[發明專利]顯示面板及其制備方法

有效

• 申請號: 202110521953.2
• 申請日: 2021-05-13
• 公開（公告）號: CN113270424B
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 李金明
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 呂姝娟

1.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括一襯底、間隔設置于所述襯底上的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；

所述第一薄膜晶體管包括位于所述襯底上的第一柵極、位于所述第一柵極上方的第一有源層、及位于所述第一有源層上的第一源漏極層；

所述第二薄膜晶體管包括位于所述襯底上的第二源漏極層、位于所述第二源漏極層上方且與所述第二源漏極層連接的金屬氧化物半導體層、及位于所述金屬氧化物半導體層上方的第二柵極；

其中，所述第一柵極與所述第二源漏極層同層設置且采用同一道制程一體成型，所述第一源漏極層與所述第二柵極同層設置且采用同一道制程一體成型。

2.如權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述金屬氧化物半導體層至少包括有源段；

所述第二源漏極層在所述襯底上的正投影與所述有源段在所述襯底上的正投影至少部分重合。

3.如權利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述金屬氧化物半導體層還包括位于所述有源段兩端的第一連接段和第二連接段；

所述第二源漏極層包括第二漏極和第二源極，所述襯底、第一柵極、第二漏極和所述第二源極上設有覆蓋所述第一柵極、第二漏極和所述第二源極的第一絕緣層，所述第一絕緣層設有與所述第二源極相對應的第一過孔和與所述第二漏極相對應的第二過孔，所述有源段一端通過所述第一連接段穿過所述第一過孔與所述第二漏極連接，所述有源段另一端通過所述第二連接段穿過所述第二過孔與所述第二源極連接；

所述第二漏極在所述襯底上的正投影與所述有源段在所述襯底上的正投影至少部分重合；或

所述第二源極在所述襯底上的正投影與所述有源段在所述襯底上的正投影至少部分重合。

4.如權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一有源層包括設置于所述第一柵極上方的多晶硅半導體層、及設置于所述多晶硅半導體層上的n型摻雜層。

5.如權利要求4所述的顯示面板，其特征在于，所述n型摻雜層包括間隔設置于所述多晶硅半導體層上的第一摻雜子層和第二摻雜子層；

所述第一源漏極層包括分別與所述多晶硅半導體層連接的第一源極和第一漏極，所述第一摻雜子層位于所述多晶硅半導體層與所述第一源極之間，所述第二摻雜子層位于所述多晶硅半導體層與所述第一漏極之間。

6.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，在所述襯底上形成間隔設置的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；

所述的在所述襯底上形成所述第一薄膜晶體管的步驟包括：

在所述襯底上形成第一柵極；

在所述第一柵極上方形成第一有源層；

在所述第一有源層上形成第一源漏極層；

所述的在所述襯底上形成所述第二薄膜晶體管的步驟包括：

在所述襯底上形成第二源漏極層；

在所述第二源漏極層上方形成與所述第二源漏極層連接的金屬氧化物半導體層；

在所述金屬氧化物半導體層上方形成第二柵極；

其中，所述第一柵極與所述第二源漏極層同層設置且采用同一道制程一體成型；所述第一源漏極層與所述第二柵極同層設置且采用同一道制程一體成型。

7.如權利要求6所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，所述金屬氧化物半導體層至少包括有源段；

所述第二源漏極層在所述襯底上的正投影與所述有源段在所述襯底上的正投影至少部分重合。