[發明專利]用于處理襯底的法蘭和設備

在審

• 申請號: 202110555354.2
• 申請日: 2021-05-21
• 公開（公告）號: CN113707575A
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發明（設計）人: J.德揚;S.薩赫德瓦;L.吉迪拉;J.L.A.M.凱瑟;T.G.M.奧斯特拉肯
• 申請（專利權）人: ASMIP私人控股有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

本公開涉及一種用于處理襯底的設備例如立式爐中的處理管的法蘭。法蘭可以設置有開口和冷卻通道，開口用于在使用中進入處理管的處理室，冷卻通道用于允許冷卻流體流過其中并冷卻法蘭。導熱率在0.1和40W/m K之間的材料可以至少部分地設置在冷卻流體和法蘭的其余部分之間。

技術領域

本公開涉及一種用于處理襯底的設備中的處理管的法蘭。法蘭可以設置有開口和冷卻通道，該開口用于在使用中進入處理管的內部，該冷卻通道用于允許冷卻流體流動并冷卻法蘭。

更具體地，本公開涉及一種用于處理襯底的設備，包括：

處理管，其形成處理室并在下端設置有開口；

加熱器，其圍繞處理管用于加熱處理管；

用于處理管的法蘭，其包括與處理管的開口對齊的開口和密封處理室的密封件；以及

冷卻通道，用于允許冷卻流體流過其中并冷卻密封件。

背景技術

半導體襯底可以在立式爐中成批處理。這種處理的示例是在襯底上沉積各種材料層。由于各種原因，包括電和物理性質的均勻性，沉積層通常需要高純度和均勻性。然而，沉積結果會受到爐中顆粒物質存在的不利影響。在某些情況下，顆粒會停留在層上或結合到層中，從而降低沉積層的純度和均勻性。因此，為了始終如一地獲得高質量處理結果，需要能夠始終如一地獲得低顆粒水平的處理方法和系統。

顆粒可能是反應副產物形成的結果，這些副產物在較低溫度下凝結在靠近處理管開口的一個法蘭上。因此，在處理過程中，法蘭的溫度可以保持在升高的溫度，以避免冷凝。然而，當熱晶片負載從反應管卸載時，熱負載可能向法蘭輻射熱量，這可能進一步加熱法蘭。可以用于密封法蘭與管或爐其他部件的密封O形環可能會過熱，并因該過熱而開始泄漏。為了避免過熱，法蘭可以設置有溫度控制。

發明內容

提供此發明內容是為了以簡化的形式介紹概念選擇。這些概念在以下公開的示例實施例的詳細描述中被進一步詳細描述。此發明內容不旨在標識所要求保護的主題的關鍵特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保護的主題的范圍。

目的是提供一種具有改進的溫度控制的法蘭，從而可以避免密封件過熱和/或副產物過多冷凝。

根據一方面，可以提供一種用于處理襯底的設備中的處理管的法蘭。該法蘭設置有開口和冷卻通道，該開口用于在使用中進入處理管的處理室，該冷卻通道用于允許冷卻流體流過其中并冷卻法蘭。導熱率在0.1和40W/m K之間的材料至少部分地設置在冷卻流體和法蘭的其余部分之間。

根據另一方面，可以提供一種用于處理襯底的設備，包括：

處理管，其形成處理室并在下端設置有開口；

加熱器，其圍繞處理管用于加熱處理管；

用于處理管的法蘭，其包括與處理管的開口對齊的開口和密封處理室的密封件；以及

冷卻通道，用于允許冷卻流體流過其中并冷卻密封件。導熱率在0.1和40W/m K之間的材料可以至少部分地設置在冷卻流體和密封件之間。

為了概述本發明以及相對于現有技術所獲得的優點，本發明的某些目的和優點已經在上面進行了描述。當然，應當理解，根據本發明的任何特定實施例，不一定可以實現所有這些目的或優點。因此例如，本領域技術人員將認識到，本發明可以以實現或優化如本文教導或建議的一個優點或一組優點的方式來實施或執行，而不一定實現如本文教導或建議的其他目的或優點。

所有這些實施例都在本文公開的本發明的范圍內。從下面參照附圖對某些實施例的詳細描述中，這些和其他實施例對于本領域技術人員來說將變得顯而易見，本發明不限于所公開的任何特定實施例。

附圖說明