[發明專利]一種適用于芯片檢測的溫控滑臺裝置有效
| 申請號: | 202110557397.4 | 申請日: | 2021-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN113296558B | 公開(公告)日: | 2022-04-26 |
| 發明(設計)人: | 王宏偉;范東雨;顧陳;蔡亦梅;李潔昆;蔣鵬翀;任瑋鵬;任魯風 | 申請(專利權)人: | 寧波胤瑞生物醫學儀器有限責任公司 |
| 主分類號: | G05D23/20 | 分類號: | G05D23/20;G01N21/01 |
| 代理公司: | 北京精金石知識產權代理有限公司 11470 | 代理人: | 姜艷華 |
| 地址: | 315300 浙江省寧波*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 適用于 芯片 檢測 溫控 裝置 | ||
1.一種適用于芯片檢測的溫控滑臺裝置,其特征在于,包括,
平臺架,其沿水平方向設置;
滑臺,設置在所述平臺架上,用以對待檢測芯片進行移動;
芯片溫控裝置,其設置在所述滑臺末端,用以對芯片進行壓緊,并根據工作模式對芯片進行加熱;
芯片觀測裝置,其設置在所述平臺架上,用以對待檢測芯片進行拍照觀測;
中控模塊,其設置在所述平臺架上并與所述滑臺、所述芯片溫控裝置和所述芯片觀測裝置分別相連,用以調節各部件工作狀態;
所述芯片溫控裝置包括,溫控轉接板、旋轉電機、芯片壓蓋、加熱裝置、導熱片、制冷片;所述溫控轉接板其上設置有用以放置芯片的通孔,所述通孔內設有用以固定芯片的芯片定位片,所述芯片定位片上設有溫度檢測器和壓力檢測器;
當采用所述溫控滑臺裝置進行芯片檢測前,先對所述芯片溫控裝置進行空倉校驗,通過不放芯片時溫控滑臺裝置的內部溫度對所述加熱裝置的加熱功率進行調節;
當采用所述溫控滑臺裝置進行芯片檢測時,檢測芯片的實際溫度,并根據檢測到的數據對所述加熱裝置的加熱功率進行二次調節,當預計的加熱功率調節值過大時,中控模塊根據調節值與溫度對所述芯片溫控裝置的芯片壓蓋壓緊力度進行調節;
當所述中控模塊判定所述溫控轉接板在空倉狀態下的溫度在合理范圍后,將待檢測芯片放入至所述芯片溫控裝置內,待溫度平穩后所述溫度檢測器檢測此時溫度W2,所述中控模塊內還設有芯片溫控裝置荷載狀態下第i溫控模式的溫度標準值Ri,所述中控模塊計算溫度W2與溫度標準值Ri差值的絕對值ΔR,ΔR=∣W2-Ri∣,所述中控模塊內還設有荷載狀態下差值絕對值的評價參數Rp,中控模塊將絕對值ΔR與評價參數Rp進行對比,
當ΔR≤Rp時,所述中控模塊判定所述溫控轉接板在荷載狀態下的溫度在合理范圍;
當ΔR>Rp時,所述中控模塊判定所述溫控轉接板在荷載狀態下的溫度不在合理范圍;
當所述中控模塊判定所述溫控轉接板在荷載狀態下的溫度不在合理范圍時,所述中控模塊將溫度W2與溫度標準值Ri進行對比,并根據對比結果對所述加熱裝置的功率進行調節;
當W2>Ri時,所述中控模塊判定芯片溫控裝置內溫度過高,中控模塊降低所述加熱裝置的加熱功率,中控模塊計算加熱所需功率值Pi”, Pi”= Pi’-(W2-Ri)×d,其中,d為荷載時溫度差對加熱頻率調節參數;Pi’為加熱裝置的當前功率值;
當W2<Ri時,所述中控模塊判定芯片溫控裝置內溫度過低,中控模塊加大所述加熱裝置的加熱功率,中控模塊計算加熱所需功率值Pi”, Pi”= Pi’+(Ri-W2)×d;
所述中控模塊對計算的功率值Pi”進行校驗,已確定所述加熱裝置的最終加熱功率;
所述中控模塊計算功率值Pi”與功率值Pi’的差值的絕對值ΔP,所述中控模塊還設有荷載時所述加熱裝置的最大溫度調節值PZ,中控模塊將絕對值ΔP與最大溫度調節值PZ進行對比:
當ΔP≤PZ時,所述中控模塊判定功率值Pi”在合理范圍,中控模塊控制所述加熱裝置將加熱功率調節至Pi”;
當ΔP>PZ時,所述中控模塊判定功率值Pi”不在合理范圍,中控模塊在控制所述加熱裝置對加熱功率調節的同時控制所述旋轉電機對芯片壓蓋進行調節;
當中控模塊控制所述旋轉電機對芯片壓蓋進行調節時,所述壓力檢測器檢測此時溫控轉接板承受的壓力M,所述中控模塊計算壓力變化量Mz,Mz=M×(ΔP-PZ)×m,其中,m為溫度差值對壓力變化量調節參數。
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