[發(fā)明專利]制造半導(dǎo)體器件的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110497055.8
• 申請(qǐng)日: 2021-05-07
• 公開（公告）號(hào): CN113284851A
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡俊雄;林佑明;游國(guó)豐;葉明熙;沙哈吉·B·摩爾;錢德拉謝卡爾·普拉卡斯·薩萬(wàn)特;柯志欣;萬(wàn)幸仁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8238
• 分類號(hào): H01L21/8238
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

通過圖案化半導(dǎo)體層形成鰭結(jié)構(gòu)；以及

在所述鰭結(jié)構(gòu)上進(jìn)行退火操作，其中：

圖案化包括在所述鰭結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成受損區(qū)域，并且

所述退火操作消除所述受損區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體層是單晶半導(dǎo)體，并且所述受損區(qū)域包括非晶或多晶區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述受損區(qū)域包括濃度比所述鰭結(jié)構(gòu)的其余部分高的氫和氟。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，通過所述退火操作去除氫和氟。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述退火操作使所述受損區(qū)域重結(jié)晶。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述退火操作的工藝溫度在950℃至1050℃的范圍內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述退火操作的工藝持續(xù)時(shí)間在5秒至15秒的范圍內(nèi)。

8.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

通過圖案化半導(dǎo)體層形成鰭結(jié)構(gòu)；

在所述鰭結(jié)構(gòu)上執(zhí)行清潔操作；

在所述清潔操作之后，在所述鰭結(jié)構(gòu)上執(zhí)行退火操作；以及

在所述退火操作之后，在所述鰭結(jié)構(gòu)上執(zhí)行圖案化操作以將所述鰭結(jié)構(gòu)分成多個(gè)，其中：

形成所述鰭結(jié)構(gòu)包括具有脈沖偏置電壓的等離子體干蝕刻，并且

所述退火操作包括在900℃至1100℃的范圍內(nèi)的退火操作的工藝溫度和在1秒至20秒的范圍內(nèi)的退火操作的工藝持續(xù)時(shí)間。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述脈沖偏置電壓包括在200Hz至8000Hz的范圍內(nèi)的頻率。

10.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

通過在半導(dǎo)體層上執(zhí)行第一蝕刻操作來(lái)形成鰭結(jié)構(gòu)；

在所述鰭結(jié)構(gòu)上執(zhí)行第一清潔操作；

在所述第一清潔操作之后，在所述鰭結(jié)構(gòu)上執(zhí)行第一退火操作；

在所述第一退火操作之后，在所述鰭結(jié)構(gòu)上執(zhí)行第二蝕刻操作以將所述鰭結(jié)構(gòu)分成多個(gè)；

在所述第二蝕刻操作之后，在所述鰭結(jié)構(gòu)上執(zhí)行第二退火操作；以及

在所述第二退火操作之后，形成隔離絕緣層，使得所述鰭結(jié)構(gòu)的上部從所述隔離絕緣層突出；

所述第一蝕刻操作或所述第二蝕刻操作中的至少一個(gè)包括在所述鰭結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成包括非晶或多晶區(qū)域的受損區(qū)域，并且

所述第一退火操作或所述第二退火操作中的至少一個(gè)消除所述受損區(qū)域。