[發(fā)明專利]顯示面板及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110521953.2
• 申請日: 2021-05-13
• 公開（公告）號: CN113270424B
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李金明
• 申請（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 呂姝娟

本發(fā)明公開了一種顯示面板及其制備方法。所述顯示面板包括一襯底、間隔設(shè)置于所述襯底上的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；所述第一薄膜晶體管包括位于所述襯底上的第一柵極、位于所述第一柵極上方的第一有源層、及位于所述第一有源層上的第一源漏極層；所述第二薄膜晶體管包括位于所述襯底上的第二源漏極層、位于所述第二源漏極層上方且與所述第二源漏極層連接的金屬氧化物半導(dǎo)體層、及位于所述金屬氧化物半導(dǎo)體層上方的第二柵極。本發(fā)明中通過第一柵極與第二源漏極層同層設(shè)置且采用同一道制程一體成型；第一源漏極層與第二柵極同層設(shè)置且采用同一道制程一體成型，減少顯示面板制程中的光罩使用數(shù)量，簡化工藝流程，提升顯示面板的產(chǎn)品質(zhì)量。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示面板及其制備方法。

背景技術(shù)

目前大部分的顯示面板設(shè)備采用的是低溫多晶硅(Low TemperaturePoly-silicon，LTPS)薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)的面板技術(shù)。在經(jīng)歷過去數(shù)年的改良，LTPS顯示面板擁有高分辨率、高反應(yīng)速度、高亮度、高開口率等優(yōu)勢，使其成為了當(dāng)今市面上最成熟和主流的TFT面板技術(shù)方案。雖然LTPS顯示面板盡管受到了市場歡迎，但其具有生產(chǎn)成本較高、所需功耗較大的劣勢，增加成本，將LTPS顯示面板技術(shù)和氧化物(Oxide)顯示面板技術(shù)相結(jié)合得到的低溫多晶氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide，LTPO)顯示面板，LTPO顯示面板不僅具有LTPS顯示面板的高分辨率、高反應(yīng)速度、高亮度、高開口率等優(yōu)勢，其還具有生產(chǎn)成本低和功耗低的優(yōu)勢。

但是，現(xiàn)有的LTPO制程中通常使用9-12道光罩，光罩?jǐn)?shù)目較多；如何減少光罩?jǐn)?shù)量，簡化工藝流程是目前亟需解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于，提供一種顯示面板及其制備方法，通過柵極層與源漏極層采用同一道制程一體成型，減少顯示面板制程中的光罩使用數(shù)量，簡化工藝流程，提升顯示面板的產(chǎn)品質(zhì)量。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的實施例提供一種顯示面板，所述顯示面板包括一襯底、間隔設(shè)置于所述襯底上的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；

所述第一薄膜晶體管包括位于所述襯底上的第一柵極、位于所述第一柵極上方的第一有源層、及位于所述第一有源層上的第一源漏極層；

所述第二薄膜晶體管包括位于所述襯底上的第二源漏極層、位于所述第二源漏極層上方且與所述第二源漏極層連接的金屬氧化物半導(dǎo)體層、及位于所述金屬氧化物半導(dǎo)體層上方的第二柵極；

其中，所述第一柵極與所述第二源漏極層同層設(shè)置且采用同一道制程一體成型，所述第一源漏極層與所述第二柵極同層設(shè)置且采用同一道制程一體成型。

在一些實施例中，所述金屬氧化物半導(dǎo)體層至少包括有源段；

所述第二源漏極層在所述襯底上的正投影與所述有源段在所述襯底上的正投影至少部分重合。

在一些實施例中，所述金屬氧化物半導(dǎo)體層還包括位于所述有源段兩端的第一連接段和第二連接段；所述第二源漏極層包括第二漏極和第二源極，所述襯底、第一柵極、第二漏極和所述第二源極上設(shè)有覆蓋所述第一柵極、第二漏極和所述第二源極的第一絕緣層，所述第一絕緣層設(shè)有與所述第二源極相對應(yīng)的第一過孔和與所述第二漏極相對應(yīng)的第二過孔，所述有源段一端通過所述第一連接段穿過所述第一過孔與所述第二漏極連接，所述有源段另一端通過所述第二連接段穿過所述第二過孔與所述第二源極連接；

所述第二漏極在所述襯底上的正投影與所述有源段在所述襯底上的正投影至少部分重合；或

所述第二源極在所述襯底上的正投影與所述有源段在所述襯底上的正投影至少部分重合。

在一些實施例中，所述第一有源層包括設(shè)置于所述第一柵極上方的多晶硅半導(dǎo)體層、及設(shè)置于所述多晶硅半導(dǎo)體層上的n型摻雜層。