[發明專利]一種CMOS超寬帶低噪聲放大器

在審

• 申請號: 202110526514.0
• 申請日: 2021-05-14
• 公開（公告）號: CN113131876A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 岳宏衛;楊華光
• 申請（專利權）人: 桂林電子科技大學
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26
• 代理公司: 桂林市持衡專利商標事務所有限公司 45107
• 代理人: 陳躍琳

1.一種CMOS超寬帶低噪聲放大器，其特征是，包括輸入級互補共源電路、中間級共源負反饋電路和輸出級共源buffer電路；

輸入級互補共源電路包括PMOS晶體管M1，NMOS晶體管M2，耦合電容C1，反饋電阻R1，峰化電感L1，源極退化電感L2，峰化電感L3和偽電阻R_pseudo；PMOS晶體管M1的源極和襯底與電源VDD相連；PMOS晶體管M1的柵極通過耦合電容C1與輸入端Vin相連、通過反饋電阻R1與PMOS晶體管M1的漏極相連、以及通過峰化電感L1與NMOS晶體管M2的柵極相連；PMOS晶體管M1的漏極與NMOS晶體管M2的漏極相連；NMOS晶體管M2的源極通過源極退化電感L2接地；NMOS晶體管M2的襯底通過偽電阻R_pseudo接地；

中間級共源負反饋電路包括NMOS晶體管M3-M4，并聯峰化電感L4，負反饋電阻R2，負載電阻R3和電容C2；NMOS晶體管M3漏極通過串聯的負載電阻R3和并聯峰化電感L4與電源VDD相連；NMOS晶體管M3的柵極通過峰化電感L3與PMOS晶體管M1的漏極相連；NMOS晶體管M3的源極通過并聯的負反饋電阻R2和電容C2接地；NMOS管M3的襯底接地；NMOS晶體管M4的柵極與NMOS晶體管M3的柵極相連；NMOS晶體管M4的源極和襯底接地；

輸出級共源buffer電路包括NMOS晶體管M5，耦合電容C3和電感L5；NMOS晶體管M5的漏極與電源VDD相連；NMOS晶體管M5的柵極與NMOS晶體管M3的漏極相連；NMOS晶體管M5的源極通過耦合電容C3與輸出端Vout相連、以及通過電感L5與NMOS晶體管M4的漏極相連；NMOS晶體管M5的襯底接地。

2.根據權利要求1所述的一種CMOS超寬帶低噪聲放大器，其特征是，偽電阻R_pseudo由兩個同型的PMOS晶體管M6和PMOS晶體管M7組成；PMOS晶體管M6的源極與NMOS晶體管M2的襯底相連；

PMOS晶體管M6的襯底和源極相連，并接NMOS晶體管M2的襯底；PMOS晶體管M6的柵極和漏極與PMOS晶體管M7的襯底和源極相連；PMOS晶體管M7的柵極和漏極相連，并接地。