[發明專利]一種CoolMOS器件制作方法

有效

• 申請號: 202110545584.0
• 申請日: 2021-05-19
• 公開（公告）號: CN113192842B
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發明（設計）人: 鄢細根;張斌;黃種德
• 申請（專利權）人: 廈門中能微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 深圳市蘭鋒盛世知識產權代理有限公司 44504
• 代理人: 羅炳鋒

本發明公開了一種CoolMOS器件制作方法，包括如下步驟1)場氧生長，分壓環打開，分壓環注入退火；2)有源區打開；3)有源區內加工深溝槽；4)柵氧生長，多晶硅柵淀積、光刻、刻蝕；5)PWELL阱層注入退火；6)源區N+光刻，N+注入，退火；7)TEOS淀積，鋁下鈍化硼磷硅玻璃生長，回流；8)引線孔光刻，孔刻蝕；9)正面金屬化形成；10)減薄；11)背面金屬化形成；12)CP測試入庫。本發明屬于半導體制造技術領域，具體是提供了一種在PWELL內進行深溝槽刻蝕，在槽內淀積TEOS厚氧，利用多晶場板屏蔽原理加上底部PN結原理，實現在濃外延條件下的高壓輸出，降低內阻的CoolMOS器件制作方法。

技術領域

本發明屬于半導體制造技術領域，具體是指一種CoolMOS器件制作方法。

背景技術

目前COOLMOS結構設計主要有二類，一類是采用多次外延多次光刻的加工工藝形成P柱結構，另一類是采用深溝槽填允P型外延形成P柱結構，二種方法各有特點，目前已有的二種方法都是利用P柱與N型電流通道電荷平衡法實現濃外延層高壓VDMOS，實現低內阻的目標，但共性就是要進行外延生長，成本高，加工周期長，對產線要求高，國內只有幾家產線能加工且有嚴格的專利保護，設計加工門檻較高。

發明內容

為解決上述現有難題，本發明提供了一種在PWELL內進行深溝槽刻蝕，在深溝槽內淀積TEOS厚氧，然后采用等離子刻蝕，把深溝槽底部TOES膜刻盡，然后再進行底部P型雜質注入，再淀積多晶硅，多晶硅回刻，最后把多晶硅與PWELL阱層一起開孔短接，相當于槽內多晶硅與源極S短接接地，利用多晶場板屏蔽原理加上底部PN結原理，實現在濃外延條件下的高壓輸出，降低內阻的CoolMOS器件制作方法。

本發明采用的技術方案如下：一種CoolMOS器件制作方法，包括以下步驟：

1)場氧生長，分壓環打開，分壓環注入退火；

2)有源區打開；

3)有源區內加工深溝槽，深溝槽內TEOS厚氧淀積形成TOES膜，TOES膜生長固化，等離子刻蝕，深溝槽底部P型雜質注入，深溝槽內源極溝槽多晶硅柵淀積，源極溝槽多晶硅柵回刻；

4)柵氧生長，多晶硅柵淀積，多晶硅柵光刻，多晶硅柵刻蝕；

5)PWELL阱層注入退火；

6)源區N+光刻，N+注入，退火；

7)TEOS淀積，鋁下鈍化硼磷硅玻璃生長，回流；

8)引線孔光刻，孔刻蝕；

9)正面金屬化形成；

10)減薄；

11)背面金屬化形成；

12)CP測試入庫。