[發(fā)明專利]一種硅基OLED微顯示器件膜層去除工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110552095.8 | 申請日： | 2021-05-20 |
| 公開（公告）號： | CN113290316B | 公開（公告）日： | 2023-07-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 曹賀;劉曉佳;呂迅;劉勝芳;趙錚濤;潘倩倩 | 申請（專利權(quán)）人： | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分類號： | H10K71/00 | 分類號： | H10K71/00;B23K26/142;B23K26/36 |
| 代理公司： | 蕪湖安匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34107 | 代理人： | 孟迪 |
| 地址： | 241000 安徽省蕪湖市蕪湖長江*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 oled 顯示 器件 去除 工藝 | ||
1.一種硅基OLED微顯示器件膜層去除工藝，所述微顯示器件包括鋁基底層（1）及其上依次設(shè)置的SiOx膜層（2）和封裝層（3），其特征在于，所述膜層去除工藝包括以下步驟：
1）將待處理的晶圓（4）上料并定位在作業(yè)平臺上，并完成激光對位；待處理的晶圓（4）內(nèi)部兩側(cè)分別設(shè)置有激光對位標(biāo)（6），激光系統(tǒng)通過激光對位標(biāo)（6）完成晶圓（4）的對位擺正，對位精度為-5um~5um；在制備晶圓（4）的過程中，在制備陽極（7）的同時(shí)，采用同樣的制備工藝進(jìn)行激光對位標(biāo)（6）的制備，所述激光對位標(biāo)（6）由反光的金屬制備而成；
2）啟動激光系統(tǒng)，對目標(biāo)膜層（5）采用單點(diǎn)多次激光作業(yè)，去除目標(biāo)膜層（5）的SiOx膜層（2）和封裝層（3），同時(shí)對作業(yè)區(qū)域進(jìn)行氮?dú)獯祾撸凰黾す庀到y(tǒng)中采用的激光器為全固態(tài)紫外激光器，其波長為355nm，脈寬為10ns，輸出頻率為6~10KHz，輸出功率為10~160W，重復(fù)次數(shù)為5~10次；
3）對激光去除膜層完成的晶圓（4）進(jìn)行濕法清洗作業(yè)；
4）對清洗完成的晶圓（4）進(jìn)行烘烤作業(yè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基OLED微顯示器件膜層去除工藝，其特征在于：激光對位完成后，將遮光板貼附于晶圓（4）上，使遮光板上的孔洞與目標(biāo)膜層（5）的位置相對，且孔洞的面積與設(shè)定的膜層去除面積相等。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基OLED微顯示器件膜層去除工藝，其特征在于：在通過激光進(jìn)行膜層去除的過程中，對作業(yè)區(qū)進(jìn)行氮?dú)獯祾叩牧髁繛?50~180LPM，壓力為0.3~0.35MPa，吹掃時(shí)間為10~15s。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基OLED微顯示器件膜層去除工藝，其特征在于：所述步驟3）中的濕法清洗所使用的清洗液為純水，采用的清洗方法是沖洗甩干的方式來去除激光作業(yè)過程中產(chǎn)生的副產(chǎn)物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基OLED微顯示器件膜層去除工藝，其特征在于：所述步驟4）中，對濕法清洗后的晶圓（4）進(jìn)行烘烤的溫度為80~90℃，烘烤時(shí)間為90~120s，去除清洗的殘留水汽。
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