[發明專利]微發光二極管、微發光元件及顯示器

在審

• 申請號: 202110506934.2
• 申請日: 2021-05-10
• 公開（公告）號: CN113328022A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 吳政;李佳恩
• 申請（專利權）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;H01L33/46;G09F9/33
• 代理公司: 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479
• 代理人: 王立紅

1.一種微發光二極管，其特征在于，包括：

半導體堆疊層，具有相對設置的第一表面和第二表面；所述第一表面包括粗糙部和平臺部，所述平臺部環繞于所述粗糙部的外圍，且所述粗糙部相對于所述平臺部向第二表面方向凹陷。

2.根據權利要求1所述的微發光二極管，其特征在于，所述微發光二極管的寬度為2～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm；

所述微發光二極管的長度為2～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm。

3.根據權利要求1所述的微發光二極管，其特征在于，所述粗糙部與所述第一表面邊緣的距離D₂等于或大于0.5μm，且小于或等于1μm。

4.根據權利要求1所述的微發光二極管，其特征在于，所述半導體堆疊層包括相連的第一部和第二部，所述第一部位于所述半導體堆疊層靠近第一表面的一側，所述第二部位于所述半導體堆疊層遠離第一表面的一側；所述第一部的寬度等于所述第二部的寬度；

或者，所述第一部的寬度小于所述第二部的寬度；

或者，所述第一部的寬度大于所述第二部的寬度。

5.根據權利要求4所述的微發光二極管，其特征在于，在所述第一部的寬度大于所述第二部的寬度時，所述第一部的厚度等于或大于0.5μm。

6.根據權利要求1所述的微發光二極管，其特征在于，還包括：

絕緣層，部分或完全覆蓋所述半導體堆疊層的第二表面。

7.根據權利要求6所述的微發光二極管，其特征在于，所述絕緣層為分布式布拉格反射鏡；所述分布式布拉格反射鏡的材料之一為氧化鈦。

8.根據權利要求6所述的微發光二極管，其特征在于，所述絕緣層覆蓋的區域還包括所述半導體堆疊層的至少部分側壁。

9.根據權利要求8所述的微發光二極管，其特征在于，位于半導體堆疊層側壁的所述絕緣層包括側部和水平部，所述側部與所述水平部的交點落在所述半導體堆疊層的內部。

10.根據權利要求9所述的微發光二極管，其特征在于，所述側部與所述水平部的交點位于所述半導體堆疊層遠離粗糙部的一側。

11.根據權利要求9所述的微發光二極管，其特征在于，所述交點與半導體堆疊層最外側之間的距離D₁等于或大于0.5μm。

12.根據權利要求1～11中任一項所述的微發光二極管，其特征在于，還包括：

保護層，至少覆蓋所述平臺部。

13.根據權利要求12所述的微發光二極管，其特征在于，所述保護層的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化鋁的一種或多種。

14.根據權利要求12所述的微發光二極管，其特征在于，所述保護層的厚度為100～20000埃。

15.一種微發光元件，其特征在于，包括：

基板；

至少一個微發光二極管，每個所述微發光二極管包括半導體堆疊層；所述半導體堆疊層具有相對設置的第一表面和第二表面；所述第一表面包括粗糙部和平臺部，所述平臺部環繞于所述粗糙部的外圍，且所述粗糙部相對于所述平臺部向第二表面方向凹陷。

16.根據權利要求15的微發光元件，其特征在于，所述基板包括金屬基板、藍寶石襯底、玻璃、硅襯底、碳化硅襯底或者支撐膜。