[發明專利]微發光二極管布局結構及其制作方法在審
| 申請號: | 202110558169.9 | 申請日: | 2021-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN115458521A | 公開(公告)日: | 2022-12-09 |
| 發明(設計)人: | 周志飆 | 申請(專利權)人: | 聯華電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L27/15;G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 布局 結構 及其 制作方法 | ||
1.一種用于擴增實境與混合實境的微發光二極管布局結構,包含:
透明基底,該透明基底上界定有多個顯示單元排列成單元陣列;
多個微發光二極管,設置在每個顯示單元的邊緣區域并裸露出為邊緣區域所圍繞的透光區域;以及
像素驅動電路,設置在該些微發光二極管正下方的該邊緣區域上。
2.如權利要求1所述的用于擴增實境與混合實境的微發光二極管布局結構,其中該些微發光二極管圍住整個該透光區域。
3.如權利要求1所述的用于擴增實境與混合實境的微發光二極管布局結構,其中該些顯示單元彼此鄰接。
4.如權利要求1所述的用于擴增實境與混合實境的微發光二極管布局結構,其中該些顯示單元彼此間隔一間距。
5.如權利要求1所述的用于擴增實境與混合實境的微發光二極管布局結構,其中每四個該些微發光二極管排列成一個正方形的迷你陣列,該些迷你陣列彼此間隔設置在每個該顯示單元的該邊緣區域上。
6.如權利要求1所述的用于擴增實境與混合實境的微發光二極管布局結構,其中該透明基底為鏡片,該鏡片具有周邊區域以及被該周邊區域圍繞的中間區域,該單元陣列設置在該中間區域上。
7.如權利要求6所述的用于擴增實境與混合實境的微發光二極管布局結構,還包含發光二極管驅動電路以及邏輯電路設置在該周邊區域上并與該像素驅動電路連接。
8.如權利要求1所述的用于擴增實境與混合實境的微發光二極管布局結構,其中該些微發光二極管包含紅(R)、綠(G)、藍(B)三種顏色的微發光二極管,每個該微發光二極管作為子像素,每一組紅(R)、綠(G)、藍(B)的該些微發光二極管構成像素。
9.一種用于擴增實境與混合實境的微發光二極管布局結構的制作方法,包含:
提供基底,其中該基底上界定有多個顯示單元排列成單元陣列,每個該顯示單元包含邊緣區域與為該邊緣區域所圍繞的透光區域;
在該基底上的每個顯示單元的該邊緣區域上形成像素驅動電路與第一透光層;以及
在該些邊緣區域的該第一透光層上設置多個微發光二極管,該些微發光二極管與下方的該像素驅動電路連接。
10.如權利要求9所述的用于擴增實境與混合實境的微發光二極管布局結構的制作方法,還包含:
在該些微發光二極管以及該第一透光層的正面上形成第二透光層;
在該第二透光層中形成多個凹槽,其中每個該微發光二極管會與一個該凹槽重疊;
在該第二透光層上形成透鏡層,其中該透鏡層填滿該些凹槽;以及
對該透鏡層進行固化制作工藝,以在每個該凹槽上的該透鏡層上形成微透鏡結構。
11.如權利要求10所述的用于擴增實境與混合實境的微發光二極管布局結構的制作方法,其中位于該透光區域上的該些凹槽與位于該邊緣區域上的該些凹槽的寬度與深度不同。
12.如權利要求9所述的用于擴增實境與混合實境的微發光二極管布局結構的制作方法,還包含:
薄化該基底;
移除位于該透光區域的該基底;以及
在該基底與該透光層的背面上形成保護層。
13.如權利要求9所述的用于擴增實境與混合實境的微發光二極管布局結構的制作方法,其中該第一透光層、該第二透光層、該些微透鏡結構以及該保護層構成鏡片,該鏡片具有周邊區域以及被該周邊區域圍繞的中間區域,該些微發光二極管與該像素驅動電路位于該鏡片中,且該單元陣列設置在該中間區域上。
14.如權利要求13所述的用于擴增實境與混合實境的微發光二極管布局結構的制作方法,還包含在該周邊區域上制作與該像素驅動電路連接的發光二極管驅動電路以及邏輯電路。
15.如權利要求14所述的用于擴增實境與混合實境的微發光二極管布局結構的制作方法,其中該發光二極管驅動電路以及該邏輯電路在與該像素驅動電路相同的互補式金屬氧化物半導體制作工藝中形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





