[發明專利]薄膜晶體管及LED背板

有效

• 申請號: 202110555450.7
• 申請日: 2021-05-21
• 公開（公告）號: CN113345967B
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發明（設計）人: 程希
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L25/16;G09F9/33
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 呂姝娟

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

第一柵極；

第一絕緣層，覆蓋所述第一柵極；

第一源極，設在所述第一絕緣層遠離所述第一柵極的一側；

半導體層，設在所述第一絕緣層遠離所述第一柵極的一側；

第一漏極，設在所述第一絕緣層遠離所述第一柵極的一側；

第二絕緣層，覆蓋在所述第一漏極、所述半導體層和所述第一源極上；及

第二柵極，設在所述第二絕緣層遠離所述第一柵極一側的表面上；

其中所述第一源極、所述半導體層和所述第一漏極共同形成垂直溝道結構；

所述第一源極通過第一導電薄膜與所述半導體層靠近所述第一柵極一側的表面電性連接，且所述第一導電薄膜具有至少一貫穿孔，所述貫穿孔沿與所述第一柵極垂直的方向貫穿所述第一導電薄膜。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一源極與所述半導體層靠近所述第一柵極一側的表面電性連接，所述第一漏極與所述半導體層遠離所述第一柵極一側的表面電性連接。

3.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一導電薄膜為具有至少一貫穿孔的氧化銦錫薄膜或具有至少一貫穿孔的金屬薄膜。

4.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一源極和所述半導體層均設在所述第一絕緣層遠離所述第一柵極一側的表面上，且所述第一導電薄膜由所述第一源極的表面延伸至所述半導體層靠近所述第一柵極一側的表面，并至少部分覆蓋所述第一源極的表面以及至少部分覆蓋所述半導體層靠近所述第一柵極一側的表面；

或者，所述第一源極設在所述第一絕緣層遠離所述第一柵極一側的表面上，所述第一導電薄膜設在所述第一源極遠離所述第一柵極一側的表面上，所述半導體層設在所述第一導電薄膜遠離所述第一柵極一側的表面上。

5.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一漏極設在所述半導體層遠離所述第一柵極一側的表面上，并部分覆蓋所述半導體層，所述第二柵極的正投影與所述半導體層的正投影至少部分重疊，且所述第二柵極的正投影與所述第一漏極的正投影無重疊。

6.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一漏極疊置在所述半導體層遠離所述第一柵極的一側的表面上，且所述第一漏極與所述半導體層之間設有第二導電薄膜，所述第二導電薄膜具有至少一貫穿孔。

7.一種LED背板，其特征在于，包括至少一如權利要求1-6任一項所述的薄膜晶體管，并且所述薄膜晶體管用作為LED的驅動薄膜晶體管。

8.如權利要求7所述的LED背板，其特征在于，所述LED為Mini-LED。

9.如權利要求7所述的LED背板，其特征在于，所述LED背板包括2T1C電路結構，所述2T1C電路結構包括：

一驅動薄膜晶體管；

一開關薄膜晶體管，包括第三柵極、第二源極和第二漏極，所述第三柵極接入第一掃描信號，所述第二源極接入數據信號；

一存儲電容，其一端連接至所述開關薄膜晶體管的第一漏極，另一端接地；及

一LED；

其中，所述驅動薄膜晶體管的第一柵極連接至所述開關薄膜晶體管的第二漏極，所述驅動薄膜晶體管的第二柵極接入第二掃描信號，所述驅動薄膜晶體管的第一源極連接至所述LED的一端，所述LED的另一端接入工作電壓信號，所述驅動薄膜晶體管的第一漏極接地。