[發明專利]電互聯結構、電子裝置及其制作方法

在審

• 申請號: 202110503617.5
• 申請日: 2021-05-08
• 公開（公告）號: CN113277462A
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發明（設計）人: 舒羅西巴拉德瓦賈;杰夫瑞·克羅斯韋爾馬林
• 申請（專利權）人: 瑞聲科技（南京）有限公司;瑞聲聲學科技（深圳）有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 深圳市恒申知識產權事務所(普通合伙) 44312
• 代理人: 鐘連發

1.一種電互聯結構，其特征在于，包括：

鍵合金屬；

第一介電層，位于所述鍵合金屬的一側；所述第一介電層包括貫穿所述第一介電層的第一通孔，所述第一通孔暴露所述鍵合金屬；所述第一通孔填充有與所述鍵合金屬電連接的第一導電材料；

第二介電層，位于所述第一介電層遠離所述鍵合金屬的一側；所述第二介電層包括第二通孔；所述第二通孔填充有與所述第一導電材料電連接的第二導電材料；填充在所述第二通孔的所述第二導電材料在所述鍵合金屬所在平面的正投影覆蓋填充在所述第一通孔的所述第一導電材料在所述鍵合金屬所在平面的正投影。

2.根據權利要求1所述的電互聯結構，其特征在于，

所述第一通孔和所述第二通孔的高度和大于等于9μm。

3.根據權利要求1所述的電互聯結構，其特征在于，

所述第一通孔和所述第二通孔均為錐形通孔，所述第一通孔和所述第二通孔的側壁與所述電互聯結構的厚度方向的夾角在0°～20°之間。

4.根據權利要求1所述的電互聯結構，其特征在于，

所述第一導電材料包括鎢或銅。

5.根據權利要求1所述的電互聯結構，其特征在于，

所述第一通孔的高寬比在3:1～4:1之間。

6.根據權利要求1所述的電互聯結構，其特征在于，

所述第一介電層的厚度為3.5μm。

7.根據權利要求1所述的電互聯結構，其特征在于，

所述第二介電層的厚度在5.7μm～5.8μm之間。

8.根據權利要求7所述的電互聯結構，其特征在于，

所述第二介電層包括層疊設置的第一子介電層和第二子介電層，其中，第一子介電層位于所述第二子介電層和所述第一介電層之間；

所述第一子介電層的厚度在0.2μm～0.3μm之間。

9.根據權利要求8所述的電互聯結構，其特征在于，

所述第二子介電層的厚度為5.5μm。

10.一種電子裝置，其特征在于，包括：

電子器件，以及，如權利要求1-9任一項所述的電互聯結構，所述電互聯結構與所述電子器件電連接。

11.根據權利要求10所述的電子裝置，其特征在于，

所述電子器件包括MEMS器件；

所述電子裝置還包括基底，所述MEMS器件位于所述基底的一側的空腔中，

所述電互聯結構位于所述空腔遠離所述基底的一側。

12.根據權利要求11所述的電子裝置，其特征在于，

所述第二介電層包括層疊設置的第一子介電層和第二子介電層，其中，第一子介電層位于所述第二子介電層和所述第一介電層之間；

所述第一介電層和所述第一子介電層包括通風孔；

所述第二子介電層填充所述通風孔；

填充在所述通風孔的所述第二子介電層與填充在所述第一通孔的所述第一導電材料在所述基底所在平面的正投影不交疊。

13.一種電互聯結構的制作方法，其特征在于，包括：

形成鍵合金屬；

在所述鍵合金屬的一側形成第一介電層；

在所述第一介電層中形成貫穿所述第一介電層的第一通孔，所述第一通孔暴露所述鍵合金屬；

形成填充所述第一通孔的第一導電材料，所述第一導電材料與所述鍵合金屬電連接；

在所述第一介電層遠離所述鍵合金屬的一側形成第二介電層；

在所述第二介電層中形成貫穿所述第二介電層的第二通孔；

形成填充所述第二通孔的第二導電材料，填充在所述第二通孔的所述第二導電材料在所述鍵合金屬所在平面的正投影覆蓋填充在所述第一通孔的所述第一導電材料在所述鍵合金屬所在平面的正投影，所述第二導電材料與所述第一導電材料電連接。