[發明專利]微發光二極管、微發光元件及顯示器有效
| 申請號: | 202110506845.8 | 申請日: | 2021-05-10 |
| 公開(公告)號: | CN113328021B | 公開(公告)日: | 2023-10-03 |
| 發明(設計)人: | 王彥欽;陳勁華;郭桓邵;黃少華;李水清 | 申請(專利權)人: | 廈門三安光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/22 | 分類號: | H01L33/22;H01L33/44;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 王立紅 |
| 地址: | 361100 福建省廈門*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 發光 元件 顯示器 | ||
本申請公開了一種微發光二極管、微發光元件及顯示器,該微發光二極管包括半導體堆疊層,半導體堆疊層具有相對設置的第一表面和第二表面,且包括順序排列的第一類型半導體層、有源層和第二類型半導體層,第一類型半導體層位于靠近第一表面的一側;第一表面形成有粗糙部,在預定投影方向上粗糙部的投影落在有源層的投影內部,且粗糙部的投影面積等于或小于有源層的投影面積;預定投影方向垂直于第一表面。本申請通過使粗糙部的面積不大于有源層的面積,且第一表面除粗糙部之外的區域以及半導體堆疊層的側壁均因未被粗化而具有良好的全反射效果,增加半導體堆疊層的粗糙部出光,減小微發光二極管的出光角度,并改善該微發光二極管的色彩表現。
技術領域
本申請涉及半導體相關技術領域,尤其涉及一種微發光二極管、微發光元件及顯示器。
背景技術
微發光二極管具有低功耗、高度亮、超高分辨率與色彩飽和度、響應速度快、壽命長等優點,是目前熱門研究的下一代顯示器光源。若采用微發光二極管進行顯示,由于現有微發光二極管具有較小尺寸和較大出光角度,微發光二極管所發出的光束之間易相互干擾,進而影響該微發光二極管的色彩表現。
發明內容
本申請的目的是提供一種微發光二極管,其能夠減小微發光二極管的出光角度,并改善微發光二極管的色彩表現。
另一目的還在于提供一種微發光元件,以及一種顯示器。
第一方面,本申請實施例提供一種微發光二極管,其包括:
半導體堆疊層,具有相對設置的第一表面和第二表面;半導體堆疊層包括在第一表面和第二表面之間順序排列的第一類型半導體層、有源層和第二類型半導體層,第一類型半導體層位于靠近第一表面的一側;
粗糙部,形成在第一表面上;在預定投影方向上粗糙部的投影落在有源層的投影內部,且粗糙部的投影面積等于或小于有源層的投影面積;預定投影方向垂直于第一表面。
在一種可能的實施方案中,微發光二極管的寬度為2~5μm、5~10μm、10~20μm、20~50μm或50~100μm;
微發光二極管的長度為2~5μm、5~10μm、10~20μm、20~50μm或50~100μm。
在一種可能的實施方案中,粗糙部的投影面積等于或大于有源層的投影面積的60%,且小于或等于有源層的投影面積的100%。
在一種可能的實施方案中,該微發光二極管還包括:
絕緣層,部分或完全覆蓋半導體堆疊層的第二表面。
在一種可能的實施方案中,絕緣層覆蓋的區域還包括半導體堆疊層的至少部分側壁。
在一種可能的實施方案中,絕緣層為分布式布拉格反射鏡。
在一種可能的實施方案中,絕緣層的折射率介于1.4~2.6。
在一種可能的實施方案中,第一表面還包括有平臺部,平臺部位于粗糙部的外圍,且粗糙部相對于平臺部向第二表面方向凹陷。
在一種可能的實施方案中,該微發光二極管還包括:
保護層,覆蓋平臺部。
在一種可能的實施方案中,保護層的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化鋁的一種或多種。
在一種可能的實施方案中,保護層的厚度為100~20000埃。
第二方面,本申請實施例提供一種微發光元件,其包括:
基板;
至少一個微發光二極管,每個微發光二極管包括:
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