[發明專利]一種硅基OLED微顯示器件膜層去除工藝

有效

• 申請號: 202110552095.8
• 申請日: 2021-05-20
• 公開（公告）號: CN113290316B
• 公開（公告）日: 2023-07-21
• 發明（設計）人: 曹賀;劉曉佳;呂迅;劉勝芳;趙錚濤;潘倩倩
• 申請（專利權）人: 安徽熙泰智能科技有限公司
• 主分類號: H10K71/00
• 分類號: H10K71/00;B23K26/142;B23K26/36
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107
• 代理人: 孟迪

一種硅基OLED微顯示器件膜層去除工藝，屬于硅基OLED微顯示器件制備技術領域，該膜層去除工藝包括將待處理的晶圓上料并定位在作業平臺上，并完成激光對位；啟動激光系統，對目標膜層采用單點多次激光作業，去除目標膜層，同時對作業區域進行氮氣吹掃；對激光去除膜層完成的晶圓進行濕法清洗作業；對清洗完成的晶圓進行烘烤作業；本發明的有益效果是，該膜層去除工藝簡單，膜層去除效率高，可避免刻蝕不良及封裝層損傷異常，提高了產品良率，同時降低了工藝成本。

技術領域

本發明涉及硅基OLED微顯示器件制備技術領域，尤其涉及一種硅基OLED微顯示器件膜層去除工藝。

背景技術

目前因微顯示行業的蓬勃發展，硅基OLED微顯示器件得到了廣泛的關注，對其工藝制備的方法也在不斷的探索與改善。在硅基OLED微顯示器件的制備工藝中，在顯示模組制備段，需要把晶圓中的每個晶粒貼片到PCB或者FPC上，貼片位置為打線區域，此區域需求為鋁基底層裸露，其余膜層無法進行貼片作業。

因此，在模組工藝前，需要把打線區域的上方高溫SiOx膜層及封裝膜層去除。去除以上膜層工藝，目前常規選用干法刻蝕去除，即通過涂布、曝光、顯影、固化、干法刻蝕、干法去膠、清洗、烘烤等工藝完成膜層去除后交付模組打線，此工藝繁瑣復雜，在實際生產中常發生因刻蝕不均勻及過刻造成模組無法打線現象，且顯影等工藝采用的為TAMH溶液或KOH溶液，易損傷封裝層，造成封裝層的剝落異常；另外，硅基OLED微顯示器件的鋁基底層上層膜層為致密的SiOx膜層，且目前采用的封裝層厚度較大，在干法刻蝕時，占用干法刻蝕機機時較多，占整個硅基OLED微顯示器件的干法刻蝕工藝的70％時間，占用設備數量較大，膜層去除效率低，成本較高。

發明內容

為了解決上述技術問題，本發明提供了一種硅基OLED微顯示器件膜層去除工藝，采用激光去除的方式去除鋁基底層上的SiOx膜層和封裝層，去除膜層時搭配氮氣吹掃及濕法清洗、烘烤工藝，即可高效的完成膜層去除工藝，因避免黃光及干刻工藝，可避免刻蝕不良及封裝層損傷異常，提高了產品良率，降低了工藝成本。

為實現上述目的，本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：所述硅基OLED微顯示器件膜層去除工藝，所述微顯示器件包括鋁基底層及其上依次設置的SiO_x膜層和封裝層，所述膜層去除工藝包括以下步驟：

1)將待處理的晶圓上料并定位在作業平臺上，并完成激光對位；

2)啟動激光系統，對目標膜層采用單點多次激光作業，去除目標膜層的SiO_x膜層和封裝層，同時對作業區域進行氮氣吹掃；

3)對激光去除膜層完成的晶圓進行濕法清洗作業；

4)對清洗完成的晶圓進行烘烤作業。

進一步地，所述步驟1)中，待處理的晶圓內部兩側分別設置有激光對位標，激光系統通過激光對位標完成晶圓的對位擺正，對位精度為-5μm～5μm。

進一步地，在制備晶圓的過程中，在制備陽極的同時，采用同樣的制備工藝進行激光對位標的制備，所述激光對位標由反光的金屬制備而成。

進一步地，激光對位完成后，將遮光板貼附于晶圓上，使遮光板上的孔洞與目標膜層的位置相對，且孔洞的面積與設定的膜層去除面積相等。

進一步地，所述激光系統中采用的激光器為全固態紫外激光器，其波長為355nm，脈寬為10ns，輸出頻率為6～10KHz，輸出功率為10～160W，重復次數為5～10次。

進一步地，在通過激光進行膜層去除的過程中，對作業區進行氮氣吹掃的流量為150～180LPM，壓力為0.3～0.35MPa，吹掃時間為10～15s。

進一步地，所述步驟3)中的濕法清洗所使用的清洗液為純水，采用的清洗方法是沖洗甩干的方式來去除激光作業過程中產生的副產物。