[發明專利]半導體器件及其形成方法

在審

• 申請號: 202110546280.6
• 申請日: 2021-05-19
• 公開（公告）號: CN113314535A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 吳家偉;鄭存閔
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 深圳市嘉勤知識產權代理有限公司 44651
• 代理人: 董琳

1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底內形成有埋柵溝槽；

在所述埋柵溝槽內壁表面形成柵介電層；

在所述柵介電層表面形成至少填充所述埋柵溝槽部分高度的第一埋柵極；

對所述第一埋柵極表面進行還原處理。

2.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述還原處理包括：在還原反應條件下，利用還原氣體與所述第一埋柵極表面進行還原反應。

3.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一埋柵極表面形成有自然氧化層，所述還原處理包括：通過還原性氣體與所述自然氧化層進行還原反應，將所述氧化層處理還原為第一埋柵極的材料。

4.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一埋柵極的形成方法包括：在所述埋柵溝槽內沉積第一埋柵極材料層；對所述第一埋柵極材料進行回刻蝕，使得所述第一埋柵極材料的表面低于所述埋柵溝槽頂部，形成位于所述埋柵溝槽內的第一埋柵極。

5.根據權利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述第一埋柵極材料包括W、Al、Ti、Ta、TiN、WN、TaCN、TaN中的至少一種。

6.根據權利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述還原處理采用的還原性氣體包括：H₂，還原反應條件至少包括：溫度為350℃～700℃，時間為30min～120min。

7.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，還包括：在所述還原處理之后，在所述埋柵溝槽內形成位于所述第一埋柵極上的第二埋柵極。

8.根據權利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述第二埋柵極包括：偶極子誘導層和位于所述偶極子誘導層表面的電極層。

9.根據權利要求7所述的形成方法，其特征在于，還包括：在形成所述第二埋柵極之前，還包括形成覆蓋所述第一埋柵極表面的擴散阻擋層。

10.根據權利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述第二埋柵極頂部低于所述埋柵溝槽頂部，還包括：在所述第二埋柵極頂部形成覆蓋所述第二埋柵極的蓋帽層。