性佳等優勢。微發光二極管獨特的低功耗、高亮度特性讓它非常適合運用在穿戴式的手表、手機、車用顯示器、擴增實境(AugmentedReality,AR)/虛擬實境(Virtual Reality,VR)、顯示器及電視等領域,已被視為是繼過渡的次毫米發光二極管(mini LED)后最具發展潛力的下世代新型顯示技術。
基于上述微發光二極管低功耗與高分辨率的特性與優點,目前業界正致力于研究與開發新的微發光二極管結構與相關制作工藝,以期能將其應用在小尺寸穿戴裝置與擴增/混合實境(AR/MR,Mixed Reality)裝置方面,例如具備擴增/混合實境功能的智能眼鏡(smart glass)。然而,目前要將微發光二極管應用在擴增/混合實境的穿戴式裝置上還有許多需要克服的技術瓶頸,例如巨量轉移(mass transfer)的技術挑戰、透光率的改善、微發光二極管鏡片、以及與現有CMOS制作工藝的整合性等等。
發明內容
致力于研究與開發微發光二極管(micro LED)在擴增(AR)/混合實境(MR)方面的應用,本發明于此提出了一種新穎的微發光二極管布局結構,其特點在于將微發光二極管設計成排列在每個顯示單元的邊緣并空出中間的透光區域,以此達到較高的透光率并同時兼具高分辨率與高光效的顯示品質。
本發明的其一面向在于提出一種用于擴增實境與混合實境的微發光二極管布局結構,包含一透明基底,該透明基底上界定有多個顯示單元排列成一單元陣列、多個微發光二極管,設置在每個顯示單元的邊緣區域并裸露出為邊緣區域所圍繞的透光區域、以及像素驅動電路,設置在該些微發光二極管正下方的該邊緣區域上。
本發明的另一面向在于提出一種用于擴增實境與混合實境的微發光二極管布局結構的制作方法,其步驟包含提供一基底,其中該基底上界定有多個顯示單元排列成一單元陣列,每個該顯示單元包含邊緣區域與為該邊緣區域所圍繞的透光區域、在該基底上的每個顯示單元的該邊緣區域上形成像素驅動電路與第一透光層、以及在該些邊緣區域的該第一透光層上設置多個微發光二極管,該些微發光二極管與下方的該像素驅動電路連接。
本發明的這類目的與其他目的在閱者讀過下文中以多種圖示與繪圖來描述的優選實施例的細節說明后應可變得更為明了顯見。
附圖說明
本說明書含有附圖并于文中構成了本說明書的一部分,使閱者對本發明實施例有進一步的了解。該些圖示描繪了本發明一些實施例并連同本文描述一起說明了其原理。在該些圖示中:
圖1為一搭載本發明具有微發光二極管布局結構的鏡片的智能眼鏡的示意圖;
圖2為本發明優選實施例一具有微發光二極管的顯示單元的示意圖;
圖3為本發明優選實施例一具有微發光二極管的單元陣列的示意圖;
圖4為本發明另一實施例一具有微發光二極管的單元陣列的示意圖;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于聯華電子股份有限公司,未經聯華電子股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110558169.9/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





