[發明專利]微發光二極管、微發光元件及顯示器

有效

• 申請號: 202110506845.8
• 申請日: 2021-05-10
• 公開（公告）號: CN113328021B
• 公開（公告）日: 2023-10-03
• 發明（設計）人: 王彥欽;陳勁華;郭桓邵;黃少華;李水清
• 申請（專利權）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;H01L33/44;G09F9/33
• 代理公司: 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479
• 代理人: 王立紅

1.一種微發光二極管，其特征在于，包括：

半導體堆疊層，具有相對設置的第一表面和第二表面；所述半導體堆疊層包括在所述第一表面和第二表面之間順序排列的第一類型半導體層、有源層和第二類型半導體層，所述第一類型半導體層位于靠近所述第一表面的一側；

粗糙部，形成在所述第一表面上；在預定投影方向上所述粗糙部的投影落在所述有源層的投影內部，且所述粗糙部的投影面積等于或小于所述有源層的投影面積；所述預定投影方向垂直于所述第一表面。

2.根據權利要求1所述的微發光二極管，其特征在于，所述微發光二極管的寬度為2～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm；

所述微發光二極管的長度為2～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm。

3.根據權利要求1所述的微發光二極管，其特征在于，所述粗糙部的投影面積等于或大于所述有源層的投影面積的60％，且小于或等于所述有源層的投影面積的100％。

4.根據權利要求1所述的微發光二極管，其特征在于，還包括：

絕緣層，部分或完全覆蓋所述半導體堆疊層的第二表面。

5.根據權利要求4所述的微發光二極管，其特征在于，所述絕緣層覆蓋的區域還包括所述半導體堆疊層的至少部分側壁。

6.根據權利要求4所述的微發光二極管，其特征在于，所述絕緣層為分布式布拉格反射鏡。

7.根據權利要求4所述的微發光二極管，其特征在于，所述絕緣層的折射率介于1.4～2.6。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的微發光二極管，其特征在于，所述第一表面還包括有平臺部，所述平臺部位于所述粗糙部的外圍，且所述粗糙部相對于所述平臺部向第二表面方向凹陷。

9.根據權利要求8所述的微發光二極管，其特征在于，還包括：

保護層，覆蓋所述平臺部。

10.根據權利要求9所述的微發光二極管，其特征在于，所述保護層的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化鋁的一種或多種。

11.根據權利要求9所述的微發光二極管，其特征在于，所述保護層的厚度為100～20000埃。

12.一種微發光元件，其特征在于，包括：

基板；

至少一個微發光二極管，每個所述微發光二極管包括：

半導體堆疊層，具有相對設置的第一表面和第二表面；所述半導體堆疊層包括在所述第一表面和第二表面之間順序排列的第一類型半導體層、有源層和第二類型半導體層，所述第一類型半導體層位于靠近所述第一表面的一側；

粗糙部，形成在所述第一表面上；在預定投影方向上所述粗糙部的投影落在所述有源層的投影內部，且所述粗糙部的投影面積等于或小于所述有源層的投影面積；所述預定投影方向垂直于所述第一表面。

13.根據權利要求12的微發光元件，其特征在于，所述基板包括金屬基板、藍寶石襯底、玻璃、硅襯底、碳化硅襯底或者支撐膜。

14.根據權利要求12所述的微發光元件，其特征在于，所述粗糙部的投影面積等于或大于所述有源層的投影面積的60％，且小于或等于所述有源層的投影面積的100％。

15.根據權利要求12所述的微發光元件，其特征在于，每個所述微發光二極管還包括：

絕緣層，部分或完全覆蓋所述半導體堆疊層的第二表面；所述絕緣層為分布式布拉格反射鏡。

16.根據權利要求15所述的微發光元件，其特征在于，所述絕緣層覆蓋的區域還包括所述半導體堆疊層的至少部分側壁。