[發(fā)明專利]轉(zhuǎn)移工具及轉(zhuǎn)移方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110509739.5 | 申請日: | 2021-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN113241315B | 公開(公告)日: | 2023-06-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蕭博唐 | 申請(專利權(quán))人: | 友達(dá)光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/683;H01L33/48;H01L25/075;H01L27/15 |
| 代理公司: | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 傅磊;黃艷 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 轉(zhuǎn)移 工具 方法 | ||
1.一種轉(zhuǎn)移工具,包括:
一基板;
一主動(dòng)加熱元件陣列,包括多個(gè)加熱單元,該些加熱單元以陣列形式排列于該基板上,且每一加熱單元包括一驅(qū)動(dòng)電路以及連接該驅(qū)動(dòng)電路的一加熱件;以及
一拾取件,配置于該主動(dòng)加熱元件陣列上,且包括一拾取面、一薄膜以及一隔墻層,其中該薄膜構(gòu)成該拾取面,該隔墻層配置于該基板上且具有多個(gè)孔穴,該薄膜密封該些孔穴以形成多個(gè)封閉腔體,
其中該拾取面響應(yīng)于至少一該加熱件的操作而具備一固有拾取力以及小于該固有拾取力的一調(diào)制拾取力。
2.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移工具,其中每一孔穴在該基板的法線方向上的深度小于該隔墻層在該基板的法線方向上的厚度。
3.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移工具,其中每一孔穴在該基板的法線方向上的高度大于其在垂直該基板的法線的一方向上的寬度。
4.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移工具,其中該隔墻層具有多個(gè)隔墻,該些隔墻定義該些孔穴,且每一隔墻在垂直該基板的法線的一方向上的厚度,大于每一孔穴在該方向上的寬度。
5.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移工具,其中該薄膜包括至少一凸塊,且該至少一凸塊的一表面構(gòu)成該拾取面。
6.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移工具,其中該薄膜為一熱形變薄膜。
7.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移工具,其中該薄膜的材質(zhì)包括聚二甲基硅氧烷。
8.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移工具,其中該拾取件還包括配置于該基板上的一熱傳導(dǎo)層,該熱傳導(dǎo)層具有多個(gè)孔穴,每一孔穴在該基板的法線方向上的深度小于該熱傳導(dǎo)層在該基板的法線方向上的厚度。
9.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移工具,其中該拾取件包括一熱變質(zhì)層,且該熱變質(zhì)層構(gòu)成該拾取面。
10.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移工具,其中該驅(qū)動(dòng)電路包括一第一主動(dòng)元件、一第二主動(dòng)元件以及一電容,且該第一主動(dòng)元件連接在該第二主動(dòng)元件以及該加熱件之間。
11.如權(quán)利要求10所述的轉(zhuǎn)移工具,其中該加熱件與該第一主動(dòng)元件同層設(shè)置。
12.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移工具,其中該加熱件為一加熱絲,該加熱絲蜿蜒地設(shè)置于平行于該基板的一平面上,且該加熱絲在該平面的不同位置處的粗細(xì)及分布密度不同。
13.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移工具,還包括一絕緣層,設(shè)置于該驅(qū)動(dòng)電路以及該加熱件之間。
14.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移工具,還包括一保護(hù)層,設(shè)置于該主動(dòng)加熱元件陣列以及該拾取件之間。
15.一種轉(zhuǎn)移方法,包括:
提供一轉(zhuǎn)移工具,該轉(zhuǎn)移工具包括:
一基板;
一主動(dòng)加熱元件陣列,包括多個(gè)加熱單元,該些加熱單元以陣列形式排列于該基板上,且每一加熱單元包括一驅(qū)動(dòng)電路以及連接該驅(qū)動(dòng)電路的一加熱件;以及
一拾取件,配置于該主動(dòng)加熱元件陣列上,且包括一拾取面、一薄膜以及一隔墻層,其中該薄膜構(gòu)成該拾取面,該隔墻層配置于該基板上且具有多個(gè)孔穴,該薄膜密封該些孔穴以形成多個(gè)封閉腔體,該拾取面具有一固有拾取力;以及
使用至少一個(gè)加熱單元的該驅(qū)動(dòng)電路致能該至少一個(gè)加熱單元的該加熱件,使得該拾取面的至少一部分具有的該固有拾取力調(diào)制成小于該固有拾取力的一調(diào)制拾取力。
16.如權(quán)利要求15所述的轉(zhuǎn)移方法,還包括:
使該拾取面的該至少一部分以該固有拾取力自一第一基板拾起至少一工件;以及
使該拾取面的該至少一部分以該調(diào)制拾取力將該至少一工件釋放于一第二基板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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