[發明專利]電互聯結構、電子裝置及其制作方法在審

申請號：	202110503617.5	申請日：	2021-05-08
公開（公告）號：	CN113277462A	公開（公告）日：	2021-08-20
發明（設計）人：	舒羅西巴拉德瓦賈;杰夫瑞·克羅斯韋爾馬林	申請（專利權）人：	瑞聲科技（南京）有限公司;瑞聲聲學科技（深圳）有限公司
主分類號：	B81B7/00	分類號：	B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
代理公司：	深圳市恒申知識產權事務所(普通合伙) 44312	代理人：	鐘連發
地址：	210093 江蘇省南京市棲霞區仙林***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	聯結電子裝置及其制作方法
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【說明書】：

本發明實施例提供了一種電互聯結構、電子裝置及其制作方法，涉及MEMS器件領域，用以在對MEMS器件進行密封封裝的同時，提供MEMS裝置與外接電路的可靠電互連結構。電互聯結構包括位于基底一側的鍵合金屬，位于鍵合金屬遠離基底的一側的第一介電層和第二介電層，第一介電層包括貫穿第一介電層的第一通孔，第一通孔暴露鍵合金屬；第一通孔填充有與鍵合金屬電連接的第一導電材料；第二介電層包括第二通孔；第二通孔填充有與第一導電材料電連接的第二導電材料；填充在第二通孔的第二導電材料在基底所在平面的正投影覆蓋填充在第一通孔的第一導電材料在基底所在平面的正投影。

【技術領域】

本發明涉及電子器件技術領域，尤其涉及一種電互聯結構、電子裝置及其制作方法。

【背景技術】

微機電系統(Micro Electro-Mechanical Systems，以下簡稱MEMS)器件，比如陀螺儀、加速度計、壓力傳感器、氣體傳感器等獲得越來越廣泛地關注。為了驅動MEMS器件以及傳輸MEMS器件的輸出信號，通常會在MEMS裝置的絕緣層中設置填充導電材料的通孔以實現導電結構的互連。但是，在將通孔設置工藝集成到MEMS器件的制作工藝時具有較大的風險。

【發明內容】

有鑒于此，本發明實施例提供了一種電互聯結構、電子裝置及其制作方法，用以在對MEMS器件進行密封封裝的同時，提供MEMS裝置與外接電路的可靠電互連結構。

一方面，本發明實施例提供了一種電互聯結構，包括：

鍵合金屬；

第一介電層，位于所述鍵合金屬的一側；所述第一介電層包括貫穿所述第一介電層的第一通孔，所述第一通孔暴露所述鍵合金屬；所述第一通孔填充有與所述鍵合金屬電連接的第一導電材料；

第二介電層，位于所述第一介電層遠離所述鍵合金屬的一側；所述第二介電層包括第二通孔；所述第二通孔填充有與所述第一導電材料電連接的第二導電材料；填充在所述第二通孔的所述第二導電材料在所述鍵合金屬所在平面的正投影覆蓋填充在所述第一通孔的所述第一導電材料在所述鍵合金屬所在平面的正投影。

在一種可能的實施方案中，所述第一通孔和所述第二通孔的高度和大于等于9μm。

在一種可能的實施方案中，所述第一通孔和所述第二通孔均為錐形通孔，所述第一通孔和所述第二通孔的側壁與所述電互聯結構的厚度方向的夾角在0°～20°之間。

在一種可能的實施方案中，所述第一導電材料包括鎢或銅。

在一種可能的實施方案中，所述第一通孔的高寬比在3:1～4:1之間。

在一種可能的實施方案中，所述蓋氧化層的厚度為3.5μm。

在一種可能的實施方案中，所述第二介電層的厚度在5.7μm～5.8μm之間。