[發(fā)明專利]一種“芯片式”Z型光催化劑板及其應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110514454.0 | 申請(qǐng)日: | 2021-05-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113209966B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-02-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫松;王雪;蔡夢(mèng)蝶;魏宇學(xué);郭立升 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 安徽大學(xué) |
| 主分類號(hào): | B01J23/68 | 分類號(hào): | B01J23/68;B01J23/52;B01J23/89;C01B3/04 |
| 代理公司: | 合肥中悟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 34191 | 代理人: | 張婉 |
| 地址: | 230000 *** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 芯片 光催化劑 及其 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種“芯片式”Z型光催化劑板,產(chǎn)氫光催化劑HEP以陣列形式和產(chǎn)氧光催化劑OEP均勻互嵌錨定在電子介質(zhì)層基底上,形成均勻互嵌陣列“芯片式”Z型光催化劑板,本發(fā)明制備的“芯片式”Z型光催化劑板具有均勻的HEP、OEP分布且規(guī)則陣列錨定在電子介質(zhì)層M上,這種特殊的Z型光催化設(shè)計(jì)加快了電荷傳輸,且吸光性能顯著增強(qiáng),有良好的光催化全解水產(chǎn)氫產(chǎn)氧反應(yīng)性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光催化材料領(lǐng)域,具體涉及一種高效光催化全解水的均勻互嵌陣列“芯片式”Z型光催化劑板與應(yīng)用。
背景技術(shù)
隨著能源危機(jī)、氣候變化等問(wèn)題的日益嚴(yán)重,太陽(yáng)能因其清潔、可再生和可持續(xù)的性質(zhì)吸引了人們的關(guān)注,開(kāi)發(fā)一種高效、低成本的催化劑來(lái)加速光催化反應(yīng)對(duì)于清潔能源生產(chǎn)和環(huán)境修復(fù)是至關(guān)重要的,通過(guò)利用太陽(yáng)能全分解水產(chǎn)氫產(chǎn)氧是利用太陽(yáng)能作為可再生資源的重要途徑之一。“Z型反應(yīng)”體系是通過(guò)模擬自然光合作用通過(guò)有效地抑制電子空穴復(fù)合、更加寬的太陽(yáng)光吸收范圍和高氧化還原能力而被廣泛應(yīng)用于可見(jiàn)光全解水反應(yīng)。
在Z型光催化材料的研究中,前期主要是使用氧化還原電子對(duì)來(lái)實(shí)現(xiàn)電子傳輸,這類離子態(tài)Z型光催化體系在光催化反應(yīng)過(guò)程中存在一系列問(wèn)題:1)氧化還原電對(duì)的副反應(yīng)(非循環(huán)電對(duì)反應(yīng));2)氧化還原電對(duì)的吸光特性會(huì)降低半導(dǎo)體催化劑的光吸收;3)反應(yīng)條件苛刻:對(duì)pH、電勢(shì)等敏感;4)體系中HEP和OEP光催化劑懸浮在氧化還原電子介體溶液中,統(tǒng)計(jì)學(xué)上的碰撞機(jī)率導(dǎo)致光生載流子的傳遞與作用效率低。
針對(duì)上述問(wèn)題,研究者們開(kāi)發(fā)了無(wú)氧化還原電對(duì)的Z型體系,即全固態(tài)Z型光催化懸浮液體系,全固態(tài)Z型光催化懸浮液體系利用催化劑間的直接或間接表面接觸實(shí)現(xiàn)電荷的高效傳輸,同時(shí)降低了副反應(yīng)的發(fā)生幾率,顯著提高了光催化效率。然而該類全固態(tài)Z型體系由于半導(dǎo)體和電荷傳輸介體之間不能保證良好的歐姆接觸,電荷傳輸效率受限,并且在粉末懸浮液體系中只有處于上方少部分光催化劑對(duì)光有吸收,下方顆粒光催化受遮光影響,導(dǎo)致光催化反應(yīng)效率仍然很低。
針對(duì)懸浮液體系存在的弊端,2016年Domen教授課題組取得了很大突破,研制出一種“粉末轉(zhuǎn)移(particle transfer)”Z型光催化劑板(SrTiO3:La,Rh/Au/BiVO4:Mo),利用導(dǎo)電層作為HEP和OEP之間的電子介質(zhì),大幅提升了全解水反應(yīng)性能。但是,其體系仍有一定的局限性,HEP、OEP的分布仍比較隨機(jī)不夠均勻,致使Z型光催化劑板上的光生載流子快速分離和轉(zhuǎn)移受阻,同時(shí)可能會(huì)有少量的HEP、OEP呈多層分布,致使光吸收性能受限,因此,開(kāi)發(fā)新型Z型光催化體系尤為重要。
本發(fā)明提出的一種用于高效光催化全解水的均勻互嵌“芯片式”Z型光催化劑板可有效解決這一問(wèn)題,通過(guò)對(duì)負(fù)載電子介質(zhì)的HEP芯片式刻蝕直至介質(zhì)層,再在通道內(nèi)定向生長(zhǎng)OEP,將HEP和OEP規(guī)則錨定在導(dǎo)電基底上,顯著改善載流子傳輸效率低、HEP和OEP分布不均勻、吸光效率低等一系列問(wèn)題,為緩解溫室效應(yīng)引起的全球氣候變化并取代人們對(duì)化石燃料的依賴提供了一個(gè)重要途徑。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種高效光催化全解水的均勻互嵌陣列“芯片式”Z型光催化劑板與應(yīng)用。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
一種“芯片式”Z型光催化劑板,產(chǎn)氫光催化劑HEP以陣列形式和產(chǎn)氧光催化劑OEP均勻互嵌錨定在電子介質(zhì)層基底上,形成均勻互嵌陣列“芯片式”Z型光催化劑板。
所述產(chǎn)氫光催化劑HEP的陣列是由芯片光刻蝕法、微通道刻蝕、AAO反蛋白石模板法、納米線陣列等制備方法獲得。
所述產(chǎn)氧光催化劑OEP由化學(xué)定向劑板通過(guò)原位生長(zhǎng)、噴涂、滴涂等方法獲得。
所述電子介質(zhì)層可以為Au、Ag、Pt、Pd、Cd等中的任意一種。
所述電子介質(zhì)層可以由磁控濺射、激光脈沖沉積、熱蒸鍍等方法獲得。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于安徽大學(xué),未經(jīng)安徽大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110514454.0/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 在線應(yīng)用平臺(tái)上應(yīng)用間通信的回調(diào)應(yīng)答方法、應(yīng)用及在線應(yīng)用平臺(tái)
- 應(yīng)用使用方法、應(yīng)用使用裝置及相應(yīng)的應(yīng)用終端
- 應(yīng)用管理設(shè)備、應(yīng)用管理系統(tǒng)、以及應(yīng)用管理方法
- 能力應(yīng)用系統(tǒng)及其能力應(yīng)用方法
- 應(yīng)用市場(chǎng)的應(yīng)用搜索方法、系統(tǒng)及應(yīng)用市場(chǎng)
- 使用應(yīng)用的方法和應(yīng)用平臺(tái)
- 應(yīng)用安裝方法和應(yīng)用安裝系統(tǒng)
- 使用遠(yuǎn)程應(yīng)用進(jìn)行應(yīng)用安裝
- 應(yīng)用檢測(cè)方法及應(yīng)用檢測(cè)裝置
- 應(yīng)用調(diào)用方法、應(yīng)用發(fā)布方法及應(yīng)用發(fā)布系統(tǒng)





