[發明專利]薄膜晶體管及LED背板

有效

• 申請號: 202110555450.7
• 申請日: 2021-05-21
• 公開（公告）號: CN113345967B
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發明（設計）人: 程希
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L25/16;G09F9/33
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 呂姝娟

本申請公開了一種薄膜晶體管及LED背板。薄膜晶體管包括：第一柵極、第一絕緣層、第一源極、半導體層、第一漏極、第二絕緣層和第二柵極，第一絕緣層覆蓋第一柵極，第一源極、半導體層和第一漏極均設在第一絕緣層遠離第一柵極的一側，第二絕緣層覆蓋在第一漏極、半導體層和第一源極上，第二柵極設在第二絕緣層遠離第一柵極一側的表面上，第一源極、半導體層和第一漏極共同形成垂直溝道結構。本申請薄膜晶體管擁有超高的開態電流和較低的漏電流，還能夠調控閾值電壓。

技術領域

本申請涉及顯示領域，具體涉及一種薄膜晶體管及LED背板。

背景技術

隨著高階TV市場對畫質的要求越來越高，提升顯示畫質成為高階TV的一個新需求。目前8K OLED(OrganicElectroluminesence Display，有機發光二極管)受限于補償電路、銦鎵鋅氧化物(indium gallium zinc oxide，IGZO)背板技術及驅動設計等問題，尚需開發。而Mini LED作為一個全新的顯示技術，在亮度、功耗上較OLED和液晶顯示有優勢。

Mini LED背光相比傳統背光的區別在于：Mini LED可以通過區域調光(localdimming)實現百萬級的對比度，而傳統背光開啟時所有的燈都會開啟，在面板上不顯示的區域也會受到背光照射，導致暗態不夠黑，對比度低；而Mini LED可以與面板的顯示畫面匹配實現區域開啟背光，面板上不顯示的區域背光不開啟，實現完全的黑態，從而達到百萬級的對比度。其中主動式(Active Matrix，AM)Mini LED作為有源矩陣驅動技術，在提高顯示畫質的同時可以大幅降低驅動成本，因此目前正有多家企業在開發。

但是由于Mini LED背板為電流驅動，因此對背板薄膜晶體管(Thin FilmTransistor，TFT)器件的驅動能力提出了更高的要求。但目前非晶硅薄膜晶體管(a-SiTFT)受限于遷移率、IGZO受限于穩定性，低溫多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)受限于復雜的制造工藝，成本過高，且難以滿足大尺寸需求，在AM Mini-LED應用上均存在一定挑戰。而且Mini-LED驅動對TFT的漏電要求也較高，TFT過高的漏電流會導致Mini-LED出現亮暗不均的問題。

發明內容

本申請實施例提供一種薄膜晶體管及LED背板，其擁有超高的開態電流，較低的漏電流，可以調控閾值電壓，適用于LED背板。

本申請實施例提供了一種薄膜晶體管，包括：

第一柵極；

第一絕緣層，覆蓋所述第一柵極；

第一源極，設在所述第一絕緣層遠離所述第一柵極的一側；

半導體層，設在所述第一絕緣層遠離所述第一柵極的一側；

第一漏極，設在所述第一絕緣層遠離所述第一柵極的一側；

第二絕緣層，覆蓋在所述第一漏極、所述半導體層和所述第一源極上；及

第二柵極，設在所述第二絕緣層遠離所述第一柵極一側的表面上；

其中所述第一源極、所述半導體層和所述第一漏極共同形成垂直溝道結構。

可選的，在本申請一些實施例中，所述第一源極與所述半導體層靠近所述第一柵極一側的表面電性連接，所述第一漏極與所述半導體層遠離所述第一柵極一側的表面電性連接。

可選的，在本申請一些實施例中，所述第一源極通過第一導電薄膜與所述半導體層靠近所述第一柵極一側的表面電性連接，且所述第一導電薄膜具有至少一貫穿孔。

可選的，在本申請一些實施例中，所述第一導電薄膜為具有至少一貫穿孔的氧化銦錫薄膜或具有至少一貫穿孔的金屬薄膜。