[發(fā)明專利]一種導(dǎo)電膜氣離式刻蝕工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110556165.7
• 申請日: 2021-05-21
• 公開（公告）號: CN113488385B
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高中彥
• 申請（專利權(quán)）人: 劉軍
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;C09K13/06
• 代理公司: 江門市博盈知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44577
• 代理人: 何辦君

本發(fā)明公開了一種導(dǎo)電膜氣離式刻蝕工藝，屬于刻蝕技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明可以通過在蝕刻油墨中摻入多個(gè)氣離微球，并在導(dǎo)電膜下方間歇性施加磁場，迫使氣離微球間歇性的對蝕刻油墨進(jìn)行擠壓，使得蝕刻油墨與導(dǎo)電膜充分接觸進(jìn)行蝕刻，然后對蝕刻油墨進(jìn)行加熱烘干，同時(shí)觸發(fā)氣離微球釋放氣體的動(dòng)作，使得氣體填充至縫隙中有助于蝕刻油墨的剝離，降低蝕刻油墨成膜后的剝離強(qiáng)度，伴隨著氣體的釋放，磁性物質(zhì)也會(huì)充斥于蝕刻油墨的縫隙中，再將磁場轉(zhuǎn)移至導(dǎo)電膜上方，依靠對磁性物質(zhì)的磁吸作用下，從而對膜產(chǎn)生均勻的多點(diǎn)剝離力，加速膜的剝離，不僅剝離簡單，不易出現(xiàn)殘留現(xiàn)象，同時(shí)可以避免對導(dǎo)電線路造成損傷。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及刻蝕技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種導(dǎo)電膜氣離式刻蝕工藝。

背景技術(shù)

刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻相聯(lián)系的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。刻蝕是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，其基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模圖形。隨著微制造工藝的發(fā)展，廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應(yīng)離子或其它機(jī)械方式來剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱，成為微加工制造的一種普適叫法。

現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)采用蝕刻油墨對導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻從而形成導(dǎo)電線路的方法，此法中蝕刻油墨在蝕刻后會(huì)形成一層薄膜，從而可以直接剝離免除水洗等繁瑣的工序。

但是在實(shí)際操作過程中，由于蝕刻油墨厚度較薄只有幾十微米，從而形成薄膜的厚度也極薄，在剝離的過程中容易出現(xiàn)部分破裂而無法完全剝離的現(xiàn)象，后續(xù)需要采用刮刀等手段進(jìn)行機(jī)械剝離，不僅操作難度高，且容易對導(dǎo)電線路造成損傷，而蝕刻油墨厚度加厚后，盡管剝離過程中不容易出現(xiàn)斷裂現(xiàn)象，但是剝離難度也隨之增加，難以有效剝離。

發(fā)明內(nèi)容

1.要解決的技術(shù)問題

針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種導(dǎo)電膜氣離式刻蝕工藝，可以通過在蝕刻油墨中摻入多個(gè)氣離微球，并在導(dǎo)電膜下方間歇性施加磁場，迫使氣離微球間歇性的對蝕刻油墨進(jìn)行擠壓，使得蝕刻油墨與導(dǎo)電膜充分接觸進(jìn)行蝕刻，然后對蝕刻油墨進(jìn)行加熱烘干，同時(shí)觸發(fā)氣離微球釋放氣體的動(dòng)作，使得氣體填充至縫隙中有助于蝕刻油墨的剝離，降低蝕刻油墨成膜后的剝離強(qiáng)度，伴隨著氣體的釋放，磁性物質(zhì)也會(huì)充斥于蝕刻油墨的縫隙中，再將磁場轉(zhuǎn)移至導(dǎo)電膜上方，依靠對磁性物質(zhì)的磁吸作用下，從而對膜產(chǎn)生均勻的多點(diǎn)剝離力，加速膜的剝離，不僅剝離簡單，不易出現(xiàn)殘留現(xiàn)象，同時(shí)可以避免對導(dǎo)電線路造成損傷。

2.技術(shù)方案

為解決上述問題，本發(fā)明采用如下的技術(shù)方案。

一種導(dǎo)電膜氣離式刻蝕工藝，包括以下步驟：

S1、提前根據(jù)導(dǎo)電膜材質(zhì)配制好蝕刻油墨，并依次經(jīng)過分散、研磨、過濾后備用；

S2、將蝕刻油墨涂布至導(dǎo)電膜上，然后取多個(gè)氣離微球埋入蝕刻油墨中；

S3、在導(dǎo)電膜背面間歇性施加磁場，迫使氣離微球間歇性的對蝕刻油墨進(jìn)行擠壓，使得蝕刻油墨與導(dǎo)電膜充分接觸進(jìn)行蝕刻；

S4、蝕刻結(jié)束后撤銷磁場，然后進(jìn)行加熱烘干，同時(shí)觸發(fā)氣離微球釋放氣體的動(dòng)作，使得氣體填充至縫隙中有助于蝕刻油墨的剝離；

S5、待蝕刻油墨成膜后，將磁場轉(zhuǎn)移至導(dǎo)電膜上方，從而加速膜的剝離，導(dǎo)電膜上的導(dǎo)電線路即制作完成。

進(jìn)一步的，所述步驟S1中導(dǎo)電膜的材質(zhì)為氧化銦錫透明導(dǎo)電膜。

進(jìn)一步的，所述步驟S1中蝕刻油墨按以下成分及重量百分比進(jìn)行配制：20％的有機(jī)與無機(jī)混合酸液、10％的聚醋酸乙烯酯、20％的聚乙烯醇樹脂、13％的無機(jī)填料、30％的水以及7％的其他助劑或顏料。