[發(fā)明專利]一種基于合成電場計(jì)算導(dǎo)線起暈場強(qiáng)的方法及系統(tǒng)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110494383.2
• 申請(qǐng)日: 2021-05-07
• 公開（公告）號(hào): CN113325239A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙錄興;吳桂芳;謝莉;白鋒;何堃;王建;曹方圓;金銘;楊志超;劉元慶;林珊珊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國電力科學(xué)研究院有限公司;國網(wǎng)新疆電力有限公司電力科學(xué)研究院
• 主分類號(hào): G01R29/08
• 分類號(hào): G01R29/08
• 代理公司: 北京工信聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11266
• 代理人: 姜麗樓

1.一種基于合成電場計(jì)算導(dǎo)線起暈場強(qiáng)的方法，其特征在于，包括：

測量地面合成電場強(qiáng)度E1；

根據(jù)試驗(yàn)導(dǎo)線的結(jié)構(gòu)參數(shù)和架設(shè)的導(dǎo)線型式參數(shù)，計(jì)算不同電壓下的標(biāo)稱電場強(qiáng)度E2；

對(duì)比不同電壓下的標(biāo)稱電場強(qiáng)度E2和實(shí)際測量得到的地面合成電場強(qiáng)度E1，當(dāng)所述地面合成電場強(qiáng)度E1與所述標(biāo)稱電場強(qiáng)度E2的電場強(qiáng)度差值大于預(yù)定數(shù)值時(shí)，將相應(yīng)的電壓確定為視在起暈電壓U1；

根據(jù)所述視在起暈電壓U1確定特定電壓，測量所述特定電壓下的地面特定位置處的特定合成電場強(qiáng)度E3；

測量空氣中的離子遷移率；

根據(jù)地面特定位置處的特定合成電場強(qiáng)度E3以及所述離子遷移率，確定導(dǎo)線表面起暈場強(qiáng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，根據(jù)地面特定位置處的特定合成電場強(qiáng)度E3以及所述離子遷移率，確定每導(dǎo)線表面起暈場強(qiáng)，包括：

確定導(dǎo)線表面起暈場強(qiáng)初值；

根據(jù)所述離子遷移率，計(jì)算出地面特定位置處的合成電場強(qiáng)度E4；

將所述特定合成電場強(qiáng)度E3與所述合成電場強(qiáng)度E4進(jìn)行比較，確定相對(duì)誤差；

若所述相對(duì)誤差大于預(yù)定誤差值δ，則改變起暈場強(qiáng)初值；

當(dāng)相對(duì)誤差小于規(guī)定值δ，則將當(dāng)前起暈場強(qiáng)值確定為導(dǎo)線的真實(shí)起暈場強(qiáng)值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，根據(jù)所述離子遷移率，計(jì)算出地面特定位置處的合成電場強(qiáng)度E4，包括：

根據(jù)所述離子遷移率，采用模擬電荷法、逐次鏡像法或者有限元法，計(jì)算出地面特定位置處的合成電場強(qiáng)度E4。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

采用單極架設(shè)、單回水平架設(shè)或者單回垂直架設(shè)的方式，在試驗(yàn)線段上架設(shè)導(dǎo)線。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，測量空氣中的離子遷移率，包括：

通過電壓-電流曲線法、脈沖法或者遷移管法，測量空氣中的離子遷移率。

6.一種基于合成電場計(jì)算導(dǎo)線起暈場強(qiáng)的系統(tǒng)，其特征在于，包括：

測量地面合成電場強(qiáng)度模塊，用于測量地面合成電場強(qiáng)度E1；

計(jì)算標(biāo)稱電場強(qiáng)度模塊，用于根據(jù)試驗(yàn)導(dǎo)線的結(jié)構(gòu)參數(shù)和架設(shè)的導(dǎo)線型式參數(shù)，計(jì)算不同電壓下的地面合成電場強(qiáng)度測量儀所在位置的標(biāo)稱電場強(qiáng)度E2；

確定視在起暈電壓模塊，用于對(duì)比不同電壓下的標(biāo)稱電場強(qiáng)度E2和實(shí)際測量得到的地面合成電場強(qiáng)度E1，當(dāng)所述地面合成電場強(qiáng)度E1與所述標(biāo)稱電場強(qiáng)度E2的電場強(qiáng)度差值大于預(yù)定數(shù)值時(shí)，將相應(yīng)的電壓確定為視在起暈電壓U1；

測量特定合成電場強(qiáng)度模塊，用于根據(jù)所述視在起暈電壓U1確定特定電壓，測量所述特定電壓下的地面特定位置處的特定合成電場強(qiáng)度E3；

測量離子遷移率模塊，用于測量空氣中的離子遷移率；

確定起暈場強(qiáng)模塊，用于根據(jù)地面特定位置處的特定合成電場強(qiáng)度E3以及所述離子遷移率，確定導(dǎo)線表面起暈場強(qiáng)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其特征在于，確定起暈場強(qiáng)模塊，包括：

確定起暈場強(qiáng)初值子模塊，用于確定導(dǎo)線表面起暈場強(qiáng)初值；

計(jì)算合成電場強(qiáng)度子模塊，用于根據(jù)所述離子遷移率，計(jì)算出地面特定位置處的合成電場強(qiáng)度E4；

確定相對(duì)誤差子模塊，用于將所述特定合成電場強(qiáng)度E3與所述合成電場強(qiáng)度E4進(jìn)行比較，確定相對(duì)誤差；

改變起暈場強(qiáng)初值子模塊，用于若所述相對(duì)誤差大于預(yù)定誤差值δ，則改變起暈場強(qiáng)初值；

確定真實(shí)起暈場強(qiáng)值子模塊，用于當(dāng)相對(duì)誤差小于規(guī)定值δ，則將當(dāng)前起暈場強(qiáng)值確定為導(dǎo)線的真實(shí)起暈場強(qiáng)值。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其特征在于，計(jì)算合成電場強(qiáng)度子模塊，包括：

計(jì)算合成電場強(qiáng)度單元，根據(jù)所述離子遷移率，采用模擬電荷法、逐次鏡像法或者有限元法，計(jì)算出地面特定位置處的合成電場強(qiáng)度E4。