[發(fā)明專利]一種吸波器及電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110551795.5
• 申請日: 2021-05-20
• 公開（公告）號: CN113193382B
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 時彥朋;孫淵博;劉笑宇;李美坪;宋金梅
• 申請（專利權(quán)）人: 山東大學(xué)
• 主分類號: H01Q17/00
• 分類號: H01Q17/00;H01Q15/00
• 代理公司: 濟南圣達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37221
• 代理人: 張慶騫

本發(fā)明屬于太赫茲超材料吸波器領(lǐng)域，提供了一種吸波器及電子設(shè)備。其中，吸波器包括金模層和至少一個硅金結(jié)構(gòu)，所述硅金結(jié)構(gòu)設(shè)置在金模層上，所述金模層用于阻擋電磁波的透射，所述硅金結(jié)構(gòu)由從下到上的硅層和金層構(gòu)成，所述硅金結(jié)構(gòu)為圓柱體，所述圓柱體的半徑大小用來決定所述吸波器的吸收峰波段。其具有對入射波的入射角和極化角不敏感的優(yōu)點。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于太赫茲超材料吸波器領(lǐng)域，尤其涉及一種吸波器及電子設(shè)備。

背景技術(shù)

本部分的陳述僅僅是提供了與本發(fā)明相關(guān)的背景技術(shù)信息，不必然構(gòu)成在先技術(shù)。

吸波器件在軍事國防、醫(yī)療、電子產(chǎn)品等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用價值，太赫茲波由于寬帶性、低能性、瞬態(tài)性近年來成為研究熱點，因此太赫茲吸波器件具有實際應(yīng)用意義和廣泛市場。隨著人工復(fù)合超材料的發(fā)展，各種不同材料、不同結(jié)構(gòu)的金屬和介質(zhì)被設(shè)計為諧振單元來激發(fā)表面等離子激元從而達(dá)到吸波的效果，但是發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，金屬諧振器吸收太赫茲波的波段過窄使得其實際應(yīng)用受到限制。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述背景技術(shù)中存在的技術(shù)問題，本發(fā)明的第一個方面提供一種吸波器，其具有對入射波的入射角和極化角不敏感的優(yōu)點。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

在一個或多個實施例中，一種吸波器，其包括金模層和至少一個硅金結(jié)構(gòu)，所述硅金結(jié)構(gòu)設(shè)置在金模層上，所述金模層用于阻擋電磁波的透射，所述硅金結(jié)構(gòu)由從下到上的硅層和金層構(gòu)成，所述硅金結(jié)構(gòu)為圓柱體，所述圓柱體的半徑大小用來決定所述吸波器的吸收峰波段。

作為一種實施方式，當(dāng)所述硅金結(jié)構(gòu)的數(shù)量為至少兩個時，這些硅金結(jié)構(gòu)的半徑均不同。

作為一種實施方式，所述吸波器還包括基底層，所述基底層用于支撐金模層。

在一個或多個實施例中，一種吸波器，其包括金模層和至少一個硅金結(jié)構(gòu)，所述硅金結(jié)構(gòu)設(shè)置在金模層上，所述金模層用于阻擋電磁波的透射，所述硅金結(jié)構(gòu)由從下到上的硅層和金層構(gòu)成，所述硅金結(jié)構(gòu)為圓臺體，所述硅金結(jié)構(gòu)的數(shù)量用來決定所述吸波器的吸波頻段。

作為一種實施方式，所述硅金結(jié)構(gòu)的數(shù)量越少，所述吸波器的吸波頻段越窄。

作為一種實施方式，所述吸波器還包括基底層，所述基底層用于支撐金模層。

在一個或多個實施例中，一種吸波器，其包括金模層、至少一個第一硅金結(jié)構(gòu)和至少一個第二硅金結(jié)構(gòu)，所述第一硅金結(jié)構(gòu)設(shè)置在金模層上，所述第二硅金結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一硅金結(jié)構(gòu)上，所述金模層用于阻擋電磁波的透射，所述第一硅金結(jié)構(gòu)和第二硅金結(jié)構(gòu)均由從下到上的硅層和金層構(gòu)成，所述第一硅金結(jié)構(gòu)為圓柱體，所述第二硅金結(jié)構(gòu)為圓臺體，所述圓柱體的半徑大小用來決定所述吸波器的吸收峰波段，所述第二硅金結(jié)構(gòu)的數(shù)量用來決定所述吸波器的吸波頻段。

作為一種實施方式，當(dāng)所述第一硅金結(jié)構(gòu)的數(shù)量為至少兩個時，這些第一硅金結(jié)構(gòu)的半徑均不同。

作為一種實施方式，所述第二硅金結(jié)構(gòu)的數(shù)量越少，所述吸波器的吸波頻段越窄。

作為一種實施方式，所述吸波器還包括基底層，所述基底層用于支撐金模層。

本發(fā)明的第二個方面提供一種電子設(shè)備。

在一個或多個實施例中，一種電子設(shè)備，其包括上述任一所述的吸波器。

本發(fā)明的有益效果是：

(1)本發(fā)明提供了一種吸波器包括金模層和至少一個硅金結(jié)構(gòu)，利用金模層阻擋電磁波的透射，硅金結(jié)構(gòu)由從下到上的硅層和金層構(gòu)成，硅金結(jié)構(gòu)為圓柱體，通過改變圓柱體的半徑大小來改變所述吸波器的吸收峰波段，而且硅金結(jié)構(gòu)的數(shù)量對應(yīng)吸收峰波段的數(shù)量，從而形成單波段或多波段吸波器。