[發(fā)明專利]陣列基板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110501485.2
• 申請(qǐng)日: 2021-05-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113299674B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 湯富雄;龔帆;艾飛;宋繼越
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 遠(yuǎn)明

1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：

一基板；

一半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述基板上，所述半導(dǎo)體層定義有有源區(qū)和感光區(qū)，所述有源區(qū)包括溝道區(qū)，所述感光區(qū)包括橫向排列的P型半導(dǎo)體區(qū)、N型半導(dǎo)體區(qū)以及I型半導(dǎo)體區(qū)，所述I型半導(dǎo)體區(qū)設(shè)置于所述P型半導(dǎo)體區(qū)與所述N型半導(dǎo)體區(qū)之間；

一第一導(dǎo)電層，設(shè)置于所述半導(dǎo)體層上，所述第一導(dǎo)電層包括分別與所述半導(dǎo)體層相連的源極和漏極；

一第二導(dǎo)電層，設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層上，包括輔助調(diào)節(jié)電極；以及

一遮光層，設(shè)置于所述基板和所述半導(dǎo)體層之間，所述遮光層包括間隔設(shè)置的第一遮光層和第二遮光層，所述第一遮光層在所述基板上的正投影覆蓋所述溝道區(qū)在所述基板上的正投影，且所述第二遮光層在所述基板上的正投影覆蓋所述I型半導(dǎo)體區(qū)在所述基板上的正投影；

其中，所述輔助調(diào)節(jié)電極與所述第二遮光層相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：柵極層，設(shè)置于所述基板上，且所述柵極層在所述基板上的正投影覆蓋所述溝道區(qū)在基板上的正投影。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層還包括調(diào)節(jié)電極，所述調(diào)節(jié)電極在所述基板上的正投影覆蓋所述I型半導(dǎo)體區(qū)在所述基板上的正投影。

4.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：

一基板；

一緩沖層，設(shè)置于所述基板上；

一半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述緩沖層上，所述半導(dǎo)體層定義有有源區(qū)和感光區(qū)，所述有源區(qū)包括溝道區(qū)，所述感光區(qū)包括P型半導(dǎo)體區(qū)、N型半導(dǎo)體區(qū)以及設(shè)置于所述P型半導(dǎo)體區(qū)與所述N型半導(dǎo)體區(qū)之間的I型半導(dǎo)體區(qū)；

一柵極絕緣層，設(shè)置于所述緩沖層上，并覆蓋所述半導(dǎo)體層；

一柵極層，設(shè)置于所述柵極絕緣層上，且位置對(duì)應(yīng)于所述溝道區(qū)；

一層間絕緣層，設(shè)置于柵極絕緣層上，并覆蓋所述柵極層；

一第一導(dǎo)電層，設(shè)置于所述半導(dǎo)體層上，所述第一導(dǎo)電層包括源極和漏極，所述源極和所述漏極分別與所述半導(dǎo)體層相連；

一第二導(dǎo)電層，設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層上，所述第二導(dǎo)電層包括輔助調(diào)節(jié)電極；以及

一遮光層，設(shè)置于所述基板上，所述緩沖層覆蓋所述遮光層，所述遮光層包括間隔設(shè)置的第一遮光層和第二遮光層，所述第一遮光層在所述基板上的正投影覆蓋所述溝道區(qū)在所述基板上的正投影，且所述第二遮光層在所述基板上的正投影覆蓋所述I型半導(dǎo)體區(qū)在所述基板上的正投影；

其中，所述第二導(dǎo)電層包括輔助調(diào)節(jié)電極，所述輔助調(diào)節(jié)電極與所述第二遮光層相連。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層還包括調(diào)節(jié)電極，所述調(diào)節(jié)電極在所述基板上的正投影覆蓋所述I型半導(dǎo)體區(qū)在所述基板上的正投影。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)中所述的陣列基板，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層還包括上部電極，所述陣列基板還包括設(shè)置于所述漏極上的下部電極，且所述上部電極在所述基板上的正投影與所述下部電極在所述基板上的正投影至少部分重疊，所述上部電極與所述下部電極之間形成存儲(chǔ)電容。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)中所述的陣列基板，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層還包括金屬走線，所述第二導(dǎo)電層還包括像素電極，所述像素電極與所述金屬走線相連。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)中所述的陣列基板，其特征在于，所述有源區(qū)還包括第一重?fù)诫s區(qū)、第一輕摻雜區(qū)、第二輕摻雜區(qū)和第二重?fù)诫s區(qū)，所述第一輕摻雜區(qū)和所述第二輕摻雜區(qū)分別設(shè)置于所述溝道區(qū)的兩側(cè)，所述第一重?fù)诫s區(qū)設(shè)置于所述第一輕摻雜區(qū)遠(yuǎn)離所述溝道區(qū)的一側(cè)，所述第二重?fù)诫s區(qū)設(shè)置于所述第二輕摻雜區(qū)遠(yuǎn)離所述溝道區(qū)的一側(cè)；所述P型半導(dǎo)體區(qū)和所述N型半導(dǎo)體區(qū)中的一者與所述第二重?fù)诫s區(qū)相連。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，相連于所述第二重?fù)诫s區(qū)的所述P型半導(dǎo)體區(qū)或所述N型半導(dǎo)體區(qū)的材料，與所述第二重?fù)诫s區(qū)的材料相同。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)中所述的陣列基板，其特征在于，所述有源區(qū)和所述感光區(qū)間隔設(shè)置，且所述有源區(qū)和所述感光區(qū)之間電性連接。