[發(fā)明專利]一種高透光低阻值型復合ITO膜

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110497302.4
• 申請日: 2021-05-07
• 公開（公告）號: CN113223753B
• 公開（公告）日: 2022-09-16
• 發(fā)明（設計）人: 吳健;李俊
• 申請（專利權）人: 江蘇華微薄膜科技有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高透光低阻值型復合ITO膜，其特征在于，所述高透光低阻值型復合ITO膜包括由內(nèi)向外依次設置在基體(1)表面的貴金屬摻雜層(2)和ITO膜層(3)，所述貴金屬摻雜層(2)由納米貴金屬顆粒和納米金屬顆粒摻雜制備而成；

所述貴金屬摻雜層(2)由質(zhì)量百分比計的85～95％納米貴金屬顆粒和5～15％的納米金屬顆粒摻雜制備而成；所述納米貴金屬顆粒為納米Ag顆粒，所述納米金屬顆粒包括納米Ni、納米Nb、納米Mo或納米Cu中的任意一種；

所述ITO膜層(3)由按質(zhì)量百分比計的92～98％的In₂O₃和2～8％的SnO₂組成。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種高透光低阻值型復合ITO膜，其特征在于，所述高透光低阻值型復合ITO膜還包括過渡層(4)，所述過渡層(4)設于所述貴金屬摻雜層(2)和所述基體(1)之間，所述過渡層(4)的一側與貴金屬摻雜層(2)臨近基體(1)的一側固定相連，所述過渡層(4)的另一側與所述基體(1)表面固定相連。

3.根據(jù)權利要求2所述的一種高透光低阻值型復合ITO膜，其特征在于，所述過渡層(4)為TiO_X，X≦2。

4.根據(jù)權利要求2所述的一種高透光低阻值型復合ITO膜，其特征在于，所述ITO膜層(3)厚度為20～35nm，所述貴金屬摻雜層(2)厚度為5～10nm，所述過渡層(4)厚度為5～10nm，所述基體(1)厚度為0.05～1.1mm。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種高透光低阻值型復合ITO膜，其特征在于，所述基體(1)包括PET板材、PMMA板材或玻璃基材中的任意一種。