[發明專利]一種高透光低阻值型復合ITO膜

有效

• 申請號: 202110497302.4
• 申請日: 2021-05-07
• 公開（公告）號: CN113223753B
• 公開（公告）日: 2022-09-16
• 發明（設計）人: 吳健;李俊
• 申請（專利權）人: 江蘇華微薄膜科技有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本申請涉及ITO薄膜領域，具體公開了一種高透光低阻值型復合ITO膜，包括由內向外依次設置在基體表面的貴金屬摻雜層和ITO膜層，所述貴金屬摻雜層由納米貴金屬顆粒和納米金屬顆粒摻雜制備而成。通過采用上述技術方案，由于本申請將ITO膜層設置在貴金屬摻雜層表面，通過高折射率的ITO膜的消減反射作用獲得在可見光區高透過率，在此基礎上，本申請通過貴金屬摻雜層進行改性，降低了薄膜對光的散射和對光子的吸收，改善了單層ITO薄膜層的透光性能；本申請的高透光低阻值型復合ITO膜可用于顯示器、調光膜、電磁屏蔽和紅外隔熱等方面，其具有優異的透光性、電導率和紅外隔熱的性能。

技術領域

本申請涉及ITO薄膜領域，更具體地說，它涉及一種高透光低阻值型復合ITO膜。

背景技術

ITO透明導電膜對可見光具有很高的透過率，對紅外光有很高的反射率，對微波具有很高的衰減率。正是這些特殊的光電性能，使其廣泛應用于平面顯示器、太陽能電池、隔熱節能玻璃、除霜玻璃、電磁屏蔽膜等產品當中。

隨著技術的不斷發展，對ITO透明導電膜的電導率及透反射率要求均不斷提高，所以只采用單一的材料很難滿足它的需求。目前，關于高電導率、高透反射率薄膜采用多層結構的方案進行制備。

但是現有的多層結構設計的ITO薄膜的電阻值較高，透光率也不穩定，無法有效兼顧良好的透光性和低電阻性，導致ITO透明導電薄膜的使用范圍大大縮小。

發明內容

為了改善現有多層結構設計的ITO薄膜的電導率和透光性不佳的缺陷，本申請提供一種高透光低阻值型復合ITO膜，采用如下的技術方案：

一種高透光低阻值型復合ITO膜，包括由內向外依次設置在基體表面的貴金屬摻雜層和ITO膜層，所述貴金屬摻雜層由納米貴金屬顆粒和納米金屬顆粒摻雜制備而成。

通過采用上述技術方案，由于本申請將ITO膜層設置在貴金屬摻雜層表面，通過高折射率的ITO膜的消減反射作用獲得在可見光區高透過率，在此基礎上，本申請通過貴金屬摻雜層進行改性，由于氣態貴金屬粒子在基片上沉積形核，當晶核逐漸長大成小島狀金屬原子簇后，島狀金屬原子簇繼續長大，直至多個小島長至可相互接觸時，形成一層網狀貴金屬膜；隨著貴金屬粒子繼續沉積，將網狀貴金屬膜的低洼處填平，直至形成一層連續的貴金屬膜；再通過孤島之間的溝道和空穴被后沉積的貴金屬原子填充，并開始相互連接，最終形成連續薄膜，提高了薄膜的導電性能；同時沉積的貴金屬膜表面粗糙度也得到改善，其具有表面等離子體共振效應，降低了薄膜對光的散射和對光子的吸收，改善了單層ITO薄膜層的透光性能；

所以本申請采用雙層設計的ITO薄膜和貴金屬膜的有機復合，調整了ITO薄膜的折射率，達到減反射時相消干涉所需的光線光程差要求，從而可以抑制貴金屬層界面反射，使ITO薄膜在某一波長處達到選擇增透的效果，以致可見光最大透過率仍可達到90%以上，高于單層ITO的透過率，同時包覆的ITO膜層也能進一步提高貴金屬摻雜層的抗氧化性能，從而進一步提高了ITO薄膜的使用壽命。

進一步地，所述高透光低阻值型復合ITO膜還包括過渡層，所述過渡層設于所述貴金屬摻雜層和所述基體之間，所述過渡層的一側與貴金屬摻雜層臨近基體的一側固定相連，所述過渡層的另一側與所述基體表面固定相連。

通過采用上述技術方案，由于本申請在貴金屬摻雜層和基體之間設置過渡層，通過過渡層能在貴金屬摻雜層和基體之間形成良好的界面連接作用，通過有效的界面連接，提高貴金屬摻雜層與基體之間的有效附著，提高ITO膜層材料在基體表面的附著力，提高其使用壽命。

進一步地，所述過渡層為TiO_X(X≦2)。

通過采用上述技術方案，由于本申請優選Ti的氧化物作為過渡層，一方面通過鈦的氧化物形成的薄膜能在各基體之間形成良好的連接性能，同時該材料性質穩定，形成的薄膜透光度高，能在不降低材料透過率的同時，有效形成良好的連接作用，整體制備方案簡單易行，有效降低了材料的制備成本，提高了制作的效率。