[發明專利]雙精調線高溫薄膜鉑電阻及其調阻方法

在審

• 申請號: 202110533194.1
• 申請日: 2021-05-17
• 公開（公告）號: CN113284688A
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發明（設計）人: 戶家周;褚家寶;楊元才
• 申請（專利權）人: 上海福宜納米薄膜技術有限公司
• 主分類號: H01C7/00
• 分類號: H01C7/00;H01C17/242
• 代理公司: 上海裕創慧成知識產權代理事務所(普通合伙) 31384
• 代理人: 黃裕

1.一種雙精調線高溫薄膜鉑電阻，其特征在于，包括：

背板；

短精調線；在所述背板上的一側刻蝕所述短精調線；

長精調線；在所述短精調線的垂直對應側刻蝕所述長精調線，所述長精調線和所述短精調線的長度范圍由所確定的目標電阻確定。

2.根據權利要求1所述的雙精調線高溫薄膜鉑電阻，其特征在于，還包括：

正導點；在所述背板上的一側刻蝕所述正導點；

負導點；在所述正導點的垂直對應側刻蝕所述負導點；

濾波區；在所述背板上的另一側刻蝕所述濾波區；

第一電阻區；在所述濾波區的一側刻蝕所述第一電阻區；

第二電阻區；在所述濾波區的另一側刻蝕所述第二電阻區。

3.根據權利要求1所述的雙精調線高溫薄膜鉑電阻，其特征在于，所述雙精調線高溫薄膜鉑電阻的電阻電路都刻蝕在所述背板上。

4.根據權利要求1所述的雙精調線高溫薄膜鉑電阻，其特征在于，所述正導點、所述負導電、所述短精調線、所述長精調線、所述濾波區、所述第一電阻區和所述第二電阻區之間分別刻蝕連接導線連接。

5.一種雙精調線高溫薄膜鉑電阻的調阻方法，其特征在于，步驟包括：

S10步驟：對標椎電阻進行測試得到其室溫阻值R₀，并記錄下室溫阻值R₀，進入S20步驟；

S20步驟：測量出室溫溫度，再計算出其溫度系數，計算確定目標電阻值R₁＝R₀×K，進入S30步驟；

S30步驟；根據所述目標電阻值刻蝕高溫薄膜鉑電阻電路，并保留一長一短兩條精調線，進入S40步驟；

S40步驟：測量刻蝕好后所述的高溫薄膜鉑電阻的電阻值，并將其與所述目標電阻值R₁對比，判斷阻值是否接近所述目標電阻值，如小于，進入步驟S45；如大于，進入步驟S50；如等于，進入步驟S110；

步驟S45：報廢；

步驟S50：確定所述電阻值與所述目標電阻值的差值，計算出所需切割長精調線的長度范圍，調長精調線，進入步驟S60；

步驟S60：等待所述步驟S50的第一次精調時，激光切割產生的熱量冷卻至室溫，進入步驟S70；

步驟S70：測量出冷卻后的高溫薄膜鉑電阻的電阻值，并判斷是否接近所述目標電阻值，如小于，進入步驟45；如等于，進入步驟S110；如大于，進入步驟S80；

步驟S80：確定所述電阻值與所述目標電阻值的差值，計算出所需切割短精調線的長度范圍，調短精調線，進入步驟S90；

步驟S90；等待所述步驟S80中第二次精調時，激光切割產生的熱量冷卻至室溫，進入步驟S100；

步驟S100；測量出冷卻后的高溫薄膜鉑電阻的電阻值，并判斷是否接近所述目標電阻值，小于，進入步驟45；等于，進入步驟S110；大于，進入步驟S80；

步驟S110；完成精調所述的高溫薄膜鉑電阻的電阻值。

6.根據權利要求5所述的雙精調線高溫薄膜鉑電阻的調阻方法，其特征在于，由于所述步驟S50中第一次精調長精調線，激光熱量產生變化阻值遠遠小于所調整值，則所述S80中對短精調線所需切割的距離就會變很短。

7.根據權利要求6所述的雙精調線高溫薄膜鉑電阻的調阻方法，其特征在于，由于所述步驟S80中對短精調線的切割距離很短，則產生的熱量變得很小，阻值變化也會極小，最終電阻更靠近所述目標電阻值，達到所述步驟S110。

8.根據權利要求7所述的雙精調線高溫薄膜鉑電阻的調阻方法，其特征在于，所述步驟S80中對短精調線進行精調是為了彌補對所述步驟S50中對長精調線進行切割精調時，激光熱量改變的電阻值。

9.根據權利要求5所述的雙精調線高溫薄膜鉑電阻的調阻方法，其特征在于，在經過所述雙精調線高溫薄膜鉑電阻的調阻方法的相關步驟后，所得的最終電阻值與所述目標電阻值之間允許存在合理誤差。

10.根據權利要求9所述的雙精調線高溫薄膜鉑電阻的調阻方法，其特征在于，所述的合理誤差范圍由刻蝕環境、刻蝕條件和所述雙精調線高溫薄膜鉑電阻的工作環境視情況而定。