[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其形成方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110553318.2 | 申請(qǐng)日： | 2021-05-20 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113299738B | 公開（公告）日： | 2022-09-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 童宇誠(chéng);張欽福 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 福建省晉華集成電路有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/06 | 分類號(hào)： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京聿宏知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11372 | 代理人： | 陳敏;吳昊 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 國(guó)省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 及其 形成 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括：
襯底；
有源結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述襯底內(nèi)，所述有源結(jié)構(gòu)包括多個(gè)第一有源片段以及多個(gè)第二有源片段，所述第一有源片段以及所述第二有源片段相互平行、相互分隔地朝著第一方向延伸，所述第二有源片段設(shè)置在所有的所述第一有源片段外側(cè)，其中，所述第一有源片段在所述第一方向上具有相同的第一長(zhǎng)度，所述第二有源片段在所述第一方向上具有第二長(zhǎng)度，所述第二長(zhǎng)度大于所述第一長(zhǎng)度；以及
淺溝渠隔離，設(shè)置于所述襯底內(nèi)，以環(huán)繞所述有源結(jié)構(gòu)；
所述有源結(jié)構(gòu)還包括多個(gè)第三有源片段，所述第三有源片段在所述第二有源片段以及所述第一有源片段之間，其中所述第三有源片段在所述第一方向上具有第四長(zhǎng)度，所述第四長(zhǎng)度小于所述第一長(zhǎng)度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，兩相鄰的所述第二有源片段在所述第一方向上具有不相同的所述第二長(zhǎng)度以及第三長(zhǎng)度，所述第三長(zhǎng)度亦大于所述第一長(zhǎng)度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，相鄰的所述第二有源片段相互分隔設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，兩相鄰的所述第二有源片段彼此相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求1項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述有源結(jié)構(gòu)還包括外圍有源區(qū)，圍繞著所述第一有源片段以及所述第二有源片段設(shè)置，所述第二有源片段直接接觸所述外圍有源區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述外圍有源區(qū)包括延伸于第二方向上的至少一第一側(cè)邊，以及延伸于第三方向上的至少一第二側(cè)邊，其中，所述第二方向以及所述第三方向不垂直于所述第一方向，所述第二方向垂直于所述第三方向。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二有源片段直接接觸所述外圍有源區(qū)的所述至少一第一側(cè)邊、所述至少一第二側(cè)邊、或至少一第一側(cè)邊以及所述至少一第二側(cè)邊。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括：
多個(gè)第三有源片段，相互平行、相互分隔地朝著所述第一方向延伸，且所述第三有源片段與外圍有源區(qū)完全隔離。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，相鄰的所述第三有源片段以及所述第二有源片段具有相互切齊的端面。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述淺溝渠隔離包括：
多個(gè)第一隔離部分，設(shè)置于兩相鄰的所述第一有源片段之間；多個(gè)第二隔離部分，設(shè)置于兩相鄰的所述第二有源片段之間，所述第二隔離部分于所述第二方向上具有第一寬度，所述第一隔離部分于所述第二方向上具有第二寬度，所述第一寬度大于所述第二寬度。
11.一種半導(dǎo)體裝置的形成方法，其特征在于包括：
提供一襯底；
于所述襯底內(nèi)形成有源結(jié)構(gòu)，所述有源結(jié)構(gòu)包括多個(gè)第一有源片段以及多個(gè)第二有源片段，所述第一有源片段以及所述第二有源片段相互平行、相互分隔地朝著第一方向延伸，所述第二有源片段在所有的所述第一有源片段外側(cè)，其中，各所述第一有源片段在所述第一方向上具有相同的一第一長(zhǎng)度，所述第二有源片段在所述第一方向上具有第二長(zhǎng)度，所述第二長(zhǎng)度大于所述第一長(zhǎng)度；以及
于所述襯底內(nèi)形成淺溝渠隔離，環(huán)繞所述有源結(jié)構(gòu)；
所述有源結(jié)構(gòu)還包括：多個(gè)第三有源片段，所述第三有源片段在所述第二有源片段以及所述第一有源片段之間；所述第三有源片段在所述第一方向上具有第四長(zhǎng)度，所述第四長(zhǎng)度小于所述第一長(zhǎng)度。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，其特征在于，兩相鄰的所述第二有源片段在所述第一方向上具有不相同的所述第二長(zhǎng)度以及第三長(zhǎng)度，所述第三長(zhǎng)度亦大于所述第一長(zhǎng)度。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
