[發(fā)明專利]Micro LED顯示裝置及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110494925.6 | 申請日: | 2021-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN113161382A | 公開(公告)日: | 2021-07-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鄒英華;戴兆宇;段秋艷;羅展佑 | 申請(專利權(quán))人: | TCL華瑞照明科技(惠州)有限公司;華瑞光電(惠州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/36;H01L33/44;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京力量專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11504 | 代理人: | 郭大為 |
| 地址: | 516000 廣東省惠*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | micro led 顯示裝置 及其 制備 方法 | ||
1.一種Micro LED顯示裝置的制備方法,其特征在于,包括:
提供襯底,對所述襯底進行外延生長處理操作,形成外延層,所述外延層包括N型GaN層、發(fā)光層及P型GaN層;
對所述發(fā)光層及所述P型GaN層進行蝕刻操作,以對所述發(fā)光層及所述P型GaN層進行分割,形成多個發(fā)光單元;
向多個所述發(fā)光單元的表面涂覆絕緣膠,形成絕緣層;
對所述絕緣層進行開口操作,以使所述P型GaN層及所述N型GaN層部分露出,所述P型GaN層露出部分為P極焊盤,所述N型GaN層露出部分為N極焊盤;
通過蒸鍍在所述絕緣層上形成電路層,所述電路層分別與所述P極焊盤及所述N極焊盤連接,得到發(fā)光模組;
提供玻璃基板,在所述玻璃基板上涂覆光阻層;再對所述光阻層進行開槽操作,形成多個第一發(fā)光槽、多個第二發(fā)光槽及多個第三發(fā)光槽,多個所述第一發(fā)光槽、多個所述第二發(fā)光槽及多個所述第三發(fā)光槽呈矩陣分布,一所述第一發(fā)光槽、一所述第二發(fā)光槽及一所述第三發(fā)光槽在橫向方向上依次順序排布;
在每一所述第一發(fā)光槽中涂覆紅色熒光粉,形成紅色熒光粉層,在每一所述第二發(fā)光槽中涂覆綠色熒光粉,形成綠色熒光粉層,在每一所述第三發(fā)光槽中涂覆透明膠,形成透明膠層,再在所述紅色熒光粉層、綠色熒光粉層及透明膠層上分別覆蓋紅色濾光片、綠色濾光片及藍色濾光片,得到濾光板;
將濾光板扣合于發(fā)光模組上,得到Micro LED顯示裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Micro LED顯示裝置的制備方法,其特征在于,在所述向多個所述發(fā)光單元的表面涂覆絕緣膠的操作之前,還對每一所述發(fā)光單元進行開孔操作,以使所述N型GaN層部分露出。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的Micro LED顯示裝置的制備方法,其特征在于,在所述對每一所述發(fā)光單元進行開孔操作,以使所述N型GaN層部分露出的操作之后,還在所述P型GaN層上設(shè)置反光層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Micro LED顯示裝置的制備方法,其特征在于,所述絕緣層為二氧化硅絕緣層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Micro LED顯示裝置的制備方法,其特征在于,在所述向多個所述發(fā)光單元的表面涂覆絕緣膠,形成絕緣層的操作中,還在所述絕緣層的表面噴涂納米碳顆粒,以使所述納米碳顆粒粘附于所述絕緣層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Micro LED顯示裝置的制備方法,其特征在于,在得到濾光板之前,還在所述光阻層上涂覆透明膠,形成保護膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項中所述的Micro LED顯示裝置的制備方法,其特征在于,所述的透明膠為環(huán)氧樹脂透明膠。
8.根據(jù)權(quán)利要求3任一項中所述的Micro LED顯示裝置的制備方法,其特征在于,所述反光層為銀反光層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項中所述的Micro LED顯示裝置的制備方法,其特征在于,所述襯底為藍寶石襯底。
10.一種Micro LED顯示裝置,其特征在于,包括:
發(fā)光模組,所述發(fā)光模組包括襯底、N型GaN層、發(fā)光層、P型GaN層及絕緣層,所述襯底、所述N型GaN層、所述發(fā)光層、所述P型GaN層及所述絕緣層依次疊設(shè),所述絕緣層遠離所述P型GaN層的一面設(shè)置有電路層,所述電路層分別與所述N型GaN層及所述P型GaN層連接;及
濾光板,所述濾光板包括玻璃基板及光阻層,所述玻璃基板設(shè)置于所述襯底遠離所述N型GaN層的一面上,所述光阻層設(shè)置于所述玻璃基板遠離所述襯底的一面上,所述光阻層開設(shè)有多個第一發(fā)光槽、多個第二發(fā)光槽及多個第三發(fā)光槽,各所述第一發(fā)光槽、各所述第二發(fā)光槽及各所述第三發(fā)光槽呈矩陣分布,每一所述第一發(fā)光槽中設(shè)置有紅光像素單元,每一所述第二發(fā)光槽中設(shè)置有綠光像素單元,每一所述第三發(fā)光槽中設(shè)置有藍光像素單元。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





