[發(fā)明專利]銅鉬蝕刻劑組合物，銅鉬膜層的蝕刻方法與顯示面板

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• 申請日: 2021-05-10
• 公開（公告）號(hào): CN113278975A
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何毅烽
• 申請（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): C23F1/18
• 分類號(hào): C23F1/18;C23F1/26;C23F1/02;G02F1/13
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 呂姝娟

1.一種銅鉬蝕刻劑組合物，其特征在于，所述銅鉬蝕刻劑組合物包括：過氧化氫、水以及蝕刻輔助劑，其中，所述蝕刻輔助劑在所述銅鉬蝕刻劑組合物中的質(zhì)量百分含量為4wt％-20wt％，所述蝕刻輔助劑包括過氧化氫穩(wěn)定劑、蝕刻抑制劑、蝕刻添加劑以及pH調(diào)節(jié)劑。

2.如權(quán)利要求1所述的銅鉬蝕刻劑組合物，其特征在于，在所述銅鉬蝕刻劑組合物中，所述過氧化氫的質(zhì)量百分含量為10wt％-20wt％，所述過氧化氫穩(wěn)定劑的質(zhì)量百分含量為0.1wt％-2wt％，所述蝕刻抑制劑的質(zhì)量百分含量為0.1wt％-1wt％，所述蝕刻添加劑的質(zhì)量百分含量為2wt％-10wt％，所述pH調(diào)節(jié)劑的質(zhì)量百分含量為0.1wt％-5wt％。

3.如權(quán)利要求1所述的銅鉬蝕刻劑組合物，其特征在于，所述過氧化氫穩(wěn)定劑選自脲類化合物、磷酸鹽或醇類化合物中的至少一種。

4.如權(quán)利要求1所述的銅鉬蝕刻劑組合物，其特征在于，所述蝕刻抑制劑選自唑類化合物、噻吩類化合物、吲哚類化合物、嘌呤類化合物、嘧啶類化合物、吡咯類化合物中的至少一種。

5.如權(quán)利要求1所述的銅鉬蝕刻劑組合物，其特征在于，所述蝕刻添加劑選自胺類化合物、有機(jī)酸以及無機(jī)酸中的至少兩種。

6.如權(quán)利要求1所述的銅鉬蝕刻劑組合物，其特征在于，所述pH調(diào)節(jié)劑選自無機(jī)酸或無機(jī)堿中的至少一種。

7.如權(quán)利要求1所述的銅鉬蝕刻劑組合物，其特征在于，所述銅鉬蝕刻劑組合物的pH值為2-4。

8.一種銅鉬膜層的蝕刻方法，其特征在于，所述蝕刻方法包括如下步驟：

提供一基板，在所述基板上形成銅鉬膜層；

在所述銅鉬膜層上形成光阻層；

在所述光阻層的遮蔽下，使用權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的銅鉬蝕刻劑組合物對所述銅鉬膜層進(jìn)行蝕刻；以及

剝離去除所述光阻層。

9.如權(quán)利要求8所述的銅鉬膜層的蝕刻方法，其特征在于，所述銅鉬蝕刻劑組合物的溫度為30-35℃。

10.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括一金屬層，所述金屬層為銅鉬膜層構(gòu)成，并由權(quán)利要求8或9任意一項(xiàng)所述的銅鉬膜層的蝕刻方法蝕刻形成。