[發明專利]微發光二極管、微發光元件及顯示器

在審

• 申請號: 202110506934.2
• 申請日: 2021-05-10
• 公開（公告）號: CN113328022A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 吳政;李佳恩
• 申請（專利權）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;H01L33/46;G09F9/33
• 代理公司: 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479
• 代理人: 王立紅

本申請公開了一種微發光二極管、微發光元件及顯示器，該微發光二極管包括半導體堆疊層，半導體堆疊層具有相對設置的第一表面和第二表面；第一表面包括粗糙部和平臺部，平臺部環繞于粗糙部的外圍，且粗糙部相對于平臺部向第二表面方向凹陷。本申請中平臺部主要是利用保護層預先覆蓋第一表面的部分區域并在對第一表面粗化過程中避免保護層所覆蓋的區域被移除或減薄而成，在形成平臺部時，若半導體堆疊層側壁有絕緣層，則能夠避免半導體堆疊層側壁處的絕緣層暴露在蝕刻流體下，從而避免絕緣層受到損傷而導致絕緣層失效，提高微發光二極管的可靠性及出光效率。

技術領域

本申請涉及半導體相關技術領域，尤其涉及一種微發光二極管、微發光元件及顯示器。

背景技術

微發光二極管具有低功耗、高度亮、超高分辨率與色彩飽和度、響應速度快、壽命長等優點，是目前熱門研究的下一代顯示器光源，且對微發光二極管的出光效率提出更高要求。現有提高微發光二極管的出光效率的方法包括在微發光二極管的側壁鍍有絕緣層或者對微發光二極管的出光面進行粗化。在對出光面粗化過程中，微發光二極管的側壁暴露在蝕刻流體下，尤其是在微發光二極管的側壁鍍有絕緣層時，該絕緣層因暴露在蝕刻流體下受到損傷導致絕緣層失效，影響微發光二極管的出光效率。

發明內容

本申請的目的是提供一種微發光二極管，其能夠在半導體堆疊層側壁有絕緣層時，避免側壁處的絕緣層因暴露在蝕刻流體下受到損傷而導致絕緣層失效，以提高微發光二極管的出光效率。

另一目的還在于提供一種微發光元件，以及一種顯示器。

第一方面，本申請實施例提供一種微發光二極管，其包括：

半導體堆疊層，具有相對設置的第一表面和第二表面；第一表面包括粗糙部和平臺部，平臺部環繞于粗糙部的外圍，且粗糙部相對于平臺部向第二表面方向凹陷。

在一種可能的實施方案中，微發光二極管的寬度為2～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm；

微發光二極管的長度為2～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm。

在一種可能的實施方案中，粗糙部與第一表面邊緣的距離D₂等于或大于0.5μm，且小于或等于1μm。

在一種可能的實施方案中，半導體堆疊層包括相連的第一部和第二部，第一部位于半導體堆疊層靠近第一表面的一側，第二部位于半導體堆疊層遠離第一表面的一側；第一部的寬度等于第二部的寬度；

或者，第一部的寬度小于第二部的寬度；

或者，第一部的寬度大于第二部的寬度。

在一種可能的實施方案中，在第一部的寬度大于第二部的寬度時，第一部的厚度等于或大于0.5μm。

在一種可能的實施方案中，該微發光二極管還包括：

絕緣層，部分或完全覆蓋半導體堆疊層的第二表面。

在一種可能的實施方案中，絕緣層為分布式布拉格反射鏡；分布式布拉格反射鏡的材料之一為氧化鈦。

在一種可能的實施方案中，絕緣層覆蓋的區域還包括半導體堆疊層的至少部分側壁。

在一種可能的實施方案中，位于半導體堆疊層側壁的絕緣層包括側部和水平部，側部與水平部的交點落在半導體堆疊層的內部。

在一種可能的實施方案中，側部與水平部的交點位于半導體堆疊層遠離粗糙部的一側。

在一種可能的實施方案中，交點與半導體堆疊層最外側之間的距離D₁等于或大于0.5μm。

在一種可能的實施方案中，該微發光二極管還包括：