[發(fā)明專利]用于處理襯底的法蘭和設(shè)備

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• 申請日: 2021-05-21
• 公開（公告）號: CN113707575A
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J.德?lián)P;S.薩赫德瓦;L.吉迪拉;J.L.A.M.凱瑟;T.G.M.奧斯特拉肯
• 申請（專利權(quán)）人: ASMIP私人控股有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種用于處理襯底的設(shè)備中的處理管的法蘭，該法蘭設(shè)置有開口和冷卻通道，該開口用于在使用中進(jìn)入處理管的處理室，該冷卻通道用于允許冷卻流體流過其中并冷卻法蘭，其中導(dǎo)熱率在0.1和40W/m K之間的材料至少部分地設(shè)置在冷卻流體和法蘭的其余部分之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的法蘭，其中，導(dǎo)熱率在0.5和10W/m K之間的材料至少部分地設(shè)置在冷卻流體和法蘭的其余部分之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的法蘭，其中，導(dǎo)熱率在1和6W/m K之間的材料至少部分地設(shè)置在冷卻流體和法蘭的其余部分之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的法蘭，其中，所述法蘭具有頂表面和底表面，所述頂表面和底表面設(shè)置有用于O形環(huán)的凹部。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的法蘭，其中，所述法蘭具有形成所述開口的大致圓形內(nèi)表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的法蘭，其中，所述法蘭具有用于至少部分容納所述冷卻通道的空間。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的法蘭，其中，用于容納所述冷卻通道的空間的一部分保持開放，從而形成開放空間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的法蘭，其中，所述開放空間設(shè)置有導(dǎo)熱率在0.1和40W/m K之間的材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的法蘭，其中，所述冷卻通道具有大致圓形橫截面，并且所述空間具有大致矩形橫截面。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的法蘭，其中，用于容納所述冷卻通道的空間形成在法蘭外表面中的凹部中。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的法蘭，其中，所述冷卻通道具有大致圓形橫截面，所述凹部具有大致矩形橫截面，凹部開口略小于冷卻通道的圓形橫截面的外半徑，使得冷卻通道接觸凹部開口。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的法蘭，其中，所述冷卻通道由金屬制成，并且至少部分地被導(dǎo)熱率低于金屬的材料包圍。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的法蘭，其中，所述冷卻通道具有大致圓形橫截面，所述凹部具有大致矩形橫截面，凹部開口等于或大于冷卻通道的圓形橫截面的外半徑，使得冷卻通道裝配在凹部中。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的法蘭，其中，所述冷卻通道由導(dǎo)熱率在0.1和40W/m K之間的材料制成。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的法蘭，其中，加熱器設(shè)置在法蘭外表面中的凹部中。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的法蘭，其中，所述法蘭設(shè)置有氣體開口，用于從反應(yīng)管提供或移除氣體。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的法蘭，其中，至少部分地設(shè)置在冷卻流體和法蘭的其余部分之間的材料是聚合物。

18.一種用于處理襯底的設(shè)備，包括：

處理管，其形成處理室并在下端設(shè)置有開口；

加熱器，其圍繞處理管用于加熱處理管；

用于處理管的法蘭，其包括進(jìn)入處理管開口的開口和密封處理室的密封件；以及

冷卻通道，用于允許冷卻流體流過其中并冷卻密封件，其中，導(dǎo)熱率在0.1和40W/m K之間的材料至少部分地設(shè)置在冷卻流體和密封件之間。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的設(shè)備，其中，所述設(shè)備包括：

門板，其構(gòu)造為在處理管中支撐晶片舟，并且所述法蘭具有頂表面和底表面，所述頂表面和底表面設(shè)置有用于O形環(huán)的凹部，以用作密封處理室的密封件。

20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的設(shè)備，其中，所述設(shè)備構(gòu)造和布置成通過冷卻通道提供水作為冷卻流體。