[發明專利]一種CoolMOS器件制作方法

有效

• 申請號: 202110545584.0
• 申請日: 2021-05-19
• 公開（公告）號: CN113192842B
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發明（設計）人: 鄢細根;張斌;黃種德
• 申請（專利權）人: 廈門中能微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 深圳市蘭鋒盛世知識產權代理有限公司 44504
• 代理人: 羅炳鋒

1.一種CoolMOS器件制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)場氧生長，分壓環打開，分壓環注入退火；

2)有源區打開；

3)有源區內加工深溝槽，深溝槽內TEOS厚氧淀積形成TOES膜，TOES膜生長固化，等離子刻蝕，深溝槽底部P型雜質注入，深溝槽內源極溝槽多晶硅柵淀積，源極溝槽多晶硅柵回刻；

4)柵氧生長，多晶硅柵淀積，多晶硅柵光刻，多晶硅柵刻蝕；

5)PWELL阱層注入退火；

6)源區N+光刻，N+注入，退火；

7)TEOS淀積，鋁下鈍化硼磷硅玻璃生長，回流；

8)引線孔光刻，孔刻蝕；

9)正面金屬化形成；

10)減薄；

11)背面金屬化形成；

12)CP測試入庫；

所述CoolMOS器件從下到上依次包括背面金屬層、N+襯底層、N型高濃度電流層、絕緣層和正面金屬層，所述N型高濃度電流層上表面包括依次間隔排列的多晶硅柵區和多晶OPEN區，所述正面金屬層下表面設有引線孔，引線孔間隔排列設于正面金屬層下表面，所述引線孔內上壁設有鋁下鈍化層，所述鋁下鈍化層內填充設有多晶硅柵層，多晶硅柵層設于多晶硅柵區，所述N型高濃度電流層上表面內嵌設有PWELL阱層，所述PWELL阱層等間距間隔排列設于N型高濃度電流層上表面，PWELL阱層中部設于多晶OPEN區且兩側設于多晶硅柵區，多晶硅柵層設于相鄰兩組PWELL阱層之間，多晶硅柵層與PWELL阱層以及多晶硅柵層與N型高濃度電流層之間設有柵氧層，所述多晶OPEN區內設有多組開孔區，所述開孔區內設有N+注入阻擋區，所述PWELL阱層上貫穿設有深溝槽，深溝槽下端延伸設于N型高濃度電流層內，所述深溝槽設于N+注入阻擋區處，所述深溝槽內填充設有源極溝槽多晶硅柵，所述源極溝槽多晶硅柵與深溝槽之間設有TEOS厚氧，所述源極溝槽多晶硅柵等間距均勻分布設于N+注入阻擋區內，通過開孔區對多晶OPEN區開孔，所述深溝槽底部設有P+層，P+層上壁貫穿深溝槽與源極溝槽多晶硅柵連接，P+層底壁與N型高濃度電流層連接，所述深溝槽上端靠近多晶硅柵層的一側設有N+層，N+層分別與源極溝槽多晶硅柵、PWELL阱層連接，所述N+層設于N+注入阻擋區外，源極溝槽多晶硅柵與PWELL阱層短接。

2.根據權利要求1所述的一種CoolMOS器件制作方法，其特征在于，每組多晶OPEN區內設有兩列深溝槽，N+層對稱設于相鄰兩列深溝槽的兩側。