[發(fā)明專利]銅鉬蝕刻劑組合物,銅鉬膜層的蝕刻方法與顯示面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110507286.2 | 申請日: | 2021-05-10 |
| 公開(公告)號: | CN113278975A | 公開(公告)日: | 2021-08-20 |
| 發(fā)明(設計)人: | 何毅烽 | 申請(專利權(quán))人: | TCL華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | C23F1/18 | 分類號: | C23F1/18;C23F1/26;C23F1/02;G02F1/13 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 呂姝娟 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 蝕刻 組合 銅鉬膜層 方法 顯示 面板 | ||
本發(fā)明提供了一種銅鉬蝕刻劑組合物,銅鉬膜層的蝕刻方法與顯示面板,所述銅鉬蝕刻劑組合物包括:過氧化氫、水以及蝕刻輔助劑,其中,所述蝕刻輔助劑在所述銅鉬蝕刻劑組合物中的質(zhì)量百分含量為4wt%?20wt%,所述蝕刻輔助劑包括過氧化氫穩(wěn)定劑、蝕刻抑制劑、蝕刻添加劑以及pH調(diào)節(jié)劑。在該銅鉬蝕刻劑中,除必須的蝕刻成分過氧化氫以及水以外,其他所添加的蝕刻輔助劑的含量少,大大降低了生產(chǎn)制造的成本,同時該銅鉬蝕刻劑仍具備良好的蝕刻性能,可有效避免鉬殘不良的發(fā)生,且具有較長的使用壽命。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種銅鉬蝕刻劑組合物,銅鉬膜層的蝕刻方法與顯示面板。
背景技術(shù)
在高世代的液晶顯示器的生產(chǎn)工藝中,為了降低阻抗,提高電性,通常會用銅/鉬膜層布線代替鋁膜層布線。銅金屬活潑性(還原性)遠低于鋁,因此對銅的蝕刻比鋁困難得多。相對于鋁蝕刻劑為氧化劑與酸(硝酸+乙酸+磷酸)的簡單組合相比,銅鉬蝕刻劑組成要為復雜,銅鉬蝕刻劑的各組分處于合適的比例,材料及蝕刻特性才能滿足規(guī)格。正因組成復雜,銅鉬蝕刻劑在開發(fā)過程中始終會遇上各種問題,如鉬殘留,低切,掏空等形貌缺陷及壽命低等問題。
目前,為了增加開態(tài)電流和降低關(guān)態(tài)電流,薄膜晶體管的源漏金屬層中的源極和漏電極間的溝道在允許范圍內(nèi)越窄越好,即銅/鉬膜層線寬要盡量長。在此條件下,銅蝕刻劑對銅/鉬膜層的蝕刻時間就要減小,所以容易造成鉬的殘留。鉬殘的存在,容易造成電極間短路或異常放電等問題,因此對銅鉬蝕刻劑的蝕刻性能提出了更高的要求,此處,所述的鉬殘不良現(xiàn)象請參閱圖1,相較圖2所示的蝕刻后無鉬殘現(xiàn)象的表面形貌,可觀察到在無銅鉬膜層的區(qū)域,表面存在整面的麻點狀異物,即為底層的鉬膜層未被蝕刻完全而導致的殘留。此外,在濕蝕刻工藝過程中需要消耗大量的蝕刻劑,蝕刻劑達到壽命終點蝕刻特性發(fā)生較大變化即要轉(zhuǎn)為廢液,所以無論是從成本效益或是環(huán)保方面考慮,提高銅鉬蝕刻劑的壽命都尤為重要,而目前業(yè)界為了提高銅蝕刻劑壽命,通常會添加大量功能性添加劑,這無疑會增加蝕刻劑原料成本。據(jù)調(diào)研發(fā)現(xiàn),目前市場上能兼顧優(yōu)良鉬殘狀況,低添加劑含量及高壽命的銅蝕刻劑少之又少,因此開發(fā)改善鉬殘,低添加劑及高壽命的銅蝕刻劑意義重大。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種銅鉬蝕刻劑組合物,銅鉬膜層的蝕刻方法與顯示面板,所述銅鉬蝕刻劑組合物中蝕刻輔助劑的含量低,且可解決蝕刻過程中易出現(xiàn)鉬殘的問題,具有較高的壽命。
為解決上述問題,第一方面,本發(fā)明提供一種銅鉬蝕刻劑組合物,所述銅鉬蝕刻劑組合物包括:過氧化氫、水以及蝕刻輔助劑,其中,所述蝕刻輔助劑在所述銅鉬蝕刻劑組合物中的質(zhì)量百分含量為4wt%-20wt%,所述蝕刻輔助劑包括過氧化氫穩(wěn)定劑、蝕刻抑制劑、蝕刻添加劑以及pH調(diào)節(jié)劑。
在本發(fā)明實施例提供的一銅鉬蝕刻劑組合物中,所述過氧化氫的質(zhì)量百分含量為10wt%-20wt%,所述過氧化氫穩(wěn)定劑的質(zhì)量百分含量為0.1wt%-2wt%,所述蝕刻抑制劑的質(zhì)量百分含量為0.1wt%-1wt%,所述蝕刻添加劑的質(zhì)量百分含量為2wt%-10wt%,所述pH調(diào)節(jié)劑的質(zhì)量百分含量為0.1wt%-5wt%。
在本發(fā)明實施例提供的一銅鉬蝕刻劑組合物中,所述過氧化氫穩(wěn)定劑選自脲類化合物、磷酸鹽或醇類化合物中的至少一種。
在本發(fā)明實施例提供的一銅鉬蝕刻劑組合物中,所述蝕刻抑制劑選自唑類化合物、噻吩類化合物、吲哚類化合物、嘌呤類化合物、嘧啶類化合物、吡咯類化合物中的至少一種。
在本發(fā)明實施例提供的一銅鉬蝕刻劑組合物中,所述蝕刻添加劑選自胺類化合物、有機酸以及無機酸中的至少兩種。
在本發(fā)明實施例提供的一銅鉬蝕刻劑組合物中,所述pH調(diào)節(jié)劑選自無機酸或無機堿中的至少一種。
在本發(fā)明實施例提供的一銅鉬蝕刻劑組合物中,所述銅鉬蝕刻劑組合物的pH值為2-4。
第二方面,本發(fā)明還提供了一種,銅鉬膜層的蝕刻方法,所述蝕刻方法包括如下步驟:
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