[發(fā)明專利]集成電路裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110534075.8
• 申請日: 2021-05-17
• 公開（公告）號: CN114078948A
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 崔珉姬;趙槿匯;姜明吉;金錫勳;金洞院;樸判貴;申東石
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L27/02
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉林果;尹淑梅

1.一種集成電路裝置，所述集成電路裝置包括：

鰭型有源區(qū)，在基底上沿著第一水平方向；

器件隔離層，位于鰭型有源區(qū)的相對的側(cè)壁上；

柵極結(jié)構(gòu)，沿著與第一水平方向交叉的第二水平方向，柵極結(jié)構(gòu)位于鰭型有源區(qū)和器件隔離層上；以及

源極/漏極區(qū)，位于鰭型有源區(qū)上，源極/漏極區(qū)與柵極結(jié)構(gòu)相鄰并包括順序地堆疊在鰭型有源區(qū)上的外阻擋層、內(nèi)阻擋層和主體層，并且外阻擋層和主體層中的每個包括Si_1-xGe_x層，其中，x≠0，并且內(nèi)阻擋層包括Si層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其中，內(nèi)阻擋層包括未摻雜的Si層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其中，內(nèi)阻擋層包括摻雜有p型摻雜劑的Si層，p型摻雜劑為硼或鎵。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其中，內(nèi)阻擋層通過外阻擋層而與鰭型有源區(qū)間隔開。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其中，柵極結(jié)構(gòu)包括：

柵極線，在鰭型有源區(qū)上和器件隔離層上沿著第二水平方向；

柵極介電層，圍繞柵極線；以及

外絕緣間隔件，通過柵極介電層而與柵極線間隔開，外絕緣間隔件覆蓋位于器件隔離層上和鰭型有源區(qū)上的柵極線的側(cè)壁，

其中，外阻擋層具有與柵極結(jié)構(gòu)接觸的第一接觸表面，并且

其中，內(nèi)阻擋層具有與柵極結(jié)構(gòu)接觸的第二接觸表面，第二接觸表面的面積比第一接觸表面的面積大。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，所述集成電路裝置還包括納米片堆疊件，納米片堆疊件包括位于鰭型有源區(qū)的鰭頂部上的納米片，納米片與鰭頂部間隔開并具有距鰭頂部不同的豎直距離，

其中，源極/漏極區(qū)沿第一水平方向面對納米片堆疊件，并且

其中，內(nèi)阻擋層與納米片堆疊件間隔開，且外阻擋層置于內(nèi)阻擋層與納米片堆疊件之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，所述集成電路裝置還包括納米片堆疊件，納米片堆疊件包括位于鰭型有源區(qū)的鰭頂部上的納米片，納米片與鰭型有源區(qū)的鰭頂部間隔開并具有距鰭頂部不同的豎直距離，

其中，柵極結(jié)構(gòu)包括主柵極部分和至少一個子?xùn)艠O部分，主柵極部分在納米片堆疊件上和器件隔離層上沿著第二水平方向，所述至少一個子?xùn)艠O部分位于多個納米片彼此之間，

其中，源極/漏極區(qū)沿第一水平方向面對納米片堆疊件和所述至少一個子?xùn)艠O部分，并且

其中，內(nèi)阻擋層與納米片堆疊件和所述至少一個子?xùn)艠O部分間隔開，且外阻擋層置于內(nèi)阻擋層與納米片堆疊件和所述至少一個子?xùn)艠O部分之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其中：

柵極結(jié)構(gòu)包括主柵極部分和子?xùn)艠O部分，主柵極部分在器件隔離層上沿著第二水平方向，子?xùn)艠O部分位于鰭型有源區(qū)上并一體地連接到主柵極部分，并且

在外阻擋層和內(nèi)阻擋層中的每個中，覆蓋子?xùn)艠O部分的部分在第一水平方向上的寬度比源極/漏極區(qū)在第一水平方向上的最大寬度的1/5小。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其中，源極/漏極區(qū)還包括覆蓋層，覆蓋層與內(nèi)阻擋層間隔開且主體層置于覆蓋層與內(nèi)阻擋層之間，并且覆蓋層包括未摻雜的Si層或摻雜有p型摻雜劑的Si層。

10.一種集成電路裝置，所述集成電路裝置包括：

鰭型有源區(qū)，在基底上沿著第一水平方向；

納米片堆疊件，包括位于鰭型有源區(qū)的鰭頂部上的納米片，納米片與鰭型有源區(qū)的鰭頂部間隔開并具有距鰭頂部不同的豎直距離；以及

源極/漏極區(qū)，沿第一水平方向面對納米片，源極/漏極區(qū)包括沿第一水平方向順序地堆疊在納米片堆疊件上的外阻擋層、內(nèi)阻擋層和主體層，外阻擋層和主體層中的每個包括Si_1-xGe_x層，其中，x≠0，并且內(nèi)阻擋層包括Si層。