[發明專利]半導體結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202110545063.5
• 申請日: 2021-05-19
• 公開（公告）號: CN113380752A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 呂文隆
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京植德律師事務所 11780
• 代理人: 唐華東

1.一種半導體結構，包括：

基板，具有襯墊；

粘合層，設于所述基板上；

第一重布線層，設于所述粘合層上；

至少一個導通孔，所述導通孔包括自下而上設置的第二導通孔和第一導通孔，所述第一導通孔延伸于所述第一重布線層至所述粘合層中，第二導通孔延伸于所述粘合層至所述基板的襯墊，各所述第一導通孔的下端面位于同一水平位置。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，各所述第二導通孔的高度不同。

3.根據權利要求1或2所述的半導體結構，其中，所述第一導通孔包括第一種子層、第二種子層以及導電柱。

4.根據權利要求3所述的半導體結構，其中，所述第二導通孔包括所述第二種子層和所述導電柱。

5.根據權利要求1或2所述的半導體結構，其中，所述第二導通孔在朝向所述基板的方向上先逐漸膨脹再逐漸收縮。

6.根據權利要求1或2所述的半導體結構，其中，所述半導體結構還包括：

第二粘合層，設于所述第一重布線層上；

第二重布線層，設于所述第二粘合層上；

第三導通孔，電連接所述第一重布線層和所述第二重布線層。

7.根據權利要求6所述的半導體結構，其中，所述半導體結構還包括：

電子元件，電性連接所述第一重布線層和/或所述第二重布線層；

底部填充材，填充所述電子元件與所述第二重布線層之間的縫隙。

8.一種制造半導體結構的方法，包括：

提供載體，所述載體包括導通孔開孔模具、脫模層、第一種子層以及第一重布線層；

通過粘合層將所述載體結合至基板上，其中，所述基板具有襯墊；

移除所述導通孔開孔模具和所述脫模層，以定義出延伸于所述第一重布線層至所述粘合層中的第一導通孔開孔；

移除部分所述粘合層以露出所述襯墊，以定義出延伸于所述粘合層至所述基板的第二導通孔開孔；

在所述第一導通孔開孔和所述第二導通孔開孔中依次形成第二種子層和導電柱，形成電性連接所述第一重布線層和所述基板的導通孔。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述載體是通過以下步驟形成的：

提供晶圓；

刻蝕所述晶圓，以形成所述導通孔開孔模具；

在所述導通孔開孔模具上依次形成所述脫模層、所述第一種子層以及所述第一重布線層；

刻蝕部分所述第一種子層，以露出所述脫模層的尖端，以形成依次設置的所述導通孔開孔模具、所述脫模層、所述第一種子層以所述及第一重布線層的載體。

10.根據權利要求8或9所述的方法，其中，所述方法還包括：

提供第二重布線層；

通過第二粘合層將所述第二重布線層結合至所述第一重布線層上；

在所述第二重布線層上形成第三導通孔，以電連接所述第一重布線層和所述第二重布線層。