[發明專利]一種Micro-LED的轉移方法和裝置在審
| 申請號: | 202110551123.4 | 申請日: | 2021-05-20 |
| 公開(公告)號: | CN113314453A | 公開(公告)日: | 2021-08-27 |
| 發明(設計)人: | 徐志強;陳柯文;唐志發;陳峰;王曉東;薄新謙;張高峰;劉思思 | 申請(專利權)人: | 湘潭大學 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67;H01L33/48 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 411105 湖南省湘*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 micro led 轉移 方法 裝置 | ||
本申請公開了一種Micro?LED的轉移方法,包括:根據轉移基板上的裝配槽數目控制放料裝置放置預設數目的芯片;通過超聲振蕩器的作用使芯片在預置箱的液體中均勻分布;打開預置箱底部控制閥,通過連接的管道流入轉移箱;根據轉移箱中液面高度調節控制閥,實現液面高度穩定;根據流入轉移箱與流出轉移箱的液體流量比較,確定裝配槽是否全部都被正確匹配;多余的芯片跟隨液體流動從轉移基板落下,通過排水槽排入儲液箱回收再利用??梢姡旧暾埵筂icro?LED芯片在液體流動的作用下進行擴散,通過吸力進行自組裝,實現了巨量轉移,操作簡單,同時也便于檢測轉移完成率。本申請同時提供的轉移裝置也具有上述有益效果。
技術領域
本發明涉及半導體顯示制造技術領域,特別涉及一種Micro-LED的轉移方法和轉移裝置。
背景技術
Micro-LED微米級別的像素間距可以使其覆蓋從中小尺寸顯示到中大尺寸顯示等多個應用場景,相比傳統小間距LED,由于尺寸微縮,顯著提高了顯示分辨率和畫質,光學設計上可以使得可視角度更開闊,對比度更高,畫質更好,適合虛擬現實、小型投影儀,微顯示器,可見光通信,醫學研究等多種多樣的顯示場景。
目前Micro-LED巨量轉移方法主要有精準拾取、激光轉移、滾軸轉印和自組裝等方法,美國公司LuxVue提出了靜電力吸附方法、美國公司X-Celeprint提出了范德華力轉印方法、中國臺灣工研所ITRI提出了電磁力吸附方法,他們分別通過靜電力、范德華力和電磁力作用,將巨量Micro-LED芯片精確吸附,再精準釋放到目標基板上;eLux公司提出的流體自組裝技術是利用流體的作用,讓Micro-LED芯片落入做好的特殊結構中,達到自組裝的效果,SelfArray公司提出的磁力自組裝是利用磁體和振動方式將LED自組裝成陣列的技術。
綜上所述,目前Micro-LED的巨量轉移方法與裝置需要大量轉移頭矩陣或者對芯片進行預處理等方式來實現Micro-LED的巨量轉移,但是這些關鍵模具和處理步驟必然會增加成本,降低轉移效率,也不便于檢測轉移完成率,因此需要解決上述問題。
發明內容
本申請的目的是提供一種Micro-LED的轉移方法、Micro-LED的轉移裝置,操作簡單,同時也便于檢測轉移完成率。其具體方案如下:
本申請提供一種Micro-LED的轉移方法,包括:
根據所述轉移基板的裝配槽數目放置相應的Micro-LED芯片數目;
在重力的作用下,使帶有Micro-LED芯片的液體流向轉移基板;
在跟隨液體流動的作用下使Micro-LED芯片在轉移基板上進行擴散;
在吸力的作用下,Micro-LED芯片在轉移基板上進行匹配裝配槽的自組裝;
多余的Micro-LED芯片從轉移基板落下,經排水槽排走。
根據轉移基板上的裝配槽數目控制放料裝置放置預設數目的Micro-LED芯片,以便有足夠的Micro-LED芯片能夠匹配轉移基板上所有裝配槽,多余的Micro-LED芯片從轉移基板落下之后,還包括:
關閉控制閥,等待排完轉移箱中的液體,當Micro-LED穩定在所述基板上時,控制機械臂抓取轉移基板攜帶Micro-LED移出;
通過儲液箱收集多余的帶Micro-LED芯片的液體,運送至回收裝置。
儲液箱收集多余的Micro-LED芯片,并運送至回收裝置之后,還包括:
控制機械臂放置轉移基板,并執行根據轉移基板上的裝配槽數目控制放料裝置放置預設數目的Micro-LED芯片的步驟。
本申請提供一種Micro-LED的轉移裝置,包括:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





