[發明專利]一種超薄襯底生長碳化硅單晶的有效方法在審
| 申請號： | 202110493961.0 | 申請日： | 2021-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN113293437A | 公開（公告）日： | 2021-08-24 |
| 發明（設計）人： | 李祥彪;仲崇貴 | 申請（專利權）人： | 南通大學 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B25/20 |
| 代理公司： | 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 許潔 |
| 地址： | 226000*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 超薄 襯底 生長 碳化硅 有效 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種超薄襯底生長碳化硅單晶的有效方法，其特征在于：包括下述步驟：
(1)超薄碳化硅單晶片，背生長面粘接高純碳化硅多晶片；
(2)粘接好的復合碳化硅晶片作為襯底固定于石墨坩堝蓋內側，其多晶片的另一面作為粘接面；
(3)密封石墨坩堝，放入晶體生長爐中，采用物理氣相傳輸法生長碳化硅晶體；
(4)晶體生長爐升溫至晶體生長溫度1800℃-2500℃，進行碳化硅晶體生長，氬氣作為載氣，反應室內氣壓在1-5kPa之間，生長時間在60小時以上，即可得到碳化硅晶體。
2.如權利要求1所述的超薄襯底生長碳化硅單晶的有效方法，其特征在于：所述的步驟(1)中，所述的超薄碳化硅單晶片厚度小于400微米。
3.如權利要求1所述的超薄襯底生長碳化硅單晶的有效方法，其特征在于：所述的步驟(1)中，所述的高純碳化硅多晶片純度大于99.99％。
4.如權利要求1所述的超薄襯底生長碳化硅單晶的有效方法，其特征在于：所述的步驟(1)中，所述的碳化硅多晶片厚度為100-300微米。
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