[發(fā)明專利]一種對Finger晶體管自動進(jìn)行偏置的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110526366.2 | 申請日: | 2021-05-14 |
| 公開(公告)號: | CN113312867B | 公開(公告)日: | 2023-03-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉永利 | 申請(專利權(quán))人: | 杭州廣立微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F30/39 | 分類號: | G06F30/39 |
| 代理公司: | 江蘇坤象律師事務(wù)所 32393 | 代理人: | 趙新民 |
| 地址: | 310012 浙江省杭州市西*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 finger 晶體管 自動 進(jìn)行 偏置 方法 | ||
本發(fā)明提供一種對Finger晶體管自動進(jìn)行偏置的方法,包括:獲取Finger晶體管的信息,對源極引腳、漏極引腳進(jìn)行分組,對引腳進(jìn)行組間分割和組間合并,生成對Finger晶體管中單根晶體管進(jìn)行測試的目標(biāo)源極引腳、漏極引腳和柵極引腳。本發(fā)明方法,通過執(zhí)行有限的步驟,自動完成對Finger晶體管的偏置過程,能確定對Finger晶體管中選定的單根晶體管進(jìn)行測試的目標(biāo)源極引腳、目標(biāo)漏極引腳和目標(biāo)柵極引腳,對廠商進(jìn)行設(shè)計生產(chǎn)等的指導(dǎo)具有重大意義。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是關(guān)于半導(dǎo)體設(shè)計和生產(chǎn)領(lǐng)域,特別涉及一種對Finger晶體管自動進(jìn)行偏置(bias)的方法。
背景技術(shù)
隨著集成電路制造技術(shù)和工藝的快速發(fā)展,集成電路的設(shè)計變得越來越復(fù)雜,半導(dǎo)體器件的技術(shù)節(jié)點也在不斷減小。在半導(dǎo)體集成電路中,半導(dǎo)體晶體管是其中最為重要的元件之一,其中Finger(叉指)晶體管是指做成叉指形狀的單個晶體管,是GDS版圖中比較常見的晶體管結(jié)構(gòu)。
為了測試Finger晶體管中某一對指定源極和漏極的特征參數(shù),需要將其他部分在M層短路,從而去掉干擾,這個做法稱為Finger-bias。目前通常是通過技術(shù)人員來進(jìn)行人為在版圖上完成Finger-bias,實現(xiàn)分割和合并M層的坐標(biāo)形狀選擇。但是,F(xiàn)inger晶體管在結(jié)構(gòu)上非常復(fù)雜,導(dǎo)致技術(shù)人員在人為操作Finger-bias時,不但難度比較高而且工作效率不高。
因此目前十分需要研究一種對Finger晶體管自動進(jìn)行偏置的方法,能夠通過執(zhí)行有限的步驟來自動完成Finger-bias,對廠商進(jìn)行設(shè)計生產(chǎn)等的指導(dǎo)具有重大意義。
所述背景技術(shù)部分公開的上述信息僅用于加強(qiáng)對本公開的背景的理解,因此它可以包括不構(gòu)成對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。背景技術(shù)部分的內(nèi)容僅僅是公開人所知曉的技術(shù),并不當(dāng)然代表本領(lǐng)域的已有的現(xiàn)有技術(shù)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足,提供一種對Finger結(jié)構(gòu)晶體管自動進(jìn)行偏置的方法。為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的解決方案是:
提供一種對Finger晶體管自動進(jìn)行偏置的方法,用于生成對Finger晶體管中單根晶體管進(jìn)行測試的引腳,具體包括:步驟1:獲取Finger晶體管的信息,包括:源極、漏極、柵極,以及源極引腳、漏極引腳和柵極引腳;所述源極引腳、所述漏極引腳和所述柵極引腳都在M層,且所述源極引腳、所述漏極引腳和所述柵極引腳分別通過對應(yīng)的通孔與所述源極、所述漏極、所述柵極相連;將Finger晶體管中的待測單根晶體管的柵極記為目標(biāo)Gate,設(shè)柵極延伸方向為水平方向,垂直于柵極延伸方向為垂直方向。步驟2:對所述源極引腳、所述漏極引腳進(jìn)行分組,以所述目標(biāo)Gate在所述水平方向的中線為界,將位于目標(biāo)Gate一側(cè)的通孔對應(yīng)的源極引腳記為S1,以及對應(yīng)的漏極引腳記為D1;將位于目標(biāo)Gate另一側(cè)的通孔對應(yīng)的源極引腳記為S2,以及對應(yīng)的漏極引腳記為D2。步驟3:對所述源極引腳、所述漏極引腳進(jìn)行組間分割,包括對所述S1、所述S2進(jìn)行組間分割,使所述S1和所述S2之間不連通;對所述D1、所述D2進(jìn)行組間分割,使所述D1和所述D2之間不連通。步驟4:對所述源極引腳、所述漏極引腳進(jìn)行組間合并,包括對所述S1、所述D1進(jìn)行組間合并,使所述S1和所述D1之間連通并標(biāo)記為SD1;對所述S2、所述D2進(jìn)行組間合并,使所述S2和所述D2之間連通并標(biāo)記為SD2。步驟5:確定目標(biāo)源極引腳、目標(biāo)漏極引腳、目標(biāo)柵極引腳。
優(yōu)選的,所述步驟3中,對源極引腳、漏極引腳進(jìn)行組間分割的方法,具體包括:若S1和S2都存在,在M層對所述S1和所述S2進(jìn)行分割操作,使所述S1和所述S2在M層切掉最少面積的連接結(jié)構(gòu)實現(xiàn)斷開連接,實現(xiàn)分割;如無法成功分割,則結(jié)束,并標(biāo)記此Finger晶體管無法自動處理bias;若S1和S2中有一個不存在,則無需進(jìn)行分割操作;若D1和D2都存在,在M層對所述D1和所述D2進(jìn)行分割操作,使所述D1和所述D2在M層通過切掉最少面積的連接結(jié)構(gòu)實現(xiàn)斷開連接,實現(xiàn)分割;如無法成功分割,則結(jié)束,并標(biāo)記此Finger晶體管無法自動處理bias;若D1和D2中有一個不存在,則無需進(jìn)行分割操作。
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