[發明專利]半導體裝置及其形成方法

有效

• 申請號: 202110553318.2
• 申請日: 2021-05-20
• 公開（公告）號: CN113299738B
• 公開（公告）日: 2022-09-23
• 發明（設計）人: 童宇誠;張欽福
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 陳敏;吳昊

本發明公開了半導體裝置及其形成方法，半導體裝置包括襯底、有源結構，以及淺溝渠隔離。有源結構設置于所述襯底內，并包括多個第一有源片段以及多個第二有源片段，第一有源片段以及第二有源片段相互平行、相互分隔地朝著第一方向延伸，第二有源片段設置在所有的所述第一有源片段外側，其中，第一有源片段在第一方向上具有相同的第一長度，第二有源片段在第一方向上具有第二長度，第二長度大于第一長度。

技術領域

本申請涉及一種半導體裝置及其形成方法，尤其是涉及一種包括有源結構以及淺溝渠隔離的半導體裝置及其形成方法。

背景技術

隨著半導體裝置微小化以及集成電路的復雜化，組件的尺寸不斷地減小，結構亦不斷地變化，因此，維持小尺寸半導體組件的效能為目前業界的主要目標。在半導體制作工藝中，多半是在襯底上定義出多個有源區域作為基礎，再于所述有源區域上形成所需組件。一般來說，有源區域為利用光刻及蝕刻等制作工藝在襯底上所形成多個圖案，但在尺寸微縮的要求下，有源區域的寬度逐漸縮減，而各個有源區域之間的間距也漸縮小，使得其制作工藝也面臨許多限制與挑戰，以至于無法滿足產品需求。

發明內容

本申請之一目的在于提供一種半導體裝置，其有源結構具有長度不一的多個有源片段，其中，長度相對較長的有源片段系圍繞著長度相對較短的有源片段設置，并直接連接外圍有源區。藉此，可改善所述半導體裝置周圍的應力，避免所述半導體結構的倒塌或毀損，使得所述半導體裝置可達到較為優化的元件效能。

為達上述目的，本申請之一實施例提供一種半導體裝置，包括襯底、有源結構、以及淺溝槽隔離。所述有源結構設置于所述襯底內并包括多個第一有源片段以及多個第二有源片段，所述第一有源片段以及所述第二有源片段相互平行、相互分隔地朝著第一方向延伸，所述第二有源片段圍繞所述第一有源片段設置。其中，所述第一有源片段在所述第一方向上具有相同的第一長度，所述第二有源片段在所述第一方向上具有第二長度，所述第二長度大于所述第一長度。所述淺溝渠隔離則環繞所述有源結構。

為達上述目的，本申請之一實施例提供一種半導體裝置的形成方法，包括以下步驟。首先，提供一襯底，并于所述襯底內形成有源結構。所述有源結構包括多個第一有源片段以及多個第二有源片段，并且所述第一有源片段以及所述第二有源片段相互平行、相互分隔地朝著第一方向延伸。所述第二有源片段圍繞所述第一有源片段設置，其中，各所述第一有源片段在所述第一方向上具有相同的一第一長度，所述第二有源片段在所述第一方向上具有第二長度，所述第二長度大于所述第一長度。然后，于所述襯底內形成淺溝渠隔離，環繞所述有源結構。

附圖說明

圖1至圖2為本申請第一優選實施例中半導體裝置的示意圖；其中

圖1為本申請的半導體裝置之有源結構的俯視示意圖；以及

圖2為圖1沿切線A-A’的剖面示意圖。

圖3至圖5為本申請優選實施例中半導體裝置的形成方法的示意圖；其中

圖3為一半導體結構形成淺溝渠以及有源區單元后的俯視示意圖；

圖4為圖3沿切線A-A’的剖面示意圖；以及

圖5為一半導體結構形成第一開口以及第二開口后的俯視示意圖。

圖6為本申請第二優選實施例中半導體裝置的示意圖。

圖7為本申請第三優選實施例中半導體裝置的示意圖。

其中，附圖標記說明如下：

100、300、500 半導體裝置

110 襯底

120 淺溝渠隔離