[發(fā)明專利]微發(fā)光二極管、微發(fā)光元件及顯示器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110505600.3
• 申請日: 2021-05-10
• 公開（公告）號: CN113328020A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳政;李佳恩;楊碩
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;H01L33/44;G09F9/33
• 代理公司: 北京漢之知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11479
• 代理人: 王立紅

1.一種微發(fā)光二極管，其特征在于，包括：

半導體堆疊層，具有相對設(shè)置的第一表面和第二表面；所述第一表面的全部區(qū)域或者部分區(qū)域為粗糙部；

絕緣層，至少覆蓋所述半導體堆疊層的部分第二表面以及部分側(cè)壁；位于半導體堆疊層側(cè)壁的所述絕緣層包括側(cè)部和水平部，所述側(cè)部與所述水平部的交點落在所述半導體堆疊層的內(nèi)部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微發(fā)光二極管，其特征在于，所述側(cè)部與所述水平部的交點位于所述半導體堆疊層遠離粗糙部的一側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微發(fā)光二極管，其特征在于，在所述半導體堆疊層的內(nèi)部，所述交點與所述半導體堆疊層最外側(cè)之間的距離D₁等于或大于0.5μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微發(fā)光二極管，其特征在于，所述絕緣層由氧化鈦制備而成；或者，所述絕緣層的材料之一為氧化鈦。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微發(fā)光二極管，其特征在于，所述半導體堆疊層包括相連的第一部和第二部，所述第一部位于所述半導體堆疊層靠近第一表面的一側(cè)，所述第二部位于所述半導體堆疊層遠離第一表面的一側(cè)；所述第一部的寬度大于所述第二部的寬度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一部的厚度等于或大于0.5μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微發(fā)光二極管，其特征在于，所述絕緣層覆蓋所述半導體堆疊層的第二表面、以及所述第二部的側(cè)壁。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一部的側(cè)壁覆蓋有保護層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一表面除粗糙部之外的區(qū)域覆蓋有保護層；所述保護層所覆蓋第一表面的區(qū)域的寬度D₂等于或大于0.5μm，且小于或等于1μm。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的微發(fā)光二極管，其特征在于，所述保護層的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化鋁的一種或多種。

11.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的微發(fā)光二極管，其特征在于，所述保護層的厚度為100～20000埃。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微發(fā)光二極管，其特征在于，所述微發(fā)光二極管的寬度為2～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm；

所述微發(fā)光二極管的長度為2～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm。

13.一種微發(fā)光元件，其特征在于，包括：

基板；

至少一個微發(fā)光二極管，每個所述微發(fā)光二極管包括：

半導體堆疊層，具有相對設(shè)置的第一表面和第二表面；所述第一表面的全部區(qū)域或者部分區(qū)域為粗糙部；

絕緣層，至少覆蓋所述半導體堆疊層的部分第二表面以及部分側(cè)壁；位于半導體堆疊層側(cè)壁的所述絕緣層包括側(cè)部和水平部，所述側(cè)部與所述水平部的交點落在所述半導體堆疊層的內(nèi)部。

14.根據(jù)權(quán)利要求13的微發(fā)光元件，其特征在于，所述基板包括金屬基板、藍寶石襯底、玻璃、硅襯底、碳化硅襯底或者支撐膜。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的微發(fā)光元件，其特征在于，所述側(cè)部與所述水平部的交點位于所述半導體堆疊層遠離粗糙部的一側(cè)。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的微發(fā)光元件，其特征在于，在所述半導體堆疊層的內(nèi)部，所述交點與所述半導體堆疊層最外側(cè)之間的距離D₁等于或大于0.5μm。