[發明專利]Micro LED顯示裝置及其制備方法

在審

• 申請號: 202110494925.6
• 申請日: 2021-05-07
• 公開（公告）號: CN113161382A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 鄒英華;戴兆宇;段秋艷;羅展佑
• 申請（專利權）人: TCL華瑞照明科技（惠州）有限公司;華瑞光電（惠州）有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/00;H01L33/36;H01L33/44;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/62
• 代理公司: 北京力量專利代理事務所(特殊普通合伙) 11504
• 代理人: 郭大為

本發明涉及Micro LED顯示裝置及其制備方法，包括以下步驟：提供襯底，對襯底進行外延生長處理操作，形成外延層；進行蝕刻操作，形成多個發光單元；涂覆絕緣膠；絕緣層進行開口操作；通過蒸鍍在絕緣層上形成電路層，得到發光模組；提供玻璃基板，在玻璃基板上涂覆光阻層；再對光阻層進行開槽操作，在第一發光槽中涂覆紅色熒光粉，在第二發光槽中涂覆綠色熒光粉，在每第三發光槽中涂覆透明膠，再在紅色熒光粉層、綠色熒光粉層及透明膠層上分別覆蓋紅色濾光片、綠色濾光片及藍色濾光片，得到濾光板；將濾光板扣合于發光模組上，得到Micro LED顯示裝置。制備工藝簡單，提高了Micro LED顯示裝置的使用穩定性。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種Micro LED顯示裝置及其制備方法。

背景技術

Micro LED(Micro Light Emitting Diode，微型發光二極管)顯示裝置是采用Micro LED作為光源的一種顯示裝置，是一種新的顯示技術，具有亮度高及發光效率好的優點，且節能環保，其中，Micro LED技術是LED微縮化和矩陣化技術，將像素點距離從毫米級降低至微米級，而Micro LED顯示裝置一般是通過在集成電路上制作LED陣列，并通過封裝得到。

然而，現有的Micro LED顯示裝置的制備工藝存在一定難度，由于Micro LED是將LED微縮化及矩陣化，大大提高了芯片轉移的難度，不僅存在芯片轉移數量巨大的問題，且存在對芯片造成損壞的問題，另外，芯片與芯片間在放置的過程中必須存在一定間距，造成pitch值較大，同時，由于紅、藍、綠三基色芯片的電壓存在差異，對電源設計增加了難度，導致Micro LED顯示裝置制備工藝實現難度高，難以普及。

發明內容

基于此，有必要提供一種Micro LED顯示裝置及其制備方法。

一種Micro LED顯示裝置的制備方法，包括：

提供襯底，對所述襯底進行外延生長處理操作，形成外延層，所述外延層包括N型GaN層、發光層及P型GaN層；

對所述發光層及所述P型GaN層進行蝕刻操作，以對所述發光層及所述P型GaN層進行分割，形成多個發光單元；

向多個所述發光單元的表面涂覆絕緣膠，形成絕緣層；

對所述絕緣層進行開口操作，以使所述P型GaN層及所述N型GaN層部分露出，所述P型GaN層露出部分為P極焊盤，所述N型GaN層露出部分為N極焊盤；

通過蒸鍍在所述絕緣層上形成電路層，所述電路層分別與所述P極焊盤及所述N極焊盤連接，得到發光模組；

提供玻璃基板，在所述玻璃基板上涂覆光阻層；再對所述光阻層進行開槽操作，形成多個第一發光槽、多個第二發光槽及多個第三發光槽，多個所述第一發光槽、多個所述第二發光槽及多個所述第三發光槽呈矩陣分布，一所述第一發光槽、一所述第二發光槽及一所述第三發光槽在橫向方向上依次順序排布；

在每一所述第一發光槽中涂覆紅色熒光粉，形成紅色熒光粉層，在每一所述第二發光槽中涂覆綠色熒光粉，形成綠色熒光粉層，在每一所述第三發光槽中涂覆透明膠，形成透明膠層，再在所述紅色熒光粉層、綠色熒光粉層及透明膠層上分別覆蓋紅色濾光片、綠色濾光片及藍色濾光片，得到濾光板；

將濾光板扣合于發光模組上，得到Micro LED顯示裝置。

在其中一種實施方式，在所述向多個所述發光單元的表面涂覆絕緣膠的操作之前，還對每一所述發光單元進行開孔操作，以使所述N型GaN層部分露出。

在其中一種實施方式，在所述對每一所述發光單元進行開孔操作，以使所述N型GaN層部分露出的操作之后，還在所述P型GaN層上設置反光層。

在其中一種實施方式，所述絕緣層為二氧化硅絕緣層。