[發(fā)明專利]一種吸波器及電子設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110551795.5 | 申請日： | 2021-05-20 |
| 公開（公告）號： | CN113193382B | 公開（公告）日： | 2022-11-25 |
| 發(fā)明（設計）人： | 時彥朋;孫淵博;劉笑宇;李美坪;宋金梅 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | H01Q17/00 | 分類號： | H01Q17/00;H01Q15/00 |
| 代理公司： | 濟南圣達知識產(chǎn)權代理有限公司 37221 | 代理人： | 張慶騫 |
| 地址： | 250101 山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 吸波器 電子設備 | ||
1.一種吸波器，其特征在于，包括金模層和至少兩個硅金結構，所述硅金結構設置在金模層上，所述金模層用于阻擋電磁波的透射，所述硅金結構由從下到上的硅層和金層構成，所述硅金結構為圓柱體，所述圓柱體的半徑大小用來決定所述吸波器的吸收峰波段；所述硅金結構的半徑均不同；吸波器整體為周期性亞波長結構；所述吸波器還包括基底層，所述基底層用于支撐金模層。
2.一種吸波器，其特征在于，包括金模層和至少兩個硅金結構，所述硅金結構設置在金模層上，所述金模層用于阻擋電磁波的透射，所述硅金結構由從下到上的硅層和金層構成，所述硅金結構為圓臺體，所述硅金結構的數(shù)量用來決定所述吸波器的吸波頻段；吸波器整體為周期性亞波長結構；
所述吸波器還包括基底層，所述基底層用于支撐金模層。
3.如權利要求2所述的吸波器，其特征在于，所述硅金結構的數(shù)量越少，所述吸波器的吸波頻段越窄。
4.一種吸波器，其特征在于，包括金模層、至少一個第一硅金結構和至少一個第二硅金結構，所述第一硅金結構設置在金模層上，所述第二硅金結構設置在第一硅金結構上，所述金模層用于阻擋電磁波的透射，所述第一硅金結構和第二硅金結構均由從下到上的硅層和金層構成，所述第一硅金結構為圓柱體，所述第二硅金結構為圓臺體，所述圓柱體的半徑大小用來決定所述吸波器的吸收峰波段，所述第二硅金結構的數(shù)量用來決定所述吸波器的吸波頻段；吸波器整體為周期性亞波長結構；
所述吸波器還包括基底層，所述基底層用于支撐金模層。
5.如權利要求4所述的吸波器，其特征在于，當所述第一硅金結構的數(shù)量為至少兩個時，這些第一硅金結構的半徑均不同；
或所述第二硅金結構的數(shù)量越少，所述吸波器的吸波頻段越窄。
6.一種電子設備，其特征在于，包括如權利要求1所述的吸波器；
或包括如權利要求2-3中任一項所述的吸波器；
或包括如權利要求4-5中任一項所述的吸波器。
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