[發(fā)明專利]一種6-8英寸摻鐵鈮酸鋰晶體的生長方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110493980.3 | 申請日: | 2021-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN113201791A | 公開(公告)日: | 2021-08-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吉成;沈麗明 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州晶采電子科技有限公司 |
| 主分類號: | C30B29/30 | 分類號: | C30B29/30;C30B15/00;C30B15/28 |
| 代理公司: | 蘇州謹(jǐn)和知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人: | 許冬瑩 |
| 地址: | 215123 江蘇省蘇州市蘇州工*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 英寸 摻鐵鈮酸鋰 晶體 生長 方法 | ||
1.一種6-8英寸摻鐵鈮酸鋰晶體的生長方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)摻鐵鈮酸鋰多晶料的制備:選用高純4N的Li2CO3、Nb2O5、Fe2O3粉體為原料,將上述原料按照一定的質(zhì)量比稱量后配料,將充分混合的原料壓成塊餅,在1140℃下煅燒12小時發(fā)生固相反應(yīng)后,得到晶體生長所需的摻鐵鈮酸鋰多晶料;
(2)采用提拉法,通過優(yōu)化生長工藝參數(shù)制備高成品率、大尺寸摻鐵鈮酸鋰晶體:提拉法晶體生長爐主要有保溫系統(tǒng)、稱量系統(tǒng)、旋轉(zhuǎn)提拉系統(tǒng)和控制系統(tǒng)組成。將制備好的多晶料放入鉑金坩堝,將坩堝放入特定的溫場中,通過特定方式加熱使其充分熔化,得到晶體生長熔體,再通過接種、放肩、提拉等長晶工藝生長晶體,將得到的摻鐵鈮酸鋰晶體進行退火、極化,以2℃/min升溫至1150-1175℃,并恒溫15h后,通電進行極化,極化電流為40-50mA/cm2,半小時后以2℃/min冷卻至室溫;
(3)將極化后的不同摻鐵濃度的鈮酸鋰晶體通過定向、切割、研磨加工成晶片,并測試晶片的電阻率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種6-8英寸摻鐵鈮酸鋰晶體的生長方法,其特征在于,所述Li2CO3、Nb2O5、Fe2O3的質(zhì)量比范圍為263:1000:(0.1-0.8)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種6-8英寸摻鐵鈮酸鋰晶體的生長方法,其特征在于,所述的熔體法晶體生長,包括不采用籽晶生長和采用籽晶定向生長;對于采用籽晶定向生長的,籽晶方向為[100]、[010]、[001]或[10·4]方向。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種6-8英寸摻鐵鈮酸鋰晶體的生長方法,其特征在于,所述鉑金坩堝的尺寸為直徑:210-310,高:75-125,壁厚:0.8-1.5mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種6-8英寸摻鐵鈮酸鋰晶體的生長方法,其特征在于,所述特定方式加熱為感應(yīng)線圈加熱、硅碳棒電阻加熱或硅鉬棒電阻加熱。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種6-8英寸摻鐵鈮酸鋰晶體的生長方法,其特征在于,所述保溫系統(tǒng)的軸向溫度梯度為10-30℃/cm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種6-8英寸摻鐵鈮酸鋰晶體的生長方法,其特征在于,所述晶體生長的參數(shù)為:提拉速度為1.5~2.5mm/h,旋轉(zhuǎn)速度為6-9rpm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種6-8英寸摻鐵鈮酸鋰晶體的生長方法,其特征在于,所述摻鐵鈮酸鋰晶體的直徑為6-8英寸。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于蘇州晶采電子科技有限公司,未經(jīng)蘇州晶采電子科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110493980.3/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





