[發明專利]微發光二極管、微發光元件及顯示器

在審

• 申請號: 202110505600.3
• 申請日: 2021-05-10
• 公開（公告）號: CN113328020A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 吳政;李佳恩;楊碩
• 申請（專利權）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;H01L33/44;G09F9/33
• 代理公司: 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479
• 代理人: 王立紅

本申請公開了一種微發光二極管、微發光元件及顯示器，該微發光二極管包括半導體堆疊層和絕緣層；半導體堆疊層具有相對設置的第一表面和第二表面，第一表面的全部區域或者部分區域為粗糙部；絕緣層至少覆蓋半導體堆疊層的部分第二表面以及部分側壁；位于半導體堆疊層側壁的絕緣層包括側部和水平部，側部與水平部的交點落在半導體堆疊層的內部。本申請利用半導體堆疊層來保護半導體堆疊層側壁處的絕緣層，避免絕緣層中側部與水平部的交點在對第一表面粗化過程中暴露在蝕刻流體下，從而避免位于半導體堆疊層側壁處的絕緣層受到損傷而導致絕緣層失效，提高微發光二極管的可靠性以及出光效率。

技術領域

本申請涉及半導體相關技術領域，尤其涉及一種微發光二極管、微發光元件及顯示器。

背景技術

微發光二極管具有低功耗、高度亮、超高分辨率與色彩飽和度、響應速度快、壽命長等優點，是目前熱門研究的下一代顯示器光源。為了提高微發光二極管的出光效率，一般在微發光二極管的側壁鍍有絕緣層，且同時需對微發光二極管的出光面進行粗化，在對出光面粗化過程中，側壁處的絕緣層因暴露在蝕刻流體下而受到損傷，導致絕緣層失效，并影響微發光二極管的出光效率。

發明內容

本申請的目的是提供一種微發光二極管，其利用半導體堆疊層來保護側壁處的絕緣層，避免側壁處的絕緣層因暴露在蝕刻流體下受到損傷而導致絕緣層失效，以提高微發光二極管的出光效率。

另一目的還在于提供一種微發光元件，以及一種顯示器。

第一方面，本申請實施例提供一種微發光二極管，其包括：

半導體堆疊層，具有相對設置的第一表面和第二表面；第一表面的全部區域或者部分區域為粗糙部；

絕緣層，至少覆蓋半導體堆疊層的部分第二表面以及部分側壁；位于半導體堆疊層側壁的絕緣層包括側部和水平部，側部與水平部的交點落在半導體堆疊層的內部。

在一種可能的實施方案中，側部與水平部的交點位于半導體堆疊層遠離粗糙部的一側。

在一種可能的實施方案中，在半導體堆疊層的內部，交點與半導體堆疊層最外側之間的距離D₁等于或大于0.5μm。

在一種可能的實施方案中，絕緣層由氧化鈦制備而成；或者，絕緣層的材料之一為氧化鈦。

在一種可能的實施方案中，半導體堆疊層包括相連的第一部和第二部，第一部位于半導體堆疊層靠近第一表面的一側，第二部位于半導體堆疊層遠離第一表面的一側；第一部的寬度大于第二部的寬度。

在一種可能的實施方案中，第一部的厚度等于或大于0.5μm。

在一種可能的實施方案中，絕緣層覆蓋半導體堆疊層的第二表面、以及第二部的側壁。

在一種可能的實施方案中，第一部的側壁覆蓋有保護層。

在一種可能的實施方案中，第一表面除粗糙部之外的區域覆蓋有保護層；保護層所覆蓋第一表面的區域的寬度D₂等于或大于0.5μm，且小于或等于1μm。

在一種可能的實施方案中，保護層的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化鋁的一種或多種。

在一種可能的實施方案中，保護層的厚度為100～20000埃。

在一種可能的實施方案中，微發光二極管的寬度為2～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm；

微發光二極管的長度為2～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm。

第二方面，本申請實施例提供一種微發光元件，其包括：

基板；