[發明專利]一種導電膜氣離式刻蝕工藝有效
| 申請號: | 202110556165.7 | 申請日: | 2021-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN113488385B | 公開(公告)日: | 2022-10-28 |
| 發明(設計)人: | 高中彥 | 申請(專利權)人: | 劉軍 |
| 主分類號: | H01L21/3213 | 分類號: | H01L21/3213;C09K13/06 |
| 代理公司: | 江門市博盈知識產權代理事務所(普通合伙) 44577 | 代理人: | 何辦君 |
| 地址: | 529000 廣東省江門市蓬江區*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 導電 膜氣離式 刻蝕 工藝 | ||
1.一種導電膜氣離式刻蝕工藝,其特征在于:包括以下步驟:
S1、提前根據導電膜材質配制好蝕刻油墨,并依次經過分散、研磨、過濾后備用;
S2、將蝕刻油墨涂布至導電膜上,然后取多個氣離微球埋入蝕刻油墨中;
S3、在導電膜背面間歇性施加磁場,迫使氣離微球間歇性的對蝕刻油墨進行擠壓,使得蝕刻油墨與導電膜充分接觸進行蝕刻;
S4、蝕刻結束后撤銷磁場,然后進行加熱烘干,同時觸發氣離微球釋放氣體的動作,使得氣體填充至縫隙中有助于蝕刻油墨的剝離;
S5、待蝕刻油墨成膜后,將磁場轉移至導電膜上方,從而加速膜的剝離,導電膜上的導電線路即制作完成。
2.根據權利要求1所述的一種導電膜氣離式刻蝕工藝,其特征在于:所述步驟S1中導電膜的材質為氧化銦錫透明導電膜。
3.根據權利要求1所述的一種導電膜氣離式刻蝕工藝,其特征在于:所述步驟S1中蝕刻油墨按以下成分及重量百分比進行配制:20%的有機與無機混合酸液、10%的聚醋酸乙烯酯、20%的聚乙烯醇樹脂、13%的無機填料、30%的水以及7%的其他助劑或顏料。
4.根據權利要求1所述的一種導電膜氣離式刻蝕工藝,其特征在于:所述步驟S2中蝕刻油墨采用絲網印刷的方式進行涂布,涂布厚度為150-500μm。
5.根據權利要求1所述的一種導電膜氣離式刻蝕工藝,其特征在于:所述氣離微球包括空心壓墨球(1)、多根配重須(2)以及多個隔離磁包(3),所述配重須(2)均勻連接于空心壓墨球(1)下端面上,所述隔離磁包(3)均勻鑲嵌于空心壓墨球(1)下端面內。
6.根據權利要求5所述的一種導電膜氣離式刻蝕工藝,其特征在于:所述配重須(2)采用彈性材料制成,且多個配重須(2)遠離空心壓墨球(1)的一端面保持齊平。
7.根據權利要求5所述的一種導電膜氣離式刻蝕工藝,其特征在于:所述空心壓墨球(1)采用輕質導熱材料制成空心結構,所述空心壓墨球(1)內填充有粉末狀的碳酸氫鈉。
8.根據權利要求5所述的一種導電膜氣離式刻蝕工藝,其特征在于:所述隔離磁包(3)包括內陷膜(31)、熱熔塊(32)以及多個磁性顆粒(33),所述內陷膜(31)鑲嵌于空心壓墨球(1)內端,所述熱熔塊(32)連接于內陷膜(31)外端,所述磁性顆粒(33)鑲嵌于熱熔塊(32)內。
9.根據權利要求8所述的一種導電膜氣離式刻蝕工藝,其特征在于:所述內陷膜(31)采用防水透氣材料制成,所述熱熔塊(32)采用熱熔性材料制成,且熱熔塊(32)的熔點低于步驟S4中的加熱溫度。
10.根據權利要求5所述的一種導電膜氣離式刻蝕工藝,其特征在于:所述空心壓墨球(1)上側設有蓋墨鱗片(4),所述蓋墨鱗片(4)與空心壓墨球(1)之間連接有多根均勻分布的彈性拉絲(5)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





