[發明專利]雙精調線高溫薄膜鉑電阻及其調阻方法在審
| 申請號: | 202110533194.1 | 申請日: | 2021-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN113284688A | 公開(公告)日: | 2021-08-20 |
| 發明(設計)人: | 戶家周;褚家寶;楊元才 | 申請(專利權)人: | 上海福宜納米薄膜技術有限公司 |
| 主分類號: | H01C7/00 | 分類號: | H01C7/00;H01C17/242 |
| 代理公司: | 上海裕創慧成知識產權代理事務所(普通合伙) 31384 | 代理人: | 黃裕 |
| 地址: | 201821 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 雙精調線 高溫 薄膜 鉑電阻 及其 方法 | ||
本發明涉及一種雙精調線高溫薄膜鉑電阻及其調阻方法,在背板上的一側刻蝕短精調線,在短精調線的垂直對應側刻蝕長精調線,長精調線和短精調線的長度范圍由所確定的目標電阻確定,在背板上的一側刻蝕正導點,在正導點的垂直對應側刻蝕負導點,正導點和負導點用于電阻連接外電路,在背板上的另一側刻蝕濾波區,在濾波區的一側刻蝕第一電阻區,在濾波區的另一側刻蝕第二電阻區,通過添加第二條精調線,利用第二次精調,激光切割的短程性,在彌補第一次精調偏差阻值同時,大大減少了激光產生的熱量,有效提高調阻的精確性,減小了現有技術中調阻時激光產生的干擾的問題。
技術領域
本發明的實施例涉及一種高溫薄膜鉑電阻,特別涉及一種雙精調線高溫薄膜鉑電阻及其調阻方法。
背景技術
目前,公知的溫度傳感器中,熱敏電阻都是多個定值調阻點和一條精確調阻線構成,激光調阻是通過切斷定值點粗調,然后激光連續切割精調線,一直到與標準電阻阻值一致則會停止的方式,得到我們想要的電阻,由于激光切割會產生熱量,尤其最后對精調線的連續切割,會導致所調電阻的實際溫度偏高,且距離越長,溫度偏差越大,等熱量散去,精調電阻和標準電阻溫度一致時,精調電阻的阻值會出現不同程度的變小,再次切割精調線,由于切割路程沒變,產生的熱量也沒變,就會導致因熱量產生的偏差值不變或變化極小,另外由于膜厚均勻性無法做到完全一樣,使得每個電阻調阻點阻值都有所偏差,導致精調的連續切割距離也不同,無法通過在目標電阻后加補償值的方式得到精密電阻。
發明內容
本發明的實施方式的目的在于提供一種雙精調線高溫薄膜鉑電阻及其調阻方法,通過添加第二條精調線,能夠利用第二次精調,激光切割的短程性,在彌補第一次精調偏差阻值同時,大大減少了激光產生的熱量,有效提高調阻的精確性,減小了調阻時激光產生的干擾的問題,達到精確調阻的目的。
為了實現上述目的,本發明的實施方式設計了一種雙精調線高溫薄膜鉑電阻,其特征在于,包括:
背板;
短精調線,在所述背板上的一側刻蝕所述短精調線;
長精調線,在所述短精調線的垂直對應側刻蝕所述長精調線,所述長精調線和所述短精調線的長度范圍由所確定的目標電阻確定;
進一步的,所述的雙精調線高溫薄膜鉑電阻,其特征在于,還包括:
正導點,在所述背板上的一側刻蝕所述正導點;
負導點,在所述正導點的垂直對應側刻蝕所述負導點;
濾波區,在所述背板上的另一側刻蝕所述濾波區;
第一電阻區,在所述濾波區的一側刻蝕所述第一電阻區;
第二電阻區,在所述濾波區的另一側刻蝕所述第二電阻區。
進一步的,所述雙精調線高溫薄膜鉑電阻的電阻電路都刻蝕在所述背板上。
進一步的,所述正導點、所述負導電、所述短精調線、所述長精調線、所述濾波區、所述第一電阻區和所述第二電阻區之間分別刻蝕連接導線連接。
本發明的實施方式同現有技術相比,通過添加第二條精調線,利用第二次精調,激光切割的短程性,在彌補第一次精調偏差阻值同時,大大減少了激光產生的熱量,有效提高調阻的精確性,減小了現有技術中調阻時激光產生的干擾的問題,在不改變其他結構和調阻程序的情況,僅僅添加一條短的精調線,就能極大調高調阻精度,對調阻機的要求也大大降低,國產激光調阻設備亦可滿足。
本發明的實施方式還設計了一種雙精調線高溫薄膜鉑電阻的調阻方法,其特征在于,步驟包括:
S10步驟:對標椎電阻進行測試得到其室溫阻值R0,并記錄下室溫阻值R0,進入S20步驟;
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